ข้อกำหนดด้านเทคโนโลยี 1N5259B
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิคของ Taiwan Semiconductor Corporation - 1N5259B คุณลักษณะพารามิเตอร์และชิ้นส่วนที่มีข้อกำหนดที่คล้ายกันกับ Taiwan Semiconductor Corporation - 1N5259B
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| ผู้ผลิต | Taiwan Semiconductor | |
| แรงดันไฟฟ้า - ซีเนอร์ (Nom) (Vz) | 39 V | |
| แรงดันไฟฟ้า - ส่ง (Vf) (สูงสุด) @ หาก | 1.1 V @ 200 mA | |
| ความอดทน | ±5% | |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | DO-35 | |
| ชุด | - | |
| เพาเวอร์ - แม็กซ์ | 500 mW |
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | DO-204AH, DO-35, Axial | |
| บรรจุุภัณฑ์ | Tape & Reel (TR) | |
| อุณหภูมิในการทำงาน | 200°C (TJ) | |
| ประเภทการติดตั้ง | Through Hole | |
| ความต้านทาน (สูงสุด) (ZZT) | 80 Ohms | |
| ปัจจุบัน - รั่วไหลย้อนกลับ @ Vr | 100 nA @ 30 V | |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | 1N5259 |
3 ส่วนด้านขวามีขนาดที่คล้ายกับ Taiwan Semiconductor Corporation 1N5259B
| คุณสมบัติสินค้า |  |
 |
|
 |
|---|---|---|---|---|
| รุ่นผลิตภัณฑ์ | 1N5259B | 1N5256BTR | 1N5261B | 1N5259B-TR |
| ผู้ผลิต | Taiwan Semiconductor Corporation | Fairchild Semiconductor | NTE Electronics, Inc | Vishay General Semiconductor - Diodes Division |
| ความต้านทาน (สูงสุด) (ZZT) | 80 Ohms | 49 Ohms | 105 Ohms | 80 Ohms |
| แรงดันไฟฟ้า - ส่ง (Vf) (สูงสุด) @ หาก | 1.1 V @ 200 mA | 1.2 V @ 200 mA | - | 1.1 V @ 200 mA |
| ชุด | - | - | - | Automotive, AEC-Q101 |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | DO-204AH, DO-35, Axial | DO-204AH, DO-35, Axial | DO-204AH, DO-35, Axial | DO-204AH, DO-35, Axial |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | 1N5259 | 1N5256 | - | 1N5259 |
| อุณหภูมิในการทำงาน | 200°C (TJ) | -65°C ~ 200°C | -65°C ~ 200°C | -65°C ~ 175°C |
| บรรจุุภัณฑ์ | Tape & Reel (TR) | Bulk | Bag | Tape & Reel (TR) |
| แรงดันไฟฟ้า - ซีเนอร์ (Nom) (Vz) | 39 V | 30 V | 47 V | 39 V |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | DO-35 | DO-35 | - | DO-35 (DO-204AH) |
| ประเภทการติดตั้ง | Through Hole | Through Hole | Through Hole | Through Hole |
| ความอดทน | ±5% | ±5% | ±0.5% | ±5% |
| ปัจจุบัน - รั่วไหลย้อนกลับ @ Vr | 100 nA @ 30 V | 100 nA @ 23 V | 100 nA @ 36 V | 100 nA @ 30 V |
| เพาเวอร์ - แม็กซ์ | 500 mW | 500 mW | 500 mW | 500 mW |
ดาวน์โหลดแผ่นข้อมูล 1N5259B PDF และเอกสาร Taiwan Semiconductor Corporation สำหรับ 1N5259B - Taiwan Semiconductor Corporation
1N5256BTRFairchild SemiconductorDIODE ZENER 30V 0.5W 5% UNIDIR1N5261BNTE Electronics, IncDIODE ZENER 47V 500MW1N5259B-TRVishay General Semiconductor - Diodes DivisionDIODE ZENER 39V 500MW DO351N5260B-TVishay General Semiconductor - Diodes DivisionDIODE ZENER 43V 500MW DO35
1N5259BSMC Diode SolutionsDIODE ZENER 39V 500MW DO351N5259BNTE Electronics, IncDIODE ZENER 39V 500MW
1N5257BMicrochip TechnologyZENER DIODE
1N5260B-TDiodes IncorporatedDIODE ZENER 43V 500MW DO351N5257BNTE Electronics, IncDIODE ZENER 33V 500MW1N5261BFairchild SemiconductorDIODE ZENER 47V 500MW DO351N5258B-TRVishay General Semiconductor - Diodes DivisionDIODE ZENER 36V 500MW DO35
1N5261BTaiwan Semiconductor CorporationDO-35, 500MW, 5%, SMALL SIGNAL Z1N5261BMicrochip TechnologyDIODE ZENER
1N5259BonsemiDIODE ZENER 39V 500MW DO351N5257BSMC Diode SolutionsDIODE ZENER 33V 500MW DO351N5257BTaiwan Semiconductor CorporationDO-35, 500MW, 5%, SMALL SIGNAL Z1N5257BonsemiDIODE ZENER 33V 500MW DO351N5259BMicrochip TechnologyDIODE ZENER| การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป | ||
|---|---|---|
| ภูมิภาค | ประเทศ | เวลาโลจิสติก (วัน) |
| อเมริกา | สหรัฐ | 5 |
| บราซิล | 7 | |
| ยุโรป | ประเทศเยอรมนี | 5 |
| ประเทศอังกฤษ | 4 | |
| อิตาลี | 5 | |
| มหาสมุทร | ออสเตรเลีย | 6 |
| นิวซีแลนด์ | 5 | |
| เอเชีย | อินเดีย | 4 |
| ประเทศญี่ปุ่น | 4 | |
| ตะวันออกกลาง | ประเทศอิสราเอล | 6 |
| อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx | |
|---|---|
| ค่าจัดส่ง (กก.) | DHL อ้างอิง (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
ต้องการราคาที่ดีกว่า? เพิ่มลงใน CART และ ส่ง RFQ ตอนนี้เราจะติดต่อคุณทันที