ข้อกำหนดด้านเทคโนโลยี 1N4055R
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิคของ Solid State Inc. - 1N4055R คุณลักษณะพารามิเตอร์และชิ้นส่วนที่มีข้อกำหนดที่คล้ายกันกับ Solid State Inc. - 1N4055R
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| ผู้ผลิต | Solid State Inc. | |
| แรงดันไฟฟ้า - ส่ง (Vf) (สูงสุด) @ หาก | 1.3 V @ 300 A | |
| แรงดันไฟฟ้า - ดีซี (Reverse VR) ที่ (สูงสุด) | 900 V | |
| เทคโนโลยี | Standard, Reverse Polarity | |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | DO-9 | |
| ความเร็ว | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) | |
| ชุด | - |
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | DO-205AB, DO-9, Stud | |
| บรรจุุภัณฑ์ | Box | |
| อุณหภูมิในการทำงาน - Junction | -65°C ~ 190°C | |
| ประเภทการติดตั้ง | Stud Mount | |
| ปัจจุบัน - รั่วไหลย้อนกลับ @ Vr | 75 µA @ 900 V | |
| ปัจจุบัน - เฉลี่ย Rectified (ไอโอ) | 275A | |
| การประจุกระแสไฟ @ Vr, F | - |
3 ส่วนด้านขวามีขนาดที่คล้ายกับ Solid State Inc. 1N4055R
| คุณสมบัติสินค้า |  |
|
|
 |
|---|---|---|---|---|
| รุ่นผลิตภัณฑ์ | 1N4055R | 1N4053R | 1N4055 | 1N4054 |
| ผู้ผลิต | Solid State Inc. | Solid State Inc. | Solid State Inc. | Microchip Technology |
| แรงดันไฟฟ้า - ส่ง (Vf) (สูงสุด) @ หาก | 1.3 V @ 300 A | 1.3 V @ 300 A | 1.3 V @ 300 A | 1.3 V @ 300 A |
| ปัจจุบัน - รั่วไหลย้อนกลับ @ Vr | 75 µA @ 900 V | 75 µA @ 700 V | 75 µA @ 900 V | 75 µA @ 800 V |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | DO-9 | DO-9 | DO-9 | DO-205AB (DO-9) |
| เทคโนโลยี | Standard, Reverse Polarity | Standard, Reverse Polarity | Standard | Standard |
| ปัจจุบัน - เฉลี่ย Rectified (ไอโอ) | 275A | 275A | 275A | 275A |
| บรรจุุภัณฑ์ | Box | Box | Box | Bulk |
| อุณหภูมิในการทำงาน - Junction | -65°C ~ 190°C | -65°C ~ 190°C | -65°C ~ 190°C | -65°C ~ 190°C |
| แรงดันไฟฟ้า - ดีซี (Reverse VR) ที่ (สูงสุด) | 900 V | 700 V | 900 V | 800 V |
| ชุด | - | - | - | - |
| ประเภทการติดตั้ง | Stud Mount | Stud Mount | Stud Mount | Stud Mount |
| การประจุกระแสไฟ @ Vr, F | - | - | - | - |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | DO-205AB, DO-9, Stud | DO-205AB, DO-9, Stud | DO-205AB, DO-9, Stud | DO-205AB, DO-9, Stud |
| ความเร็ว | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
ดาวน์โหลดแผ่นข้อมูล 1N4055R PDF และเอกสาร Solid State Inc. สำหรับ 1N4055R - Solid State Inc.
1N4053RSolid State Inc.DIODE GEN PURP REV 700V 275A DO91N4055Solid State Inc.DIODE GEN PURP 900V 275A DO9
1N4104Microchip TechnologyDIODE ZENER1N4054Microchip TechnologyDIODE GP 800V 275A DO205AB DO9
1N4056Powerex Inc.DIODE GP 1KV 275A DO205AB DO91N4054Solid State Inc.DIODE GEN PURP 800V 275A DO91N4112-1Microchip TechnologyZENER DIODE1N4056RPowerex Inc.DIODE GP REV 1KV 275A DO205AB1N4056RMicrochip TechnologyDIODE GP REV 1KV 275A DO205AB1N4055RPowerex Inc.DIODE GP REV 900V 275A DO205AB1N4055RMicrochip TechnologyDIODE GP REV 900V 275A DO205AB1N4053RPowerex Inc.DIODE GP REV 700V 275A DO205AB1N4056Microchip TechnologyDIODE GP 1KV 275A DO205AB DO91N4056Solid State Inc.DIODE GEN PURP 1KV 275A DO91N4055Microchip TechnologyDIODE GP 900V 275A DO205AB DO91N4054Powerex Inc.DIODE GP 800V 275A DO205AB DO91N4055Powerex Inc.DIODE GP 900V 275A DO205AB DO91N4053RMicrochip TechnologyDIODE GP REV 700V 275A DO205AB| การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป | ||
|---|---|---|
| ภูมิภาค | ประเทศ | เวลาโลจิสติก (วัน) |
| อเมริกา | สหรัฐ | 5 |
| บราซิล | 7 | |
| ยุโรป | ประเทศเยอรมนี | 5 |
| ประเทศอังกฤษ | 4 | |
| อิตาลี | 5 | |
| มหาสมุทร | ออสเตรเลีย | 6 |
| นิวซีแลนด์ | 5 | |
| เอเชีย | อินเดีย | 4 |
| ประเทศญี่ปุ่น | 4 | |
| ตะวันออกกลาง | ประเทศอิสราเอล | 6 |
| อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx | |
|---|---|
| ค่าจัดส่ง (กก.) | DHL อ้างอิง (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
ต้องการราคาที่ดีกว่า? เพิ่มลงใน CART และ ส่ง RFQ ตอนนี้เราจะติดต่อคุณทันที