ข้อกำหนดด้านเทคโนโลยี MBR30L60CT
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิคของ Taiwan Semiconductor Corporation - MBR30L60CT คุณลักษณะพารามิเตอร์และชิ้นส่วนที่มีข้อกำหนดที่คล้ายกันกับ Taiwan Semiconductor Corporation - MBR30L60CT
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| ผู้ผลิต | Taiwan Semiconductor | |
| แรงดันไฟฟ้า - ส่ง (Vf) (สูงสุด) @ หาก | 600 mV @ 15 A | |
| แรงดันไฟฟ้า - ดีซี (Reverse VR) ที่ (สูงสุด) | 60 V | |
| เทคโนโลยี | Schottky | |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | TO-220AB | |
| ความเร็ว | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | |
| ชุด | - | |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | TO-220-3 |
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| บรรจุุภัณฑ์ | Tube | |
| อุณหภูมิในการทำงาน - Junction | -55°C ~ 150°C | |
| ประเภทการติดตั้ง | Through Hole | |
| การกำหนดค่าไดโอด | 1 Pair Common Cathode | |
| ปัจจุบัน - รั่วไหลย้อนกลับ @ Vr | 480 µA @ 60 V | |
| ปัจจุบัน - เฉลี่ย Rectified (ไอโอ) (ต่อ Diode) | 30A | |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | MBR30 |
3 ส่วนด้านขวามีขนาดที่คล้ายกับ Taiwan Semiconductor Corporation MBR30L60CT
| คุณสมบัติสินค้า |  |
 |
|
|
|---|---|---|---|---|
| รุ่นผลิตภัณฑ์ | MBR30L60CT | MBR30L60CTG | MBR30H60CTG | MBR30L45CTG |
| ผู้ผลิต | Taiwan Semiconductor Corporation | onsemi | onsemi | onsemi |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | TO-220AB | TO-220 | TO-220 | TO-220 |
| ความเร็ว | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| ชุด | - | SWITCHMODE™ | SWITCHMODE™ | SWITCHMODE™ |
| อุณหภูมิในการทำงาน - Junction | -55°C ~ 150°C | -55°C ~ 150°C | -55°C ~ 175°C | -55°C ~ 150°C |
| ปัจจุบัน - รั่วไหลย้อนกลับ @ Vr | 480 µA @ 60 V | 350 µA @ 60 V | 300 µA @ 60 V | 650 µA @ 45 V |
| ปัจจุบัน - เฉลี่ย Rectified (ไอโอ) (ต่อ Diode) | 30A | 15A | 15A | 15A |
| เทคโนโลยี | Schottky | Schottky | Schottky | Schottky |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | TO-220-3 | TO-220-3 | TO-220-3 | TO-220-3 |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | MBR30 | MBR30L60 | MBR30H60 | MBR30L45 |
| บรรจุุภัณฑ์ | Tube | Tube | Tube | Tube |
| การกำหนดค่าไดโอด | 1 Pair Common Cathode | 1 Pair Common Cathode | 1 Pair Common Cathode | 1 Pair Common Cathode |
| แรงดันไฟฟ้า - ดีซี (Reverse VR) ที่ (สูงสุด) | 60 V | 60 V | 60 V | 45 V |
| แรงดันไฟฟ้า - ส่ง (Vf) (สูงสุด) @ หาก | 600 mV @ 15 A | 620 mV @ 15 A | 620 mV @ 15 A | 500 mV @ 15 A |
| ประเภทการติดตั้ง | Through Hole | Through Hole | Through Hole | Through Hole |
ดาวน์โหลดแผ่นข้อมูล MBR30L60CT PDF และเอกสาร Taiwan Semiconductor Corporation สำหรับ MBR30L60CT - Taiwan Semiconductor Corporation
MBR30L60CTGonsemiDIODE ARRAY SCHOTTKY 60V TO220AB
MBR3100onsemiDIODE SCHOTTKY 100V 3A AXIAL
MBR3100PTLITEONMBR30H60CTGonsemiDIODE ARRAY SCHOTTKY 60V TO220ABMBR30H60GAMI Semiconductor/onsemiMBR30L45CTGonsemiDIODE ARRAY SCHOTTKY 45V TO220ABMBR30L45GAMI Semiconductor/onsemi
MBR30SA060Fujitsu Electronics America, Inc.IGBT ModuleMBR30L45CTTaiwan Semiconductor CorporationDIODE ARRAY SCHOTTKY 45V TO220ABMBR3100GonsemiDIODE SCHOTTKY 100V 3A AXIAL
MBR30L100MBR3100RLonsemiDIODE SCHOTTKY 100V 3A AXIALMBR30U100CTHSIRECTMBR30L100CTTaiwan Semiconductor CorporationDIODE ARRAY SCHOTTKY 100V TO220MBR30T1AMI Semiconductor/onsemiMBR30L120CTTaiwan Semiconductor CorporationDIODE ARRAY SCHOTTKY 120V TO220MBR30L150A
MBR30L60TTaiwan Semiconductor| การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป | ||
|---|---|---|
| ภูมิภาค | ประเทศ | เวลาโลจิสติก (วัน) |
| อเมริกา | สหรัฐ | 5 |
| บราซิล | 7 | |
| ยุโรป | ประเทศเยอรมนี | 5 |
| ประเทศอังกฤษ | 4 | |
| อิตาลี | 5 | |
| มหาสมุทร | ออสเตรเลีย | 6 |
| นิวซีแลนด์ | 5 | |
| เอเชีย | อินเดีย | 4 |
| ประเทศญี่ปุ่น | 4 | |
| ตะวันออกกลาง | ประเทศอิสราเอล | 6 |
| อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx | |
|---|---|
| ค่าจัดส่ง (กก.) | DHL อ้างอิง (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
ต้องการราคาที่ดีกว่า? เพิ่มลงใน CART และ ส่ง RFQ ตอนนี้เราจะติดต่อคุณทันที