ข้อกำหนดด้านเทคโนโลยี 1N3211R
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิคของ Solid State Inc. - 1N3211R คุณลักษณะพารามิเตอร์และชิ้นส่วนที่มีข้อกำหนดที่คล้ายกันกับ Solid State Inc. - 1N3211R
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| ผู้ผลิต | Solid State Inc. | |
| แรงดันไฟฟ้า - ส่ง (Vf) (สูงสุด) @ หาก | 1.19 V @ 90 A | |
| แรงดันไฟฟ้า - ดีซี (Reverse VR) ที่ (สูงสุด) | 300 V | |
| เทคโนโลยี | Standard, Reverse Polarity | |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | DO-5 | |
| ความเร็ว | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) | |
| ชุด | - |
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | DO-203AB, DO-5, Stud | |
| บรรจุุภัณฑ์ | Box | |
| อุณหภูมิในการทำงาน - Junction | -65°C ~ 200°C | |
| ประเภทการติดตั้ง | Stud Mount | |
| ปัจจุบัน - รั่วไหลย้อนกลับ @ Vr | 10 µA @ 300 V | |
| ปัจจุบัน - เฉลี่ย Rectified (ไอโอ) | 40A | |
| การประจุกระแสไฟ @ Vr, F | - |
3 ส่วนด้านขวามีขนาดที่คล้ายกับ Solid State Inc. 1N3211R
| คุณสมบัติสินค้า |  |
|
 |
 |
|---|---|---|---|---|
| รุ่นผลิตภัณฑ์ | 1N3211R | 1N3212R | 1N3210 | 1N3210R |
| ผู้ผลิต | Solid State Inc. | Solid State Inc. | GeneSiC Semiconductor | Microchip Technology |
| บรรจุุภัณฑ์ | Box | Box | Bulk | Bulk |
| ปัจจุบัน - เฉลี่ย Rectified (ไอโอ) | 40A | 40A | 15A | 40A |
| อุณหภูมิในการทำงาน - Junction | -65°C ~ 200°C | -65°C ~ 200°C | -65°C ~ 175°C | -65°C ~ 200°C |
| การประจุกระแสไฟ @ Vr, F | - | - | - | - |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | DO-5 | DO-5 | DO-203AB (DO-5) | DO-203AB (DO-5) |
| แรงดันไฟฟ้า - ดีซี (Reverse VR) ที่ (สูงสุด) | 300 V | 400 V | 200 V | 200 V |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | DO-203AB, DO-5, Stud | DO-203AB, DO-5, Stud | DO-203AB, DO-5, Stud | DO-203AB, DO-5, Stud |
| ปัจจุบัน - รั่วไหลย้อนกลับ @ Vr | 10 µA @ 300 V | 10 µA @ 400 V | 10 µA @ 50 V | 10 µA @ 200 V |
| ความเร็ว | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
| ชุด | - | - | - | - |
| แรงดันไฟฟ้า - ส่ง (Vf) (สูงสุด) @ หาก | 1.19 V @ 90 A | 1.19 V @ 90 A | 1.5 V @ 15 A | 1.19 V @ 90 A |
| ประเภทการติดตั้ง | Stud Mount | Stud Mount | Stud Mount | Stud Mount |
| เทคโนโลยี | Standard, Reverse Polarity | Standard, Reverse Polarity | Standard | Standard, Reverse Polarity |
1N3212RSolid State Inc.DIODE GEN PURP REV 400V 40A DO51N3210GeneSiC SemiconductorDIODE GEN PURP 200V 15A DO203AB1N3210RMicrochip TechnologySTANDARD RECTIFIER1N3210Microchip TechnologySTANDARD RECTIFIER1N3211GeneSiC SemiconductorDIODE GEN PURP 300V 15A DO51N3210RSolid State Inc.DIODE GEN PURP REV 200V 40A DO51N3211RMicrochip TechnologySTANDARD RECTIFIER1N3210Solid State Inc.DIODE GEN PURP 200V 40A DO51N3211RGeneSiC SemiconductorDIODE GEN PURP REV 300V 15A DO51N3212Solid State Inc.DIODE GEN PURP 400V 40A DO51N3212RGeneSiC SemiconductorDIODE GEN PURP REV 400V 15A DO51N3213Microchip TechnologySTANDARD RECTIFIER1N3211Solid State Inc.DIODE GEN PURP 300V 40A DO51N3212Microchip TechnologySTANDARD RECTIFIER1N3209RSolid State Inc.DIODE GEN PURP REV 100V 40A DO51N3212RMicrochip TechnologySTANDARD RECTIFIER1N3210RGeneSiC SemiconductorDIODE GP REV 200V 15A DO203AB1N3213GeneSiC SemiconductorDIODE GEN PURP 500V 15A DO5| การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป | ||
|---|---|---|
| ภูมิภาค | ประเทศ | เวลาโลจิสติก (วัน) |
| อเมริกา | สหรัฐ | 5 |
| บราซิล | 7 | |
| ยุโรป | ประเทศเยอรมนี | 5 |
| ประเทศอังกฤษ | 4 | |
| อิตาลี | 5 | |
| มหาสมุทร | ออสเตรเลีย | 6 |
| นิวซีแลนด์ | 5 | |
| เอเชีย | อินเดีย | 4 |
| ประเทศญี่ปุ่น | 4 | |
| ตะวันออกกลาง | ประเทศอิสราเอล | 6 |
| อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx | |
|---|---|
| ค่าจัดส่ง (กก.) | DHL อ้างอิง (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
ต้องการราคาที่ดีกว่า? เพิ่มลงใน CART และ ส่ง RFQ ตอนนี้เราจะติดต่อคุณทันที