ข้อกำหนดด้านเทคโนโลยี 1N5242B-TR
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิคของ Vishay General Semiconductor - Diodes Division - 1N5242B-TR คุณลักษณะพารามิเตอร์และชิ้นส่วนที่มีข้อกำหนดที่คล้ายกันกับ Vishay General Semiconductor - Diodes Division - 1N5242B-TR
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| ผู้ผลิต | Vishay General Semiconductor – Diodes Division | |
| แรงดันไฟฟ้า - ซีเนอร์ (Nom) (Vz) | 12 V | |
| แรงดันไฟฟ้า - ส่ง (Vf) (สูงสุด) @ หาก | 1.1 V @ 200 mA | |
| ความอดทน | ±5% | |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | DO-35 (DO-204AH) | |
| ชุด | - | |
| เพาเวอร์ - แม็กซ์ | 500 mW |
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | DO-204AH, DO-35, Axial | |
| บรรจุุภัณฑ์ | Tape & Reel (TR) | |
| อุณหภูมิในการทำงาน | - | |
| ประเภทการติดตั้ง | Through Hole | |
| ความต้านทาน (สูงสุด) (ZZT) | 30 Ohms | |
| ปัจจุบัน - รั่วไหลย้อนกลับ @ Vr | 1 µA @ 9.1 V | |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | 1N5242 |
3 ส่วนด้านขวามีขนาดที่คล้ายกับ Vishay General Semiconductor - Diodes Division 1N5242B-TR
| คุณสมบัติสินค้า |  |
 |
 |
|
|---|---|---|---|---|
| รุ่นผลิตภัณฑ์ | 1N5242B-TR | 1N5242BTR | 1N5242B | 1N5243B |
| ผู้ผลิต | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | onsemi | Fairchild Semiconductor | Fairchild Semiconductor |
| แรงดันไฟฟ้า - ซีเนอร์ (Nom) (Vz) | 12 V | 12 V | 12 V | 13 V |
| ปัจจุบัน - รั่วไหลย้อนกลับ @ Vr | 1 µA @ 9.1 V | 1 µA @ 9.1 V | 1 µA @ 9.1 V | 500 nA @ 9.9 V |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | DO-35 (DO-204AH) | DO-35 | - | DO-35 |
| ความต้านทาน (สูงสุด) (ZZT) | 30 Ohms | 30 Ohms | 30 Ohms | 13 Ohms |
| อุณหภูมิในการทำงาน | - | -65°C ~ 200°C | - | - |
| ชุด | - | - | - | - |
| แรงดันไฟฟ้า - ส่ง (Vf) (สูงสุด) @ หาก | 1.1 V @ 200 mA | 1.2 V @ 200 mA | - | 900 mV @ 200 mA |
| เพาเวอร์ - แม็กซ์ | 500 mW | 500 mW | 500 mW | 500 mW |
| บรรจุุภัณฑ์ | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Bulk | Bulk |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | 1N5242 | 1N5242 | - | - |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | DO-204AH, DO-35, Axial | DO-204AH, DO-35, Axial | - | DO-204AH, DO-35, Axial |
| ความอดทน | ±5% | ±5% | - | ±5% |
| ประเภทการติดตั้ง | Through Hole | Through Hole | Through Hole | Through Hole |
ดาวน์โหลดแผ่นข้อมูล 1N5242B-TR PDF และเอกสาร Vishay General Semiconductor - Diodes Division สำหรับ 1N5242B-TR - Vishay General Semiconductor - Diodes Division
1N5242BTRonsemiDIODE ZENER 12V 500MW DO351N5242BFairchild SemiconductorZENER DIODE, 12V, 5%, 0.5W, UNID1N5243BFairchild SemiconductorZENER DIODE, 13V, 5%, 0.5W, UNID1N5243B-TAPVishay General Semiconductor - Diodes DivisionDIODE ZENER 13V 500MW DO35
1N5243BMicrochip TechnologyDIODE ZENER1N5243BonsemiDIODE ZENER 13V 500MW DO35
1N5242BTaiwan Semiconductor CorporationDO-35, 500MW, 5%, SMALL SIGNAL Z
1N5242SMC Diode SolutionsDIODE ZENER 12V 500MW DO35
1N5243BNTE Electronics, IncDIODE ZENER 13V 500MW1N5243BTaiwan Semiconductor CorporationDO-35, 500MW, 5%, SMALL SIGNAL Z1N5242Microchip TechnologyVOLTAGE REGULATOR1N5242BSMC Diode SolutionsDIODE ZENER 12V 500MW DO351N5242BMicrochip TechnologyDIODE ZENER1N5241B-TAPVishay General Semiconductor - Diodes DivisionDIODE ZENER 11V 500MW DO351N5242BNTE Electronics, IncDIODE ZENER 12V 500MW1N5242BTRFairchild SemiconductorDIODE ZENER 12V 500MW DO351N5243BSMC Diode SolutionsDIODE ZENER 13V 500MW DO351N5242BonsemiDIODE ZENER 12V 500MW DO35| การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป | ||
|---|---|---|
| ภูมิภาค | ประเทศ | เวลาโลจิสติก (วัน) |
| อเมริกา | สหรัฐ | 5 |
| บราซิล | 7 | |
| ยุโรป | ประเทศเยอรมนี | 5 |
| ประเทศอังกฤษ | 4 | |
| อิตาลี | 5 | |
| มหาสมุทร | ออสเตรเลีย | 6 |
| นิวซีแลนด์ | 5 | |
| เอเชีย | อินเดีย | 4 |
| ประเทศญี่ปุ่น | 4 | |
| ตะวันออกกลาง | ประเทศอิสราเอล | 6 |
| อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx | |
|---|---|
| ค่าจัดส่ง (กก.) | DHL อ้างอิง (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
ต้องการราคาที่ดีกว่า? เพิ่มลงใน CART และ ส่ง RFQ ตอนนี้เราจะติดต่อคุณทันที