ข้อกำหนดด้านเทคโนโลยี GBU4J-E3/51
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิคของ Vishay General Semiconductor - Diodes Division - GBU4J-E3/51 คุณลักษณะพารามิเตอร์และชิ้นส่วนที่มีข้อกำหนดที่คล้ายกันกับ Vishay General Semiconductor - Diodes Division - GBU4J-E3/51
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| ผู้ผลิต | Vishay General Semiconductor – Diodes Division | |
| แรงดันไฟฟ้า - ยอดย้อนกลับ (สูงสุด) | 600 V | |
| แรงดันไฟฟ้า - ส่ง (Vf) (สูงสุด) @ หาก | 1 V @ 4 A | |
| เทคโนโลยี | Standard | |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | GBU | |
| ชุด | - | |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | 4-SIP, GBU |
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| บรรจุุภัณฑ์ | Bulk | |
| อุณหภูมิในการทำงาน | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| ประเภทการติดตั้ง | Through Hole | |
| ประเภทไดโอด | Single Phase | |
| ปัจจุบัน - รั่วไหลย้อนกลับ @ Vr | 5 µA @ 600 V | |
| ปัจจุบัน - เฉลี่ย Rectified (ไอโอ) | 4 A | |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | GBU4 |
3 ส่วนด้านขวามีขนาดที่คล้ายกับ Vishay General Semiconductor - Diodes Division GBU4J-E3/51
| คุณสมบัติสินค้า |  |
|
 |
|
|---|---|---|---|---|
| รุ่นผลิตภัณฑ์ | GBU4J-E3/51 | GBU4K-E3/45 | GBU408 | GBU4K-E3/51 |
| ผู้ผลิต | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Diodes Incorporated | Vishay General Semiconductor - Diodes Division |
| ชุด | - | - | - | - |
| ปัจจุบัน - รั่วไหลย้อนกลับ @ Vr | 5 µA @ 600 V | 5 µA @ 800 V | 5 µA @ 800 V | 5 µA @ 800 V |
| บรรจุุภัณฑ์ | Bulk | Tube | Tube | Bulk |
| เทคโนโลยี | Standard | Standard | Standard | Standard |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | 4-SIP, GBU | 4-SIP, GBU | 4-SIP, GBU | 4-SIP, GBU |
| ปัจจุบัน - เฉลี่ย Rectified (ไอโอ) | 4 A | 3 A | 4 A | 3 A |
| แรงดันไฟฟ้า - ส่ง (Vf) (สูงสุด) @ หาก | 1 V @ 4 A | 1 V @ 4 A | 1 V @ 2 A | 1 V @ 4 A |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | GBU4 | GBU4 | GBU408 | GBU4 |
| แรงดันไฟฟ้า - ยอดย้อนกลับ (สูงสุด) | 600 V | 800 V | 800 V | 800 V |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | GBU | GBU | GBU | GBU |
| ประเภทไดโอด | Single Phase | Single Phase | Single Phase | Single Phase |
| ประเภทการติดตั้ง | Through Hole | Through Hole | Through Hole | Through Hole |
| อุณหภูมิในการทำงาน | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) |
ดาวน์โหลดแผ่นข้อมูล GBU4J-E3/51 PDF และเอกสาร Vishay General Semiconductor - Diodes Division สำหรับ GBU4J-E3/51 - Vishay General Semiconductor - Diodes Division
GBU4K-E3/45Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionBRIDGE RECT 1PHASE 800V 3A GBUGBU408Diodes IncorporatedBRIDGE RECT 1PHASE 800V 4A GBUGBU4K-E3/51Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionBRIDGE RECT 1PHASE 800V 3A GBU
GBU4KL-7014E3Electro-Films (EFI) / VishayGBU4J-E3/54Electro-Films (EFI) / Vishay
GBU407Taiwan Semiconductor CorporationBRIDGE RECT 1PHASE 1KV 4A GBUGBU408Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,LtdRECT BRIDGE 800V 4A GBUGBU410Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,LtdRECT BRIDGE 1000V 4A GBU
GBU408SMC Diode SolutionsBRIDGE RECT 1PHASE 800V 4A GBUGBU4JL-6088E3/22Electro-Films (EFI) / VishayGBU410SMC Diode SolutionsBRIDGE RECT 1PHASE 1KV 4A GBUGBU4M-E3/51Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionBRIDGE RECT 1PHASE 1KV 3A GBUGBU410Diodes IncorporatedBRIDGE RECT 1PHASE 1KV 4A GBU
GBU408-TULITEONGBU4J-E3/45Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionBRIDGE RECT 1PHASE 600V 3A GBU
GBU4M-GComchip TechnologyBRIDGE RECT 1PHASE 1KV 4A GBUGBU408-HFLITEON
GBU4K-LS-LFLISION| การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป | ||
|---|---|---|
| ภูมิภาค | ประเทศ | เวลาโลจิสติก (วัน) |
| อเมริกา | สหรัฐ | 5 |
| บราซิล | 7 | |
| ยุโรป | ประเทศเยอรมนี | 5 |
| ประเทศอังกฤษ | 4 | |
| อิตาลี | 5 | |
| มหาสมุทร | ออสเตรเลีย | 6 |
| นิวซีแลนด์ | 5 | |
| เอเชีย | อินเดีย | 4 |
| ประเทศญี่ปุ่น | 4 | |
| ตะวันออกกลาง | ประเทศอิสราเอล | 6 |
| อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx | |
|---|---|
| ค่าจัดส่ง (กก.) | DHL อ้างอิง (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
ต้องการราคาที่ดีกว่า? เพิ่มลงใน CART และ ส่ง RFQ ตอนนี้เราจะติดต่อคุณทันที