ข้อกำหนดด้านเทคโนโลยี BZD27C13P
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิคของ Taiwan Semiconductor Corporation - BZD27C13P คุณลักษณะพารามิเตอร์และชิ้นส่วนที่มีข้อกำหนดที่คล้ายกันกับ Taiwan Semiconductor Corporation - BZD27C13P
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| ผู้ผลิต | Taiwan Semiconductor | |
| แรงดันไฟฟ้า - ซีเนอร์ (Nom) (Vz) | 13.25 V | |
| แรงดันไฟฟ้า - ส่ง (Vf) (สูงสุด) @ หาก | 1.2 V @ 200 mA | |
| ความอดทน | ±6.42% | |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | Sub SMA | |
| ชุด | - | |
| เพาเวอร์ - แม็กซ์ | 1 W |
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | SOD-123 | |
| บรรจุุภัณฑ์ | Tape & Reel (TR) | |
| อุณหภูมิในการทำงาน | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
| ประเภทการติดตั้ง | Surface Mount | |
| ความต้านทาน (สูงสุด) (ZZT) | 10 Ohms | |
| ปัจจุบัน - รั่วไหลย้อนกลับ @ Vr | 2 µA @ 10 V | |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | BZD27 |
3 ส่วนด้านขวามีขนาดที่คล้ายกับ Taiwan Semiconductor Corporation BZD27C13P
| คุณสมบัติสินค้า |  |
 |
|
|
|---|---|---|---|---|
| รุ่นผลิตภัณฑ์ | BZD27C13P | BZD27C13P-M3-08 | BZD27C12P-E3-08 | BZD27C13P-HE3-08 |
| ผู้ผลิต | Taiwan Semiconductor Corporation | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Vishay General Semiconductor - Diodes Division |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | SOD-123 | DO-219AB | DO-219AB | DO-219AB |
| เพาเวอร์ - แม็กซ์ | 1 W | 800 mW | 800 mW | 800 mW |
| แรงดันไฟฟ้า - ส่ง (Vf) (สูงสุด) @ หาก | 1.2 V @ 200 mA | 1.2 V @ 200 mA | 1.2 V @ 200 mA | 1.2 V @ 200 mA |
| ความต้านทาน (สูงสุด) (ZZT) | 10 Ohms | 10 Ohms | 7 Ohms | 10 Ohms |
| ชุด | - | BZD27-M | BZD27C | Automotive, AEC-Q101, BZD27C |
| ประเภทการติดตั้ง | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | BZD27 | BZD27 | BZD27 | BZD27 |
| บรรจุุภัณฑ์ | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) |
| แรงดันไฟฟ้า - ซีเนอร์ (Nom) (Vz) | 13.25 V | 13 V | 12 V | 13 V |
| ปัจจุบัน - รั่วไหลย้อนกลับ @ Vr | 2 µA @ 10 V | 2 µA @ 10 V | 3 µA @ 9.1 V | 2 µA @ 10 V |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | Sub SMA | DO-219AB (SMF) | DO-219AB (SMF) | DO-219AB (SMF) |
| อุณหภูมิในการทำงาน | -55°C ~ 175°C (TJ) | -65°C ~ 175°C | -65°C ~ 175°C | -65°C ~ 175°C |
| ความอดทน | ±6.42% | - | - | - |
ดาวน์โหลดแผ่นข้อมูล BZD27C13P PDF และเอกสาร Taiwan Semiconductor Corporation สำหรับ BZD27C13P - Taiwan Semiconductor Corporation
BZD27C13P-M3-08Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionDIODE ZENER 13V 800MW DO219ABBZD27C12P-E3-08Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionDIODE ZENER 12V 800MW DO219ABBZD27C13P-HE3-08Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionDIODE ZENER 13V 800MW DO219AB
BZD27C120P-GS08Electro-Films (EFI) / VishayBZD27C12P-M-08(12V)Electro-Films (EFI) / VishayBZD27C12P-M3-08Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionDIODE ZENER 12V 800MW DO219ABBZD27C13P-GS08(13V)Electro-Films (EFI) / VishayBZD27C13P-E3-08Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionDIODE ZENER 13V 800MW DO219ABBZD27C13P T/RPANJITBZD27C13P_R1PANJITBZD27C12P_R1PANJITBZD27C130P-E3-08Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionDIODE ZENER 130V 800MW DO219AB
BZD27C12PTaiwan Semiconductor CorporationDIODE ZENER 12.05V 1W SUB SMABZD27C13P-GS08Electro-Films (EFI) / VishayBZD27C14P-GS08Electro-Films (EFI) / VishayBZD27C12P-HE3-08Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionDIODE ZENER 12V 800MW DO219ABBZD27C12P-GS08Electro-Films (EFI) / VishayBZD27C12P R3Taiwan Semiconductor| การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป | ||
|---|---|---|
| ภูมิภาค | ประเทศ | เวลาโลจิสติก (วัน) |
| อเมริกา | สหรัฐ | 5 |
| บราซิล | 7 | |
| ยุโรป | ประเทศเยอรมนี | 5 |
| ประเทศอังกฤษ | 4 | |
| อิตาลี | 5 | |
| มหาสมุทร | ออสเตรเลีย | 6 |
| นิวซีแลนด์ | 5 | |
| เอเชีย | อินเดีย | 4 |
| ประเทศญี่ปุ่น | 4 | |
| ตะวันออกกลาง | ประเทศอิสราเอล | 6 |
| อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx | |
|---|---|
| ค่าจัดส่ง (กก.) | DHL อ้างอิง (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
ต้องการราคาที่ดีกว่า? เพิ่มลงใน CART และ ส่ง RFQ ตอนนี้เราจะติดต่อคุณทันที