ข้อกำหนดด้านเทคโนโลยี 1N3620R
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิคของ Solid State Inc. - 1N3620R คุณลักษณะพารามิเตอร์และชิ้นส่วนที่มีข้อกำหนดที่คล้ายกันกับ Solid State Inc. - 1N3620R
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| ผู้ผลิต | Solid State Inc. | |
| แรงดันไฟฟ้า - ส่ง (Vf) (สูงสุด) @ หาก | 1.2 V @ 50 A | |
| แรงดันไฟฟ้า - ดีซี (Reverse VR) ที่ (สูงสุด) | 400 V | |
| เทคโนโลยี | Standard | |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | DO-4 | |
| ความเร็ว | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) | |
| ชุด | - |
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | DO-203AA, DO-4, Stud | |
| บรรจุุภัณฑ์ | Box | |
| อุณหภูมิในการทำงาน - Junction | -65°C ~ 200°C | |
| ประเภทการติดตั้ง | Stud Mount | |
| ปัจจุบัน - รั่วไหลย้อนกลับ @ Vr | 1.5 µA @ 400 V | |
| ปัจจุบัน - เฉลี่ย Rectified (ไอโอ) | 16A | |
| การประจุกระแสไฟ @ Vr, F | - |
3 ส่วนด้านขวามีขนาดที่คล้ายกับ Solid State Inc. 1N3620R
| คุณสมบัติสินค้า |  |
 |
|
|
|---|---|---|---|---|
| รุ่นผลิตภัณฑ์ | 1N3620R | 1N3620 | 1N3623 | 1N3622 |
| ผู้ผลิต | Solid State Inc. | Microchip Technology | Microchip Technology | Solid State Inc. |
| บรรจุุภัณฑ์ | Box | Bulk | Bulk | Box |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | DO-203AA, DO-4, Stud | DO-203AA, DO-4, Stud | DO-203AA, DO-4, Stud | DO-203AA, DO-4, Stud |
| การประจุกระแสไฟ @ Vr, F | - | - | - | - |
| ความเร็ว | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
| เทคโนโลยี | Standard | Standard | Standard | Standard |
| อุณหภูมิในการทำงาน - Junction | -65°C ~ 200°C | -65°C ~ 200°C | -65°C ~ 200°C | -65°C ~ 200°C |
| แรงดันไฟฟ้า - ส่ง (Vf) (สูงสุด) @ หาก | 1.2 V @ 50 A | 1.1 V @ 30 A | 1 V @ 30 A | 1.2 V @ 50 A |
| ปัจจุบัน - เฉลี่ย Rectified (ไอโอ) | 16A | 25A | 16A | 16A |
| แรงดันไฟฟ้า - ดีซี (Reverse VR) ที่ (สูงสุด) | 400 V | 400 V | 800 V | 600 V |
| ประเภทการติดตั้ง | Stud Mount | Stud Mount | Stud Mount | Stud Mount |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | DO-4 | DO-203AA (DO-4) | DO-4 (DO-203AA) | DO-4 |
| ชุด | - | - | - | - |
| ปัจจุบัน - รั่วไหลย้อนกลับ @ Vr | 1.5 µA @ 400 V | 10 µA @ 400 V | 10 µA @ 800 V | 1 mA @ 600 V |
ดาวน์โหลดแผ่นข้อมูล 1N3620R PDF และเอกสาร Solid State Inc. สำหรับ 1N3620R - Solid State Inc.
1N3620Microchip TechnologyDIODE GEN PURP 400V 25A DO203AA1N3623Microchip TechnologyDIODE GEN PURP 800V 16A DO41N3622Solid State Inc.DIODE GEN PURP 600V 16A DO41N3619RSolid State Inc.DIODE GEN PURP 300V 16A DO41N3619Solid State Inc.DIODE GEN PURP 300V 16A DO41N3621RSolid State Inc.DIODE GEN PURP 500V 16A DO41N3621Microchip TechnologyDIODE GEN PURP 500V 16A DO41N3622Microchip TechnologyDIODE GEN PURP 600V 16A DO41N3621Solid State Inc.DIODE GEN PURP 500V 16A DO41N3618Solid State Inc.DIODE GEN PURP 200V 16A DO41N3622RMicrochip TechnologyDIODE GEN PURP 600V 16A DO41N3618RSolid State Inc.DIODE GEN PURP 200V 16A DO41N3623Solid State Inc.DIODE GEN PURP 800V 16A DO41N3622RSolid State Inc.DIODE GEN PURP 600V 16A DO41N3618Microchip TechnologyDIODE GEN PURP 200V 16A DO41N3620Solid State Inc.DIODE GEN PURP 400V 16A DO41N3617Microchip TechnologyDIODE GEN PURP 150V 16A DO41N3619Microchip TechnologyDIODE GEN PURP 300V 25A DO4| การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป | ||
|---|---|---|
| ภูมิภาค | ประเทศ | เวลาโลจิสติก (วัน) |
| อเมริกา | สหรัฐ | 5 |
| บราซิล | 7 | |
| ยุโรป | ประเทศเยอรมนี | 5 |
| ประเทศอังกฤษ | 4 | |
| อิตาลี | 5 | |
| มหาสมุทร | ออสเตรเลีย | 6 |
| นิวซีแลนด์ | 5 | |
| เอเชีย | อินเดีย | 4 |
| ประเทศญี่ปุ่น | 4 | |
| ตะวันออกกลาง | ประเทศอิสราเอล | 6 |
| อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx | |
|---|---|
| ค่าจัดส่ง (กก.) | DHL อ้างอิง (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
ต้องการราคาที่ดีกว่า? เพิ่มลงใน CART และ ส่ง RFQ ตอนนี้เราจะติดต่อคุณทันที