ข้อกำหนดด้านเทคโนโลยี 1N5552
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิคของ Solid State Inc. - 1N5552 คุณลักษณะพารามิเตอร์และชิ้นส่วนที่มีข้อกำหนดที่คล้ายกันกับ Solid State Inc. - 1N5552
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| ผู้ผลิต | Solid State Inc. | |
| แรงดันไฟฟ้า - ส่ง (Vf) (สูงสุด) @ หาก | 1 V @ 3 A | |
| แรงดันไฟฟ้า - ดีซี (Reverse VR) ที่ (สูงสุด) | 600 V | |
| เทคโนโลยี | Standard | |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | Axial | |
| ความเร็ว | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) | |
| ชุด | - | |
| ย้อนกลับเวลาการกู้คืน (TRR) | 2 µs |
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | Axial | |
| บรรจุุภัณฑ์ | Box | |
| อุณหภูมิในการทำงาน - Junction | -65°C ~ 200°C | |
| ประเภทการติดตั้ง | Through Hole | |
| ปัจจุบัน - รั่วไหลย้อนกลับ @ Vr | 1 µA @ 600 V | |
| ปัจจุบัน - เฉลี่ย Rectified (ไอโอ) | 3A | |
| การประจุกระแสไฟ @ Vr, F | 100pF @ 12V, 1MHz |
3 ส่วนด้านขวามีขนาดที่คล้ายกับ Solid State Inc. 1N5552
| คุณสมบัติสินค้า | |
 |
 |
|
|---|---|---|---|---|
| รุ่นผลิตภัณฑ์ | 1N5552 | 1N5551 | 1N5618 | 1N5615 |
| ผู้ผลิต | Solid State Inc. | Microchip Technology | Microchip Technology | Microchip Technology |
| การประจุกระแสไฟ @ Vr, F | 100pF @ 12V, 1MHz | - | - | 45pF @ 12V, 1MHz |
| แรงดันไฟฟ้า - ดีซี (Reverse VR) ที่ (สูงสุด) | 600 V | 400 V | 600 V | 200 V |
| ย้อนกลับเวลาการกู้คืน (TRR) | 2 µs | 2 µs | 2 µs | 150 ns |
| ความเร็ว | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| อุณหภูมิในการทำงาน - Junction | -65°C ~ 200°C | -65°C ~ 175°C | -65°C ~ 200°C | -65°C ~ 175°C |
| เทคโนโลยี | Standard | Standard | Standard | Standard |
| ชุด | - | - | - | - |
| ปัจจุบัน - เฉลี่ย Rectified (ไอโอ) | 3A | 3A | 1A | 1A |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | Axial | B, Axial | A, Axial | A, Axial |
| แรงดันไฟฟ้า - ส่ง (Vf) (สูงสุด) @ หาก | 1 V @ 3 A | 1.2 V @ 9 A | 1.3 V @ 3 A | 1.6 V @ 3 A |
| ประเภทการติดตั้ง | Through Hole | Through Hole | Through Hole | Through Hole |
| บรรจุุภัณฑ์ | Box | Bulk | Bulk | Bulk |
| ปัจจุบัน - รั่วไหลย้อนกลับ @ Vr | 1 µA @ 600 V | 1 µA @ 400 V | 500 nA @ 600 V | 500 nA @ 200 V |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | Axial | B, Axial | A, Axial | A, Axial |
ดาวน์โหลดแผ่นข้อมูล 1N5552 PDF และเอกสาร Solid State Inc. สำหรับ 1N5552 - Solid State Inc.
1N5521BMicrochip TechnologyDIODE ZENER1N5554JTXMOTO
1N5525BUR-1Microchip TechnologyZENER DIODE1N5551Microchip TechnologyDIODE GEN PURP 400V 3A AXIAL1N5524BMicrochip TechnologyDIODE ZENER1N5618Microchip TechnologyDIODE GEN PURP 600V 1A AXIAL
1N5448AMicro Connectors, Inc.
1N5557Microchip TechnologyTVS DIODE 49VWM 78.5VC DO131N5615Microchip TechnologyDIODE GEN PURP 200V 1A AXIAL1N5418USMicrochip TechnologyDIODE GEN PURP 400V 3A D-5B1N5551Solid State Inc.DIODE GEN PURP 400V 3A AXIAL
1N5450BAMI Semiconductor/onsemi1N5617Microchip TechnologyDIODE GEN PURP 400V 1A AXIAL
1N5620USJANTXMicrosemi
1N5615GP-E3-4Electro-Films (EFI) / Vishay1N5552Microchip TechnologyDIODE GEN PURP 600V 3A AXIAL1N5619Microchip TechnologyDIODE GEN PURP 600V 1A AXIAL1N5523BMicrochip TechnologyZENER DIODE| การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป | ||
|---|---|---|
| ภูมิภาค | ประเทศ | เวลาโลจิสติก (วัน) |
| อเมริกา | สหรัฐ | 5 |
| บราซิล | 7 | |
| ยุโรป | ประเทศเยอรมนี | 5 |
| ประเทศอังกฤษ | 4 | |
| อิตาลี | 5 | |
| มหาสมุทร | ออสเตรเลีย | 6 |
| นิวซีแลนด์ | 5 | |
| เอเชีย | อินเดีย | 4 |
| ประเทศญี่ปุ่น | 4 | |
| ตะวันออกกลาง | ประเทศอิสราเอล | 6 |
| อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx | |
|---|---|
| ค่าจัดส่ง (กก.) | DHL อ้างอิง (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
ต้องการราคาที่ดีกว่า? โปรด เพิ่มลงในรถเข็น เราจะติดต่อคุณทันที