ข้อกำหนดด้านเทคโนโลยี IRFR9120TR
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิคของ Vishay Siliconix - IRFR9120TR คุณลักษณะพารามิเตอร์และชิ้นส่วนที่มีข้อกำหนดที่คล้ายกันกับ Vishay Siliconix - IRFR9120TR
คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
---|---|---|
ผู้ผลิต | Vishay / Siliconix | |
VGS (TH) (สูงสุด) @ Id | 4V @ 250µA | |
Vgs (สูงสุด) | ±20V | |
เทคโนโลยี | MOSFET (Metal Oxide) | |
ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | D-Pak | |
ชุด | - | |
RDS บน (สูงสุด) @ Id, Vgs | 600mOhm @ 3.4A, 10V | |
พลังงานที่สูญเสีย (สูงสุด) | 2.5W (Ta), 42W (Tc) | |
หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | |
บรรจุุภัณฑ์ | Tape & Reel (TR) |
คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
---|---|---|
อุณหภูมิในการทำงาน | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
ประเภทการติดตั้ง | Surface Mount | |
Input Capacitance (Ciss) (สูงสุด) ที่ Vds | 390 pF @ 25 V | |
ค่าประตู (Qg) (สูงสุด) @ Vgs | 18 nC @ 10 V | |
ประเภท FET | P-Channel | |
คุณสมบัติ FET | - | |
แรงดันไฟฟ้าของไดรฟ์ (สูงสุด Rds On, Min Rds On) | 10V | |
ท่อระบายน้ำไปยังแหล่งที่มาของแรงดัน (Vdss) | 100 V | |
ปัจจุบัน - Drain ต่อเนื่อง (Id) @ 25 องศาเซลเซียส | 5.6A (Tc) | |
หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | IRFR9120 |
3 ส่วนด้านขวามีขนาดที่คล้ายกับ Vishay Siliconix IRFR9120TR
คุณสมบัติสินค้า | ||||
---|---|---|---|---|
รุ่นผลิตภัณฑ์ | IRFR9120TR | IRFR9120NTRPBF | IRFR9210 | IRFR9120TRL |
ผู้ผลิต | Vishay Siliconix | Infineon Technologies | Vishay Siliconix | Vishay Siliconix |
ท่อระบายน้ำไปยังแหล่งที่มาของแรงดัน (Vdss) | 100 V | 100 V | 200 V | 100 V |
Input Capacitance (Ciss) (สูงสุด) ที่ Vds | 390 pF @ 25 V | 350 pF @ 25 V | 170 pF @ 25 V | 390 pF @ 25 V |
อุณหภูมิในการทำงาน | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) |
ประเภทการติดตั้ง | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
RDS บน (สูงสุด) @ Id, Vgs | 600mOhm @ 3.4A, 10V | 480mOhm @ 3.9A, 10V | 3Ohm @ 1.1A, 10V | 600mOhm @ 3.4A, 10V |
Vgs (สูงสุด) | ±20V | ±20V | ±20V | ±20V |
ปัจจุบัน - Drain ต่อเนื่อง (Id) @ 25 องศาเซลเซียส | 5.6A (Tc) | 6.6A (Tc) | 1.9A (Tc) | 5.6A (Tc) |
เทคโนโลยี | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | IRFR9120 | IRFR9120 | IRFR9210 | IRFR9120 |
หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | D-Pak | D-Pak | D-Pak | D-Pak |
บรรจุุภัณฑ์ | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tube | Tape & Reel (TR) |
แรงดันไฟฟ้าของไดรฟ์ (สูงสุด Rds On, Min Rds On) | 10V | 10V | 10V | 10V |
ประเภท FET | P-Channel | P-Channel | P-Channel | P-Channel |
VGS (TH) (สูงสุด) @ Id | 4V @ 250µA | 4V @ 250µA | 4V @ 250µA | 4V @ 250µA |
คุณสมบัติ FET | - | - | - | - |
พลังงานที่สูญเสีย (สูงสุด) | 2.5W (Ta), 42W (Tc) | 40W (Tc) | 2.5W (Ta), 25W (Tc) | 2.5W (Ta), 42W (Tc) |
ชุด | - | HEXFET® | - | - |
ค่าประตู (Qg) (สูงสุด) @ Vgs | 18 nC @ 10 V | 27 nC @ 10 V | 8.9 nC @ 10 V | 18 nC @ 10 V |
การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป | ||
---|---|---|
ภูมิภาค | ประเทศ | เวลาโลจิสติก (วัน) |
อเมริกา | สหรัฐ | 5 |
บราซิล | 7 | |
ยุโรป | ประเทศเยอรมนี | 5 |
ประเทศอังกฤษ | 4 | |
อิตาลี | 5 | |
มหาสมุทร | ออสเตรเลีย | 6 |
นิวซีแลนด์ | 5 | |
เอเชีย | อินเดีย | 4 |
ประเทศญี่ปุ่น | 4 | |
ตะวันออกกลาง | ประเทศอิสราเอล | 6 |
อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx | |
---|---|
ค่าจัดส่ง (กก.) | DHL อ้างอิง (USD $) |
0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
ต้องการราคาที่ดีกว่า? [AddToCartTip]未找到翻译