ข้อกำหนดด้านเทคโนโลยี SI1403BDL-T1-GE3
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิคของ Vishay Siliconix - SI1403BDL-T1-GE3 คุณลักษณะพารามิเตอร์และชิ้นส่วนที่มีข้อกำหนดที่คล้ายกันกับ Vishay Siliconix - SI1403BDL-T1-GE3
คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
---|---|---|
ผู้ผลิต | Vishay / Siliconix | |
VGS (TH) (สูงสุด) @ Id | 1.3V @ 250µA | |
Vgs (สูงสุด) | ±12V | |
เทคโนโลยี | MOSFET (Metal Oxide) | |
ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | SC-70-6 | |
ชุด | TrenchFET® | |
RDS บน (สูงสุด) @ Id, Vgs | 150mOhm @ 1.5A, 4.5V | |
พลังงานที่สูญเสีย (สูงสุด) | 625mW (Ta) | |
หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | |
บรรจุุภัณฑ์ | Tape & Reel (TR) |
คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
---|---|---|
อุณหภูมิในการทำงาน | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
ประเภทการติดตั้ง | Surface Mount | |
ค่าประตู (Qg) (สูงสุด) @ Vgs | 4.5 nC @ 4.5 V | |
ประเภท FET | P-Channel | |
คุณสมบัติ FET | - | |
แรงดันไฟฟ้าของไดรฟ์ (สูงสุด Rds On, Min Rds On) | 2.5V, 4.5V | |
ท่อระบายน้ำไปยังแหล่งที่มาของแรงดัน (Vdss) | 20 V | |
ปัจจุบัน - Drain ต่อเนื่อง (Id) @ 25 องศาเซลเซียส | 1.5A (Ta) | |
หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | SI1403 |
คุณลักษณะ | ลักษณะ |
---|---|
สถานภาพ RoHS | |
ระดับความไวต่อความชื้น (MSL) | 1 (Unlimited) |
เข้าถึงสถานะ | REACH Unaffected |
ECCN | EAR99 |
HTSUS |
3 ส่วนด้านขวามีขนาดที่คล้ายกับ Vishay Siliconix SI1403BDL-T1-GE3
คุณสมบัติสินค้า | ||||
---|---|---|---|---|
รุ่นผลิตภัณฑ์ | SI1403BDL-T1-GE3 | SI1405DL-T1-GE3 | SI1401EDH-T1-GE3 | SI1404BDH-T1-E3 |
ผู้ผลิต | Vishay Siliconix | Vishay Siliconix | Vishay Siliconix | Vishay Siliconix |
เทคโนโลยี | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
แรงดันไฟฟ้าของไดรฟ์ (สูงสุด Rds On, Min Rds On) | 2.5V, 4.5V | 1.8V, 4.5V | 1.5V, 4.5V | 2.5V, 4.5V |
ค่าประตู (Qg) (สูงสุด) @ Vgs | 4.5 nC @ 4.5 V | 7 nC @ 4.5 V | 36 nC @ 8 V | 2.7 nC @ 4.5 V |
บรรจุุภัณฑ์ | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) |
หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
ชุด | TrenchFET® | TrenchFET® | TrenchFET® | TrenchFET® |
ปัจจุบัน - Drain ต่อเนื่อง (Id) @ 25 องศาเซลเซียส | 1.5A (Ta) | 1.6A (Ta) | 4A (Tc) | 1.9A (Ta), 2.37A (Tc) |
ประเภทการติดตั้ง | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
VGS (TH) (สูงสุด) @ Id | 1.3V @ 250µA | 450mV @ 250µA (Min) | 1V @ 250µA | 1.3V @ 250µA |
ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | SC-70-6 | SC-70-6 | SC-70-6 | SC-70-6 |
ประเภท FET | P-Channel | P-Channel | P-Channel | N-Channel |
คุณสมบัติ FET | - | - | - | - |
พลังงานที่สูญเสีย (สูงสุด) | 625mW (Ta) | 568mW (Ta) | 1.6W (Ta), 2.8W (Tc) | 1.32W (Ta), 2.28W (Tc) |
Vgs (สูงสุด) | ±12V | ±8V | ±10V | ±12V |
อุณหภูมิในการทำงาน | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) |
ท่อระบายน้ำไปยังแหล่งที่มาของแรงดัน (Vdss) | 20 V | 8 V | 12 V | 30 V |
RDS บน (สูงสุด) @ Id, Vgs | 150mOhm @ 1.5A, 4.5V | 125mOhm @ 1.8A, 4.5V | 34mOhm @ 5.5A, 4.5V | 238mOhm @ 1.9A, 4.5V |
หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | SI1403 | SI1405 | SI1401 | SI1404 |
ดาวน์โหลดแผ่นข้อมูล SI1403BDL-T1-GE3 PDF และเอกสาร Vishay Siliconix สำหรับ SI1403BDL-T1-GE3 - Vishay Siliconix
การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป | ||
---|---|---|
ภูมิภาค | ประเทศ | เวลาโลจิสติก (วัน) |
อเมริกา | สหรัฐ | 5 |
บราซิล | 7 | |
ยุโรป | ประเทศเยอรมนี | 5 |
ประเทศอังกฤษ | 4 | |
อิตาลี | 5 | |
มหาสมุทร | ออสเตรเลีย | 6 |
นิวซีแลนด์ | 5 | |
เอเชีย | อินเดีย | 4 |
ประเทศญี่ปุ่น | 4 | |
ตะวันออกกลาง | ประเทศอิสราเอล | 6 |
อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx | |
---|---|
ค่าจัดส่ง (กก.) | DHL อ้างอิง (USD $) |
0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
ต้องการราคาที่ดีกว่า? โปรด เพิ่มลงในรถเข็น เราจะติดต่อคุณทันที