ข้อกำหนดด้านเทคโนโลยี MUR1620CT
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิคของ Taiwan Semiconductor Corporation - MUR1620CT คุณลักษณะพารามิเตอร์และชิ้นส่วนที่มีข้อกำหนดที่คล้ายกันกับ Taiwan Semiconductor Corporation - MUR1620CT
คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
---|---|---|
ผู้ผลิต | Taiwan Semiconductor | |
แรงดันไฟฟ้า - ส่ง (Vf) (สูงสุด) @ หาก | 975 mV @ 8 A | |
แรงดันไฟฟ้า - ดีซี (Reverse VR) ที่ (สูงสุด) | 200 V | |
เทคโนโลยี | Standard | |
ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | TO-220AB | |
ความเร็ว | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | |
ชุด | - | |
ย้อนกลับเวลาการกู้คืน (TRR) | 25 ns |
คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
---|---|---|
หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | TO-220-3 | |
บรรจุุภัณฑ์ | Tube | |
อุณหภูมิในการทำงาน - Junction | -55°C ~ 175°C | |
ประเภทการติดตั้ง | Through Hole | |
การกำหนดค่าไดโอด | 1 Pair Common Cathode | |
ปัจจุบัน - รั่วไหลย้อนกลับ @ Vr | 5 µA @ 200 V | |
ปัจจุบัน - เฉลี่ย Rectified (ไอโอ) (ต่อ Diode) | 16A | |
หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | MUR1620 |
คุณลักษณะ | ลักษณะ |
---|---|
สถานภาพ RoHS | |
ระดับความไวต่อความชื้น (MSL) | 1 (Unlimited) |
เข้าถึงสถานะ | REACH Unaffected |
ECCN | EAR99 |
HTSUS |
3 ส่วนด้านขวามีขนาดที่คล้ายกับ Taiwan Semiconductor Corporation MUR1620CT
คุณสมบัติสินค้า | ||||
---|---|---|---|---|
รุ่นผลิตภัณฑ์ | MUR1620CT | MUR1620CTRG | MUR1615CT | MUR1620CT |
ผู้ผลิต | Taiwan Semiconductor Corporation | onsemi | Harris Corporation | onsemi |
ปัจจุบัน - เฉลี่ย Rectified (ไอโอ) (ต่อ Diode) | 16A | 8A | 8A | 8A |
แรงดันไฟฟ้า - ดีซี (Reverse VR) ที่ (สูงสุด) | 200 V | 200 V | 150 V | 200 V |
ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | TO-220AB | TO-220 | TO-220-3 | TO-220 |
หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | MUR1620 | MUR1620 | - | MUR16 |
ชุด | - | SWITCHMODE™ | SWITCHMODE™ | SWITCHMODE™ |
หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | TO-220-3 | TO-220-3 | TO-220-3 | TO-220-3 |
บรรจุุภัณฑ์ | Tube | Tube | Tube | Tube |
การกำหนดค่าไดโอด | 1 Pair Common Cathode | 1 Pair Common Anode | 1 Pair Common Cathode | 1 Pair Common Cathode |
ความเร็ว | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
อุณหภูมิในการทำงาน - Junction | -55°C ~ 175°C | -65°C ~ 175°C | -65°C ~ 175°C | -65°C ~ 175°C |
ปัจจุบัน - รั่วไหลย้อนกลับ @ Vr | 5 µA @ 200 V | 5 µA @ 200 V | 5 µA @ 150 V | 5 µA @ 200 V |
แรงดันไฟฟ้า - ส่ง (Vf) (สูงสุด) @ หาก | 975 mV @ 8 A | 1.2 V @ 8 A | 975 mV @ 8 A | 975 mV @ 8 A |
ประเภทการติดตั้ง | Through Hole | Through Hole | Through Hole | Through Hole |
ย้อนกลับเวลาการกู้คืน (TRR) | 25 ns | 85 ns | 35 ns | 35 ns |
เทคโนโลยี | Standard | Standard | Standard | Standard |
ดาวน์โหลดแผ่นข้อมูล MUR1620CT PDF และเอกสาร Taiwan Semiconductor Corporation สำหรับ MUR1620CT - Taiwan Semiconductor Corporation
การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป | ||
---|---|---|
ภูมิภาค | ประเทศ | เวลาโลจิสติก (วัน) |
อเมริกา | สหรัฐ | 5 |
บราซิล | 7 | |
ยุโรป | ประเทศเยอรมนี | 5 |
ประเทศอังกฤษ | 4 | |
อิตาลี | 5 | |
มหาสมุทร | ออสเตรเลีย | 6 |
นิวซีแลนด์ | 5 | |
เอเชีย | อินเดีย | 4 |
ประเทศญี่ปุ่น | 4 | |
ตะวันออกกลาง | ประเทศอิสราเอล | 6 |
อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx | |
---|---|
ค่าจัดส่ง (กก.) | DHL อ้างอิง (USD $) |
0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
ต้องการราคาที่ดีกว่า? โปรด เพิ่มลงในรถเข็น เราจะติดต่อคุณทันที