ข้อกำหนดด้านเทคโนโลยี 1N3210R
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิคของ Solid State Inc. - 1N3210R คุณลักษณะพารามิเตอร์และชิ้นส่วนที่มีข้อกำหนดที่คล้ายกันกับ Solid State Inc. - 1N3210R
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| ผู้ผลิต | Solid State Inc. | |
| แรงดันไฟฟ้า - ส่ง (Vf) (สูงสุด) @ หาก | 1.19 V @ 90 A | |
| แรงดันไฟฟ้า - ดีซี (Reverse VR) ที่ (สูงสุด) | 200 V | |
| เทคโนโลยี | Standard, Reverse Polarity | |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | DO-5 | |
| ความเร็ว | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) | |
| ชุด | - |
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | DO-203AB, DO-5, Stud | |
| บรรจุุภัณฑ์ | Box | |
| อุณหภูมิในการทำงาน - Junction | -65°C ~ 200°C | |
| ประเภทการติดตั้ง | Stud Mount | |
| ปัจจุบัน - รั่วไหลย้อนกลับ @ Vr | 10 µA @ 200 V | |
| ปัจจุบัน - เฉลี่ย Rectified (ไอโอ) | 40A | |
| การประจุกระแสไฟ @ Vr, F | - |
3 ส่วนด้านขวามีขนาดที่คล้ายกับ Solid State Inc. 1N3210R
| คุณสมบัติสินค้า |  |
 |
|
|
|---|---|---|---|---|
| รุ่นผลิตภัณฑ์ | 1N3210R | 1N3209 | 1N3210 | 1N3212 |
| ผู้ผลิต | Solid State Inc. | GeneSiC Semiconductor | GeneSiC Semiconductor | Solid State Inc. |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | DO-5 | DO-5 | DO-203AB (DO-5) | DO-5 |
| ปัจจุบัน - รั่วไหลย้อนกลับ @ Vr | 10 µA @ 200 V | 10 µA @ 50 V | 10 µA @ 50 V | 10 µA @ 400 V |
| ปัจจุบัน - เฉลี่ย Rectified (ไอโอ) | 40A | 15A | 15A | 40A |
| แรงดันไฟฟ้า - ส่ง (Vf) (สูงสุด) @ หาก | 1.19 V @ 90 A | 1.5 V @ 15 A | 1.5 V @ 15 A | 1.19 V @ 90 A |
| ความเร็ว | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | DO-203AB, DO-5, Stud | DO-203AB, DO-5, Stud | DO-203AB, DO-5, Stud | DO-203AB, DO-5, Stud |
| แรงดันไฟฟ้า - ดีซี (Reverse VR) ที่ (สูงสุด) | 200 V | 100 V | 200 V | 400 V |
| ประเภทการติดตั้ง | Stud Mount | Chassis, Stud Mount | Stud Mount | Stud Mount |
| ชุด | - | - | - | - |
| เทคโนโลยี | Standard, Reverse Polarity | Standard | Standard | Standard |
| บรรจุุภัณฑ์ | Box | Bulk | Bulk | Box |
| อุณหภูมิในการทำงาน - Junction | -65°C ~ 200°C | -65°C ~ 175°C | -65°C ~ 175°C | -65°C ~ 200°C |
| การประจุกระแสไฟ @ Vr, F | - | - | - | - |
1N3209GeneSiC SemiconductorDIODE GEN PURP 100V 15A DO51N3210GeneSiC SemiconductorDIODE GEN PURP 200V 15A DO203AB1N3212Solid State Inc.DIODE GEN PURP 400V 40A DO5
1N3211RMicrochip TechnologySTANDARD RECTIFIER1N3210Microchip TechnologySTANDARD RECTIFIER1N3211RGeneSiC SemiconductorDIODE GEN PURP REV 300V 15A DO51N3210RGeneSiC SemiconductorDIODE GP REV 200V 15A DO203AB1N3208RMicrochip TechnologySTANDARD RECTIFIER1N3209RGeneSiC SemiconductorDIODE GEN PURP REV 100V 15A DO51N3210RMicrochip TechnologySTANDARD RECTIFIER1N3212Microchip TechnologySTANDARD RECTIFIER1N3211GeneSiC SemiconductorDIODE GEN PURP 300V 15A DO51N3210Solid State Inc.DIODE GEN PURP 200V 40A DO51N3209RMicrochip TechnologySTANDARD RECTIFIER1N3211RSolid State Inc.DIODE GEN PURP REV 300V 40A DO51N3209Microchip TechnologySTANDARD RECTIFIER1N3209Solid State Inc.DIODE GEN PURP 100V 40A DO51N3211Solid State Inc.DIODE GEN PURP 300V 40A DO5| การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป | ||
|---|---|---|
| ภูมิภาค | ประเทศ | เวลาโลจิสติก (วัน) |
| อเมริกา | สหรัฐ | 5 |
| บราซิล | 7 | |
| ยุโรป | ประเทศเยอรมนี | 5 |
| ประเทศอังกฤษ | 4 | |
| อิตาลี | 5 | |
| มหาสมุทร | ออสเตรเลีย | 6 |
| นิวซีแลนด์ | 5 | |
| เอเชีย | อินเดีย | 4 |
| ประเทศญี่ปุ่น | 4 | |
| ตะวันออกกลาง | ประเทศอิสราเอล | 6 |
| อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx | |
|---|---|
| ค่าจัดส่ง (กก.) | DHL อ้างอิง (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
ต้องการราคาที่ดีกว่า? เพิ่มลงใน CART และ ส่ง RFQ ตอนนี้เราจะติดต่อคุณทันที