ข้อกำหนดด้านเทคโนโลยี 1N3624R
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิคของ Solid State Inc. - 1N3624R คุณลักษณะพารามิเตอร์และชิ้นส่วนที่มีข้อกำหนดที่คล้ายกันกับ Solid State Inc. - 1N3624R
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| ผู้ผลิต | Solid State Inc. | |
| แรงดันไฟฟ้า - ส่ง (Vf) (สูงสุด) @ หาก | 1.2 V @ 50 A | |
| แรงดันไฟฟ้า - ดีซี (Reverse VR) ที่ (สูงสุด) | 1000 V | |
| เทคโนโลยี | Standard | |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | DO-4 | |
| ความเร็ว | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) | |
| ชุด | - |
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | DO-203AA, DO-4, Stud | |
| บรรจุุภัณฑ์ | Box | |
| อุณหภูมิในการทำงาน - Junction | -65°C ~ 200°C | |
| ประเภทการติดตั้ง | Stud Mount | |
| ปัจจุบัน - รั่วไหลย้อนกลับ @ Vr | 600 µA @ 1000 V | |
| ปัจจุบัน - เฉลี่ย Rectified (ไอโอ) | 16A | |
| การประจุกระแสไฟ @ Vr, F | - |
3 ส่วนด้านขวามีขนาดที่คล้ายกับ Solid State Inc. 1N3624R
| คุณสมบัติสินค้า |  |
 |
|
|
|---|---|---|---|---|
| รุ่นผลิตภัณฑ์ | 1N3624R | 1N3650R | 1N3622 | 1N3623R |
| ผู้ผลิต | Solid State Inc. | Microchip Technology | Microchip Technology | Solid State Inc. |
| แรงดันไฟฟ้า - ดีซี (Reverse VR) ที่ (สูงสุด) | 1000 V | 1000 V | 600 V | 800 V |
| ประเภทการติดตั้ง | Stud Mount | Stud Mount | Stud Mount | Stud Mount |
| อุณหภูมิในการทำงาน - Junction | -65°C ~ 200°C | - | -65°C ~ 200°C | -65°C ~ 200°C |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | DO-203AA, DO-4, Stud | DO-203AA, DO-4, Stud | DO-203AA, DO-4, Stud | DO-203AA, DO-4, Stud |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | DO-4 | DO-203AA (DO-4) | DO-4 (DO-203AA) | DO-4 |
| ชุด | - | Military, MIL-PRF-19500/260 | - | - |
| ความเร็ว | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
| แรงดันไฟฟ้า - ส่ง (Vf) (สูงสุด) @ หาก | 1.2 V @ 50 A | 2.2 V @ 10 A | 1 V @ 30 A | 1.2 V @ 50 A |
| บรรจุุภัณฑ์ | Box | Bulk | Bulk | Box |
| ปัจจุบัน - รั่วไหลย้อนกลับ @ Vr | 600 µA @ 1000 V | 5 µA @ 1000 V | 10 µA @ 600 V | 750 µA @ 800 V |
| การประจุกระแสไฟ @ Vr, F | - | - | - | - |
| ปัจจุบัน - เฉลี่ย Rectified (ไอโอ) | 16A | 3.3A | 16A | 16A |
| เทคโนโลยี | Standard | Standard | Standard | Standard |
ดาวน์โหลดแผ่นข้อมูล 1N3624R PDF และเอกสาร Solid State Inc. สำหรับ 1N3624R - Solid State Inc.
1N3650RMicrochip TechnologyDIODE GEN PURP DO203AA1N3622Microchip TechnologyDIODE GEN PURP 600V 16A DO41N3623RSolid State Inc.DIODE GEN PURP 800V 16A DO41N3650Microchip TechnologyDIODE GEN PURP DO203AA1N3649Microchip TechnologyDIODE GEN PURP 800V DO203AA1N3650Solid State Inc.DIODE GEN PURP 1KV 3.3A DO41N3650RSolid State Inc.DIODE GEN PURP REV 1KV 3.3A DO41N3623Microchip TechnologyDIODE GEN PURP 800V 16A DO41N3623Solid State Inc.DIODE GEN PURP 800V 16A DO41N3624Microchip TechnologyDIODE GEN PURP 1KV 16A DO41N3622RSolid State Inc.DIODE GEN PURP 600V 16A DO41N3649RSolid State Inc.DIODE GEN PURP REV 800V 3.3A DO41N3624RMicrochip TechnologyDIODE GEN PURP 1KV 25A DO41N3623RMicrochip TechnologyDIODE GEN PURP 800V 16A DO41N3622RMicrochip TechnologyDIODE GEN PURP 600V 16A DO41N3624Solid State Inc.DIODE GEN PURP 1KV 16A DO41N3649RMicrochip TechnologyDIODE GEN PURP 800V DO203AA1N3649Solid State Inc.DIODE GEN PURP 800V 3.3A DO4| การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป | ||
|---|---|---|
| ภูมิภาค | ประเทศ | เวลาโลจิสติก (วัน) |
| อเมริกา | สหรัฐ | 5 |
| บราซิล | 7 | |
| ยุโรป | ประเทศเยอรมนี | 5 |
| ประเทศอังกฤษ | 4 | |
| อิตาลี | 5 | |
| มหาสมุทร | ออสเตรเลีย | 6 |
| นิวซีแลนด์ | 5 | |
| เอเชีย | อินเดีย | 4 |
| ประเทศญี่ปุ่น | 4 | |
| ตะวันออกกลาง | ประเทศอิสราเอล | 6 |
| อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx | |
|---|---|
| ค่าจัดส่ง (กก.) | DHL อ้างอิง (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
ต้องการราคาที่ดีกว่า? เพิ่มลงใน CART และ ส่ง RFQ ตอนนี้เราจะติดต่อคุณทันที