ข้อกำหนดด้านเทคโนโลยี IRFL014
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิคของ Vishay Siliconix - IRFL014 คุณลักษณะพารามิเตอร์และชิ้นส่วนที่มีข้อกำหนดที่คล้ายกันกับ Vishay Siliconix - IRFL014
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| ผู้ผลิต | Vishay / Siliconix | |
| VGS (TH) (สูงสุด) @ Id | 4V @ 250µA | |
| Vgs (สูงสุด) | ±20V | |
| เทคโนโลยี | MOSFET (Metal Oxide) | |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | SOT-223 | |
| ชุด | - | |
| RDS บน (สูงสุด) @ Id, Vgs | 200mOhm @ 1.6A, 10V | |
| พลังงานที่สูญเสีย (สูงสุด) | 2W (Ta), 3.1W (Tc) | |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | TO-261-4, TO-261AA | |
| บรรจุุภัณฑ์ | Tube |
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| อุณหภูมิในการทำงาน | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| ประเภทการติดตั้ง | Surface Mount | |
| Input Capacitance (Ciss) (สูงสุด) ที่ Vds | 300 pF @ 25 V | |
| ค่าประตู (Qg) (สูงสุด) @ Vgs | 11 nC @ 10 V | |
| ประเภท FET | N-Channel | |
| คุณสมบัติ FET | - | |
| แรงดันไฟฟ้าของไดรฟ์ (สูงสุด Rds On, Min Rds On) | 10V | |
| ท่อระบายน้ำไปยังแหล่งที่มาของแรงดัน (Vdss) | 60 V | |
| ปัจจุบัน - Drain ต่อเนื่อง (Id) @ 25 องศาเซลเซียส | 2.7A (Tc) | |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | IRFL014 |
3 ส่วนด้านขวามีขนาดที่คล้ายกับ Vishay Siliconix IRFL014
| คุณสมบัติสินค้า |  |
 |
 |
|
|---|---|---|---|---|
| รุ่นผลิตภัณฑ์ | IRFL014 | IRFL014NPBF | IRFL014NPBF FL014N | IRFK6J450 |
| ผู้ผลิต | Vishay Siliconix | International Rectifier | IR | IR |
| ค่าประตู (Qg) (สูงสุด) @ Vgs | 11 nC @ 10 V | 11 nC @ 10 V | - | - |
| Input Capacitance (Ciss) (สูงสุด) ที่ Vds | 300 pF @ 25 V | 190 pF @ 25 V | - | - |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | SOT-223 | SOT-223 | - | - |
| ชุด | - | HEXFET® | - | - |
| ประเภทการติดตั้ง | Surface Mount | Surface Mount | - | - |
| ท่อระบายน้ำไปยังแหล่งที่มาของแรงดัน (Vdss) | 60 V | 55 V | - | - |
| ปัจจุบัน - Drain ต่อเนื่อง (Id) @ 25 องศาเซลเซียส | 2.7A (Tc) | 1.9A (Ta) | - | - |
| RDS บน (สูงสุด) @ Id, Vgs | 200mOhm @ 1.6A, 10V | 160mOhm @ 1.9A, 10V | - | - |
| แรงดันไฟฟ้าของไดรฟ์ (สูงสุด Rds On, Min Rds On) | 10V | - | - | - |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | TO-261-4, TO-261AA | TO-261-4, TO-261AA | - | - |
| Vgs (สูงสุด) | ±20V | ±20V | - | - |
| ประเภท FET | N-Channel | N-Channel | - | - |
| VGS (TH) (สูงสุด) @ Id | 4V @ 250µA | 4V @ 250µA | - | - |
| พลังงานที่สูญเสีย (สูงสุด) | 2W (Ta), 3.1W (Tc) | 1W (Ta) | - | - |
| คุณสมบัติ FET | - | - | - | - |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | IRFL014 | - | - | - |
| บรรจุุภัณฑ์ | Tube | Bulk | - | - |
| เทคโนโลยี | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | - | - |
| อุณหภูมิในการทำงาน | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - |
ดาวน์โหลดแผ่นข้อมูล IRFL014 PDF และเอกสาร Vishay Siliconix สำหรับ IRFL014 - Vishay Siliconix
IRFL014NPBF FL014NIRIRFK6J450IRIGBT ModuleIRFL014NETRIRIRFL014N/TRIRIRFK6J250IRIGBT ModuleIRFL014NIRIRFK6J054IRIGBT ModuleIRFL014NPBIRIRFL014NEIRIRFK6J150IRIGBT ModuleIRFL014 MOSIRIRFK6J350IRIGBT ModuleIRFK6JC50IRIGBT ModuleIRFK6HC50IRIGBT ModuleIRFL014NPBFInternational RectifierMOSFET N-CH 55V 1.9A SOT223IRFK6HE50IRIGBT ModuleIRFL014EIRIRFK6T064IRIGBT Module| การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป | ||
|---|---|---|
| ภูมิภาค | ประเทศ | เวลาโลจิสติก (วัน) |
| อเมริกา | สหรัฐ | 5 |
| บราซิล | 7 | |
| ยุโรป | ประเทศเยอรมนี | 5 |
| ประเทศอังกฤษ | 4 | |
| อิตาลี | 5 | |
| มหาสมุทร | ออสเตรเลีย | 6 |
| นิวซีแลนด์ | 5 | |
| เอเชีย | อินเดีย | 4 |
| ประเทศญี่ปุ่น | 4 | |
| ตะวันออกกลาง | ประเทศอิสราเอล | 6 |
| อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx | |
|---|---|
| ค่าจัดส่ง (กก.) | DHL อ้างอิง (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
ต้องการราคาที่ดีกว่า? เพิ่มลงใน CART และ ส่ง RFQ ตอนนี้เราจะติดต่อคุณทันที