ข้อกำหนดด้านเทคโนโลยี GBU4J-E3/51
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิคของ Vishay General Semiconductor - Diodes Division - GBU4J-E3/51 คุณลักษณะพารามิเตอร์และชิ้นส่วนที่มีข้อกำหนดที่คล้ายกันกับ Vishay General Semiconductor - Diodes Division - GBU4J-E3/51
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| ผู้ผลิต | Vishay General Semiconductor – Diodes Division | |
| แรงดันไฟฟ้า - ยอดย้อนกลับ (สูงสุด) | 600 V | |
| แรงดันไฟฟ้า - ส่ง (Vf) (สูงสุด) @ หาก | 1 V @ 4 A | |
| เทคโนโลยี | Standard | |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | GBU | |
| ชุด | - | |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | 4-SIP, GBU |
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| บรรจุุภัณฑ์ | Bulk | |
| อุณหภูมิในการทำงาน | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| ประเภทการติดตั้ง | Through Hole | |
| ประเภทไดโอด | Single Phase | |
| ปัจจุบัน - รั่วไหลย้อนกลับ @ Vr | 5 µA @ 600 V | |
| ปัจจุบัน - เฉลี่ย Rectified (ไอโอ) | 4 A | |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | GBU4 |
3 ส่วนด้านขวามีขนาดที่คล้ายกับ Vishay General Semiconductor - Diodes Division GBU4J-E3/51
| คุณสมบัติสินค้า |  |
 |
 |
|
|---|---|---|---|---|
| รุ่นผลิตภัณฑ์ | GBU4J-E3/51 | GBU408 | GBU408 | GBU4K-E3/45 |
| ผู้ผลิต | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | SMC Diode Solutions | Diodes Incorporated | Vishay General Semiconductor - Diodes Division |
| ชุด | - | - | - | - |
| ปัจจุบัน - รั่วไหลย้อนกลับ @ Vr | 5 µA @ 600 V | 5 µA @ 800 V | 5 µA @ 800 V | 5 µA @ 800 V |
| บรรจุุภัณฑ์ | Bulk | Tube | Tube | Tube |
| เทคโนโลยี | Standard | Standard | Standard | Standard |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | 4-SIP, GBU | 4-ESIP | 4-SIP, GBU | 4-SIP, GBU |
| ปัจจุบัน - เฉลี่ย Rectified (ไอโอ) | 4 A | 4 A | 4 A | 3 A |
| แรงดันไฟฟ้า - ส่ง (Vf) (สูงสุด) @ หาก | 1 V @ 4 A | 1.1 V @ 4 A | 1 V @ 2 A | 1 V @ 4 A |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | GBU4 | GBU408 | GBU408 | GBU4 |
| แรงดันไฟฟ้า - ยอดย้อนกลับ (สูงสุด) | 600 V | 800 V | 800 V | 800 V |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | GBU | GBU | GBU | GBU |
| ประเภทไดโอด | Single Phase | Single Phase | Single Phase | Single Phase |
| ประเภทการติดตั้ง | Through Hole | Through Hole | Through Hole | Through Hole |
| อุณหภูมิในการทำงาน | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) |
ดาวน์โหลดแผ่นข้อมูล GBU4J-E3/51 PDF และเอกสาร Vishay General Semiconductor - Diodes Division สำหรับ GBU4J-E3/51 - Vishay General Semiconductor - Diodes Division
GBU408-HFLITEONGBU408SMC Diode SolutionsBRIDGE RECT 1PHASE 800V 4A GBU
GBU4KL-7014E3Electro-Films (EFI) / VishayGBU4J-E3/54Electro-Films (EFI) / VishayGBU408Diodes IncorporatedBRIDGE RECT 1PHASE 800V 4A GBUGBU408-TULITEONGBU4K-E3/45Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionBRIDGE RECT 1PHASE 800V 3A GBUGBU410Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,LtdRECT BRIDGE 1000V 4A GBU
GBU4K_B0_100A2PANJITGBU4J-E3/45Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionBRIDGE RECT 1PHASE 600V 3A GBUGBU4M-E3/51Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionBRIDGE RECT 1PHASE 1KV 3A GBUGBU408Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,LtdRECT BRIDGE 800V 4A GBUGBU4K-E3/51Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionBRIDGE RECT 1PHASE 800V 3A GBUGBU410SMC Diode SolutionsBRIDGE RECT 1PHASE 1KV 4A GBUGBU4JL-6088E3/22Electro-Films (EFI) / VishayGBU4K-LS-LFLISIONGBU410Diodes IncorporatedBRIDGE RECT 1PHASE 1KV 4A GBUGBU4J_B0_10001-PECPANJIT| การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป | ||
|---|---|---|
| ภูมิภาค | ประเทศ | เวลาโลจิสติก (วัน) |
| อเมริกา | สหรัฐ | 5 |
| บราซิล | 7 | |
| ยุโรป | ประเทศเยอรมนี | 5 |
| ประเทศอังกฤษ | 4 | |
| อิตาลี | 5 | |
| มหาสมุทร | ออสเตรเลีย | 6 |
| นิวซีแลนด์ | 5 | |
| เอเชีย | อินเดีย | 4 |
| ประเทศญี่ปุ่น | 4 | |
| ตะวันออกกลาง | ประเทศอิสราเอล | 6 |
| อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx | |
|---|---|
| ค่าจัดส่ง (กก.) | DHL อ้างอิง (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
ต้องการราคาที่ดีกว่า? เพิ่มลงใน CART และ ส่ง RFQ ตอนนี้เราจะติดต่อคุณทันที