ข้อกำหนดด้านเทคโนโลยี 1N5402G
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิคของ Taiwan Semiconductor Corporation - 1N5402G คุณลักษณะพารามิเตอร์และชิ้นส่วนที่มีข้อกำหนดที่คล้ายกันกับ Taiwan Semiconductor Corporation - 1N5402G
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| ผู้ผลิต | Taiwan Semiconductor | |
| แรงดันไฟฟ้า - ส่ง (Vf) (สูงสุด) @ หาก | 1 V @ 3 A | |
| แรงดันไฟฟ้า - ดีซี (Reverse VR) ที่ (สูงสุด) | 200 V | |
| เทคโนโลยี | Standard | |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | DO-201AD | |
| ความเร็ว | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) | |
| ชุด | - |
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | DO-201AD, Axial | |
| บรรจุุภัณฑ์ | Tape & Reel (TR) | |
| อุณหภูมิในการทำงาน - Junction | -55°C ~ 150°C | |
| ประเภทการติดตั้ง | Through Hole | |
| ปัจจุบัน - รั่วไหลย้อนกลับ @ Vr | 5 µA @ 200 V | |
| ปัจจุบัน - เฉลี่ย Rectified (ไอโอ) | 3A | |
| การประจุกระแสไฟ @ Vr, F | 25pF @ 4V, 1MHz |
3 ส่วนด้านขวามีขนาดที่คล้ายกับ Taiwan Semiconductor Corporation 1N5402G
| คุณสมบัติสินค้า |  |
 |
|
 |
|---|---|---|---|---|
| รุ่นผลิตภัณฑ์ | 1N5402G | 1N5402 | 1N5404 | 1N5402 |
| ผู้ผลิต | Taiwan Semiconductor Corporation | NTE Electronics, Inc | MDD | SMC Diode Solutions |
| ชุด | - | - | DO-27 | - |
| แรงดันไฟฟ้า - ดีซี (Reverse VR) ที่ (สูงสุด) | 200 V | 200 V | 400 V | 200 V |
| แรงดันไฟฟ้า - ส่ง (Vf) (สูงสุด) @ หาก | 1 V @ 3 A | 1.2 V @ 3 A | 1.2 V @ 3 A | 1.2 V @ 3 A |
| ประเภทการติดตั้ง | Through Hole | Through Hole | Through Hole | Through Hole |
| อุณหภูมิในการทำงาน - Junction | -55°C ~ 150°C | -55°C ~ 150°C | -65°C ~ 150°C | -65°C ~ 175°C |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | DO-201AD | DO-201AD | DO-27 (DO-201AD) | DO-201AD |
| ความเร็ว | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) | - | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
| เทคโนโลยี | Standard | Standard | Standard | Standard |
| บรรจุุภัณฑ์ | Tape & Reel (TR) | Bag | Tape & Box (TB) | Cut Tape (CT) |
| การประจุกระแสไฟ @ Vr, F | 25pF @ 4V, 1MHz | 30pF @ 4V, 1MHz | 30pF @ 4V, 1MHz | 30pF @ 4V, 1MHz |
| ปัจจุบัน - รั่วไหลย้อนกลับ @ Vr | 5 µA @ 200 V | 5 µA @ 200 V | - | 5 µA @ 200 V |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | DO-201AD, Axial | DO-201AD, Axial | DO-201AD, Axial | DO-201AD, Axial |
| ปัจจุบัน - เฉลี่ย Rectified (ไอโอ) | 3A | 3A | 3A | 3A |
ดาวน์โหลดแผ่นข้อมูล 1N5402G PDF และเอกสาร Taiwan Semiconductor Corporation สำหรับ 1N5402G - Taiwan Semiconductor Corporation
1N5402NTE Electronics, IncDIODE GEN PURP 200V 3A DO201AD1N5404MDDDIODE GEN PURP 400V 3A DO271N5402SMC Diode SolutionsDIODE GEN PURP 200V 3A DO201AD
1N5403-E3/54Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionDIODE GEN PURP 300V 3A DO201AD
1N5401RLGonsemiDIODE GEN PURP 100V 3A AXIAL1N5402-E3/54Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionDIODE GEN PURP 200V 3A DO201AD1N5402Diotec SemiconductorDIODE GEN PURP 200V 3A DO201
1N5402-TDiodes IncorporatedDIODE GEN PURP 200V 3A DO201AD1N5402RLGonsemiDIODE GEN PURP 200V 3A AXIAL1N5402GonsemiDIODE GEN PURP 200V 3A AXIAL
1N5404Fairchild SemiconductorDIODE GEN PURP 1V 3A DO2011N5403RLGAMI Semiconductor/onsemi1N5404NTE Electronics, IncDIODE GEN PURP 400V 3A DO201AD
1N5402onsemiDIODE GEN PURP 200V 3A DO201AD
1N5402GSMC Diode SolutionsDIODE GEN PURP 200V 3A DO201AD1N5402RLonsemiDIODE GEN PURP 200V 3A AXIAL1N5402Fairchild SemiconductorDIODE GEN PURP 1V 3A DO2011N5402 T/BPANJIT| การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป | ||
|---|---|---|
| ภูมิภาค | ประเทศ | เวลาโลจิสติก (วัน) |
| อเมริกา | สหรัฐ | 5 |
| บราซิล | 7 | |
| ยุโรป | ประเทศเยอรมนี | 5 |
| ประเทศอังกฤษ | 4 | |
| อิตาลี | 5 | |
| มหาสมุทร | ออสเตรเลีย | 6 |
| นิวซีแลนด์ | 5 | |
| เอเชีย | อินเดีย | 4 |
| ประเทศญี่ปุ่น | 4 | |
| ตะวันออกกลาง | ประเทศอิสราเอล | 6 |
| อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx | |
|---|---|
| ค่าจัดส่ง (กก.) | DHL อ้างอิง (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
ต้องการราคาที่ดีกว่า? เพิ่มลงใน CART และ ส่ง RFQ ตอนนี้เราจะติดต่อคุณทันที