ข้อกำหนดด้านเทคโนโลยี 1N5242B-TR
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิคของ Vishay General Semiconductor - Diodes Division - 1N5242B-TR คุณลักษณะพารามิเตอร์และชิ้นส่วนที่มีข้อกำหนดที่คล้ายกันกับ Vishay General Semiconductor - Diodes Division - 1N5242B-TR
คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
---|---|---|
ผู้ผลิต | Vishay General Semiconductor – Diodes Division | |
แรงดันไฟฟ้า - ซีเนอร์ (Nom) (Vz) | 12 V | |
แรงดันไฟฟ้า - ส่ง (Vf) (สูงสุด) @ หาก | 1.1 V @ 200 mA | |
ความอดทน | ±5% | |
ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | DO-35 (DO-204AH) | |
ชุด | - | |
เพาเวอร์ - แม็กซ์ | 500 mW |
คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
---|---|---|
หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | DO-204AH, DO-35, Axial | |
บรรจุุภัณฑ์ | Tape & Reel (TR) | |
อุณหภูมิในการทำงาน | - | |
ประเภทการติดตั้ง | Through Hole | |
ความต้านทาน (สูงสุด) (ZZT) | 30 Ohms | |
ปัจจุบัน - รั่วไหลย้อนกลับ @ Vr | 1 µA @ 9.1 V | |
หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | 1N5242 |
คุณลักษณะ | ลักษณะ |
---|---|
สถานภาพ RoHS | |
ระดับความไวต่อความชื้น (MSL) | 1 (Unlimited) |
เข้าถึงสถานะ | REACH Unaffected |
ECCN | EAR99 |
HTSUS |
3 ส่วนด้านขวามีขนาดที่คล้ายกับ Vishay General Semiconductor - Diodes Division 1N5242B-TR
คุณสมบัติสินค้า | ||||
---|---|---|---|---|
รุ่นผลิตภัณฑ์ | 1N5242B-TR | 1N5242BTR | 1N5242B | 1N5243B |
ผู้ผลิต | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | onsemi | Fairchild Semiconductor | Fairchild Semiconductor |
แรงดันไฟฟ้า - ซีเนอร์ (Nom) (Vz) | 12 V | 12 V | 12 V | 13 V |
ปัจจุบัน - รั่วไหลย้อนกลับ @ Vr | 1 µA @ 9.1 V | 1 µA @ 9.1 V | 1 µA @ 9.1 V | 500 nA @ 9.9 V |
ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | DO-35 (DO-204AH) | DO-35 | - | DO-35 |
ความต้านทาน (สูงสุด) (ZZT) | 30 Ohms | 30 Ohms | 30 Ohms | 13 Ohms |
อุณหภูมิในการทำงาน | - | -65°C ~ 200°C | - | - |
ชุด | - | - | - | - |
แรงดันไฟฟ้า - ส่ง (Vf) (สูงสุด) @ หาก | 1.1 V @ 200 mA | 1.2 V @ 200 mA | - | 900 mV @ 200 mA |
เพาเวอร์ - แม็กซ์ | 500 mW | 500 mW | 500 mW | 500 mW |
บรรจุุภัณฑ์ | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Bulk | Bulk |
หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | 1N5242 | 1N5242 | - | - |
หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | DO-204AH, DO-35, Axial | DO-204AH, DO-35, Axial | - | DO-204AH, DO-35, Axial |
ความอดทน | ±5% | ±5% | - | ±5% |
ประเภทการติดตั้ง | Through Hole | Through Hole | Through Hole | Through Hole |
ดาวน์โหลดแผ่นข้อมูล 1N5242B-TR PDF และเอกสาร Vishay General Semiconductor - Diodes Division สำหรับ 1N5242B-TR - Vishay General Semiconductor - Diodes Division
การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป | ||
---|---|---|
ภูมิภาค | ประเทศ | เวลาโลจิสติก (วัน) |
อเมริกา | สหรัฐ | 5 |
บราซิล | 7 | |
ยุโรป | ประเทศเยอรมนี | 5 |
ประเทศอังกฤษ | 4 | |
อิตาลี | 5 | |
มหาสมุทร | ออสเตรเลีย | 6 |
นิวซีแลนด์ | 5 | |
เอเชีย | อินเดีย | 4 |
ประเทศญี่ปุ่น | 4 | |
ตะวันออกกลาง | ประเทศอิสราเอล | 6 |
อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx | |
---|---|
ค่าจัดส่ง (กก.) | DHL อ้างอิง (USD $) |
0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
ต้องการราคาที่ดีกว่า? โปรด เพิ่มลงในรถเข็น เราจะติดต่อคุณทันที