ข้อกำหนดด้านเทคโนโลยี MUR3020WT
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิคของ Vishay General Semiconductor - Diodes Division - MUR3020WT คุณลักษณะพารามิเตอร์และชิ้นส่วนที่มีข้อกำหนดที่คล้ายกันกับ Vishay General Semiconductor - Diodes Division - MUR3020WT
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| ผู้ผลิต | Vishay General Semiconductor – Diodes Division | |
| แรงดันไฟฟ้า - ส่ง (Vf) (สูงสุด) @ หาก | 1.05 V @ 15 A | |
| แรงดันไฟฟ้า - ดีซี (Reverse VR) ที่ (สูงสุด) | 200 V | |
| เทคโนโลยี | Standard | |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | TO-247AC | |
| ความเร็ว | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | |
| ชุด | FRED Pt® | |
| ย้อนกลับเวลาการกู้คืน (TRR) | 35 ns |
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | TO-247-3 | |
| บรรจุุภัณฑ์ | Tube | |
| อุณหภูมิในการทำงาน - Junction | -65°C ~ 175°C | |
| ประเภทการติดตั้ง | Through Hole | |
| การกำหนดค่าไดโอด | 1 Pair Common Cathode | |
| ปัจจุบัน - รั่วไหลย้อนกลับ @ Vr | 10 µA @ 200 V | |
| ปัจจุบัน - เฉลี่ย Rectified (ไอโอ) (ต่อ Diode) | 15A | |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | MUR3020 |
3 ส่วนด้านขวามีขนาดที่คล้ายกับ Vishay General Semiconductor - Diodes Division MUR3020WT
| คุณสมบัติสินค้า |  |
 |
 |
|
|---|---|---|---|---|
| รุ่นผลิตภัณฑ์ | MUR3020WT | MUR3020WTG | MUR30060CT | MUR3040PT |
| ผู้ผลิต | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | onsemi | GeneSiC Semiconductor | onsemi |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | MUR3020 | MUR3020 | MUR30060 | MUR30 |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | TO-247-3 | TO-247-3 | Twin Tower | TO-218-3 |
| ปัจจุบัน - รั่วไหลย้อนกลับ @ Vr | 10 µA @ 200 V | 10 µA @ 200 V | 25 µA @ 50 V | 10 µA @ 400 V |
| ประเภทการติดตั้ง | Through Hole | Through Hole | Chassis Mount | Through Hole |
| ย้อนกลับเวลาการกู้คืน (TRR) | 35 ns | 35 ns | 90 ns | 60 ns |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | TO-247AC | TO-247-3 | Twin Tower | SOT-93 |
| การกำหนดค่าไดโอด | 1 Pair Common Cathode | 1 Pair Common Cathode | 1 Pair Common Cathode | 1 Pair Common Cathode |
| บรรจุุภัณฑ์ | Tube | Tube | Bulk | Tube |
| แรงดันไฟฟ้า - ดีซี (Reverse VR) ที่ (สูงสุด) | 200 V | 200 V | 600 V | 400 V |
| แรงดันไฟฟ้า - ส่ง (Vf) (สูงสุด) @ หาก | 1.05 V @ 15 A | 1.05 V @ 15 A | 1.7 V @ 100 A | 1.25 V @ 15 A |
| เทคโนโลยี | Standard | Standard | Standard | Standard |
| ปัจจุบัน - เฉลี่ย Rectified (ไอโอ) (ต่อ Diode) | 15A | 15A | 150A | 15A |
| ความเร็ว | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| ชุด | FRED Pt® | SWITCHMODE™ | - | SWITCHMODE™ |
| อุณหภูมิในการทำงาน - Junction | -65°C ~ 175°C | -65°C ~ 175°C | -55°C ~ 150°C | -65°C ~ 175°C |
MUR3020WTGonsemiDIODE ARRAY GP 200V 15A TO247MUR30060CTGeneSiC SemiconductorDIODE MODULE 600V 150A 2TOWERMUR3040PTonsemiDIODE ARRAY GP 400V 15A SOT93
MUR3020PGMOTOROLAMUR30100HARMUR3040PTGonsemiDIODE ARRAY GP 400V 15A SOT93
MUR3020WTPBFElectro-Films (EFI) / VishayMUR30120PTAMI Semiconductor/onsemiMUR30100PTAMI Semiconductor/onsemiMUR3020CTAMI Semiconductor/onsemiMUR3040PTHarris Corporation15A, 400V ULTRAFAST DUAL DIODEMUR3020WTonsemiDIODE ARRAY GP 200V 15A TO247MUR3040MotorolaDIODE ARRAY GP 400V 15A TO218MUR30100CTAMI Semiconductor/onsemiMUR3020PTonsemiDIODE ARRAY GP 200V 15A SOT93MUR3020PTGonsemiDIODE ARRAY GP 200V 15A SOT93MUR3040onsemiDIODE ARRAY GP 400V 15A TO218MUR3030PTON/GI| การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป | ||
|---|---|---|
| ภูมิภาค | ประเทศ | เวลาโลจิสติก (วัน) |
| อเมริกา | สหรัฐ | 5 |
| บราซิล | 7 | |
| ยุโรป | ประเทศเยอรมนี | 5 |
| ประเทศอังกฤษ | 4 | |
| อิตาลี | 5 | |
| มหาสมุทร | ออสเตรเลีย | 6 |
| นิวซีแลนด์ | 5 | |
| เอเชีย | อินเดีย | 4 |
| ประเทศญี่ปุ่น | 4 | |
| ตะวันออกกลาง | ประเทศอิสราเอล | 6 |
| อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx | |
|---|---|
| ค่าจัดส่ง (กก.) | DHL อ้างอิง (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
ต้องการราคาที่ดีกว่า? เพิ่มลงใน CART และ ส่ง RFQ ตอนนี้เราจะติดต่อคุณทันที