ข้อกำหนดด้านเทคโนโลยี 1N3295
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิคของ Solid State Inc. - 1N3295 คุณลักษณะพารามิเตอร์และชิ้นส่วนที่มีข้อกำหนดที่คล้ายกันกับ Solid State Inc. - 1N3295
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| ผู้ผลิต | Solid State Inc. | |
| แรงดันไฟฟ้า - ส่ง (Vf) (สูงสุด) @ หาก | 1.2 V @ 200 A | |
| แรงดันไฟฟ้า - ดีซี (Reverse VR) ที่ (สูงสุด) | 1000 V | |
| เทคโนโลยี | Standard | |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | DO-8 | |
| ความเร็ว | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) | |
| ชุด | - |
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | DO-205AA, DO-8, Stud | |
| บรรจุุภัณฑ์ | Box | |
| อุณหภูมิในการทำงาน - Junction | -65°C ~ 200°C | |
| ประเภทการติดตั้ง | Stud Mount | |
| ปัจจุบัน - รั่วไหลย้อนกลับ @ Vr | 50 µA @ 1000 V | |
| ปัจจุบัน - เฉลี่ย Rectified (ไอโอ) | 100A | |
| การประจุกระแสไฟ @ Vr, F | - |
3 ส่วนด้านขวามีขนาดที่คล้ายกับ Solid State Inc. 1N3295
| คุณสมบัติสินค้า |  |
 |
|
|
|---|---|---|---|---|
| รุ่นผลิตภัณฑ์ | 1N3295 | 1N3294A | 1N3296 | 1N3294R |
| ผู้ผลิต | Solid State Inc. | Microchip Technology | Solid State Inc. | Solid State Inc. |
| ประเภทการติดตั้ง | Stud Mount | Stud Mount | Stud Mount | Stud Mount |
| การประจุกระแสไฟ @ Vr, F | - | - | - | - |
| เทคโนโลยี | Standard | Standard | Standard | Standard, Reverse Polarity |
| แรงดันไฟฟ้า - ดีซี (Reverse VR) ที่ (สูงสุด) | 1000 V | 800 V | 1200 V | 800 V |
| ความเร็ว | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
| ชุด | - | - | - | - |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | DO-8 | DO-205AA (DO-8) | DO-8 | DO-8 |
| ปัจจุบัน - รั่วไหลย้อนกลับ @ Vr | 50 µA @ 1000 V | 13 mA @ 800 V | 50 µA @ 1200 V | 50 µA @ 800 V |
| ปัจจุบัน - เฉลี่ย Rectified (ไอโอ) | 100A | 100A | 100A | 100A |
| บรรจุุภัณฑ์ | Box | Bulk | Box | Box |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | DO-205AA, DO-8, Stud | DO-205AA, DO-8, Stud | DO-205AA, DO-8, Stud | DO-205AA, DO-8, Stud |
| แรงดันไฟฟ้า - ส่ง (Vf) (สูงสุด) @ หาก | 1.2 V @ 200 A | 1.1 V @ 200 A | 1.2 V @ 200 A | 1.2 V @ 200 A |
| อุณหภูมิในการทำงาน - Junction | -65°C ~ 200°C | -65°C ~ 200°C | -65°C ~ 200°C | -65°C ~ 200°C |
1N3294AMicrochip TechnologyDIODE GEN PURP 800V 100A DO205AA1N3296Solid State Inc.DIODE GEN PURP 1.2KV 100A DO81N3294RSolid State Inc.DIODE GEN PURP REV 800V 100A DO8
1N3294ARPowerex Inc.DIODE GP REV 800V 100A DO205AA1N3296AMicrochip TechnologySTANDARD RECTIFIER
1N3296ARGeneSiC SemiconductorDIODE GP REV 1.2KV 100A DO205AA1N3294APowerex Inc.DIODE GEN PURP 800V 100A DO205AA1N3296ASolid State Inc.DIODE GEN PURP 1.2KV 100A DO81N3295Microchip TechnologySTANDARD RECTIFIER1N3294RMicrochip TechnologySTANDARD RECTIFIER1N3294AGeneSiC SemiconductorDIODE GEN PURP 800V 100A DO205AA1N3296Microchip TechnologySTANDARD RECTIFIER1N3296AGeneSiC SemiconductorDIODE GP 1.2KV 100A DO205AA1N3294RASolid State Inc.DIODE GEN PURP REV 800V 150A DO81N3296APowerex Inc.DIODE GP 1.2KV 100A DO205AA1N3294ARGeneSiC SemiconductorDIODE GP REV 800V 100A DO205AA1N3296ARMicrochip TechnologySTANDARD RECTIFIER1N3294ARMicrochip TechnologyDIODE GEN PURP 800V 100A DO205AA| การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป | ||
|---|---|---|
| ภูมิภาค | ประเทศ | เวลาโลจิสติก (วัน) |
| อเมริกา | สหรัฐ | 5 |
| บราซิล | 7 | |
| ยุโรป | ประเทศเยอรมนี | 5 |
| ประเทศอังกฤษ | 4 | |
| อิตาลี | 5 | |
| มหาสมุทร | ออสเตรเลีย | 6 |
| นิวซีแลนด์ | 5 | |
| เอเชีย | อินเดีย | 4 |
| ประเทศญี่ปุ่น | 4 | |
| ตะวันออกกลาง | ประเทศอิสราเอล | 6 |
| อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx | |
|---|---|
| ค่าจัดส่ง (กก.) | DHL อ้างอิง (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
ต้องการราคาที่ดีกว่า? เพิ่มลงใน CART และ ส่ง RFQ ตอนนี้เราจะติดต่อคุณทันที