ข้อกำหนดด้านเทคโนโลยี 1N5815
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิคของ Solid State Inc. - 1N5815 คุณลักษณะพารามิเตอร์และชิ้นส่วนที่มีข้อกำหนดที่คล้ายกันกับ Solid State Inc. - 1N5815
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| ผู้ผลิต | Solid State Inc. | |
| แรงดันไฟฟ้า - ส่ง (Vf) (สูงสุด) @ หาก | 900 mV @ 10 A | |
| แรงดันไฟฟ้า - ดีซี (Reverse VR) ที่ (สูงสุด) | 125 V | |
| เทคโนโลยี | Standard | |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | DO-4 | |
| ความเร็ว | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | |
| ชุด | - | |
| ย้อนกลับเวลาการกู้คืน (TRR) | 35 ns |
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | DO-203AA, DO-4, Stud | |
| บรรจุุภัณฑ์ | Box | |
| อุณหภูมิในการทำงาน - Junction | -65°C ~ 175°C | |
| ประเภทการติดตั้ง | Stud Mount | |
| ปัจจุบัน - รั่วไหลย้อนกลับ @ Vr | 10 µA @ 125 V | |
| ปัจจุบัน - เฉลี่ย Rectified (ไอโอ) | 20A | |
| การประจุกระแสไฟ @ Vr, F | - |
3 ส่วนด้านขวามีขนาดที่คล้ายกับ Solid State Inc. 1N5815
| คุณสมบัติสินค้า |  |
 |
|
|
|---|---|---|---|---|
| รุ่นผลิตภัณฑ์ | 1N5815 | 1N5814R | 1N5816 | 1N5816R |
| ผู้ผลิต | Solid State Inc. | Microchip Technology | Microchip Technology | Solid State Inc. |
| แรงดันไฟฟ้า - ดีซี (Reverse VR) ที่ (สูงสุด) | 125 V | 100 V | 150 V | 150 V |
| อุณหภูมิในการทำงาน - Junction | -65°C ~ 175°C | -65°C ~ 175°C | -65°C ~ 175°C | -65°C ~ 175°C |
| ชุด | - | MILITARY, MIL-PRF-19500/478 | - | - |
| แรงดันไฟฟ้า - ส่ง (Vf) (สูงสุด) @ หาก | 900 mV @ 10 A | 950 mV @ 20 A | 950 mV @ 20 A | 900 mV @ 10 A |
| ประเภทการติดตั้ง | Stud Mount | Stud Mount | Stud Mount | Stud Mount |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | DO-203AA, DO-4, Stud | DO-203AA, DO-4, Stud | DO-203AA, DO-4, Stud | DO-203AA, DO-4, Stud |
| บรรจุุภัณฑ์ | Box | Bulk | Bulk | Box |
| ความเร็ว | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | DO-4 | DO-203AA (DO-4) | DO-203AA (DO-4) | DO-4 |
| ย้อนกลับเวลาการกู้คืน (TRR) | 35 ns | 35 ns | 35 ns | 35 ns |
| ปัจจุบัน - เฉลี่ย Rectified (ไอโอ) | 20A | 20A | 20A | 20A |
| เทคโนโลยี | Standard | Standard | Standard | Standard |
| ปัจจุบัน - รั่วไหลย้อนกลับ @ Vr | 10 µA @ 125 V | 10 µA @ 100 V | 10 µA @ 150 V | 10 µA @ 150 V |
| การประจุกระแสไฟ @ Vr, F | - | 300pF @ 10V, 1MHz | 300pF @ 10V, 1MHz | - |
ดาวน์โหลดแผ่นข้อมูล 1N5815 PDF และเอกสาร Solid State Inc. สำหรับ 1N5815 - Solid State Inc.
1N5814RMicrochip TechnologyDIODE GEN PURP 100V 20A DO203AA1N5816Microchip TechnologyRECTIFIER DIODE1N5816RSolid State Inc.DIODE GEN PURP 150V 20A DO41N5814Solid State Inc.DIODE GEN PURP 100V 20A DO4
1N5817Taiwan Semiconductor CorporationDIODE SCHOTTKY 20V 1A DO204AL1N5816RMicrochip TechnologyDIODE GEN PURP 150V 20A DO203AA
1N5817STMicroelectronicsDIODE SCHOTTKY 20V 1A DO411N5815Microchip TechnologyRECTIFIER DIODE1N5816Solid State Inc.DIODE GEN PURP 150V 20A DO41N5815RMicrochip TechnologyRECTIFIER DIODE1N5815RSolid State Inc.DIODE GEN PURP 125V 20A DO41N5812RMicrochip TechnologyDIODE GEN PURP 50V 20A DO203AA1N5812Solid State Inc.DIODE GEN PURP 50V 20A DO41N5812Microchip TechnologyDIODE GEN PURP 50V 20A DO203AA1N5814Microchip TechnologyDIODE GEN PURP 100V 20A DO203AA1N5813Solid State Inc.DIODE GEN PURP 75V 20A DO41N5813RMicrochip TechnologyDIODE GEN PURP 75V 20A DO203AA1N5814RSolid State Inc.DIODE GEN PURP 100V 20A DO4| การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป | ||
|---|---|---|
| ภูมิภาค | ประเทศ | เวลาโลจิสติก (วัน) |
| อเมริกา | สหรัฐ | 5 |
| บราซิล | 7 | |
| ยุโรป | ประเทศเยอรมนี | 5 |
| ประเทศอังกฤษ | 4 | |
| อิตาลี | 5 | |
| มหาสมุทร | ออสเตรเลีย | 6 |
| นิวซีแลนด์ | 5 | |
| เอเชีย | อินเดีย | 4 |
| ประเทศญี่ปุ่น | 4 | |
| ตะวันออกกลาง | ประเทศอิสราเอล | 6 |
| อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx | |
|---|---|
| ค่าจัดส่ง (กก.) | DHL อ้างอิง (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
ต้องการราคาที่ดีกว่า? เพิ่มลงใน CART และ ส่ง RFQ ตอนนี้เราจะติดต่อคุณทันที