ข้อกำหนดด้านเทคโนโลยี SI8424DB-T1-E1
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิคของ Vishay Siliconix - SI8424DB-T1-E1 คุณลักษณะพารามิเตอร์และชิ้นส่วนที่มีข้อกำหนดที่คล้ายกันกับ Vishay Siliconix - SI8424DB-T1-E1
คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
---|---|---|
ผู้ผลิต | Vishay / Siliconix | |
VGS (TH) (สูงสุด) @ Id | 1V @ 250µA | |
Vgs (สูงสุด) | ±5V | |
เทคโนโลยี | MOSFET (Metal Oxide) | |
ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | 4-Microfoot | |
ชุด | TrenchFET® | |
RDS บน (สูงสุด) @ Id, Vgs | 31mOhm @ 1A, 4.5V | |
พลังงานที่สูญเสีย (สูงสุด) | 2.78W (Ta), 6.25W (Tc) | |
หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | 4-XFBGA, CSPBGA | |
บรรจุุภัณฑ์ | Tape & Reel (TR) |
คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
---|---|---|
อุณหภูมิในการทำงาน | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
ประเภทการติดตั้ง | Surface Mount | |
Input Capacitance (Ciss) (สูงสุด) ที่ Vds | 1950 pF @ 4 V | |
ค่าประตู (Qg) (สูงสุด) @ Vgs | 33 nC @ 5 V | |
ประเภท FET | N-Channel | |
คุณสมบัติ FET | - | |
แรงดันไฟฟ้าของไดรฟ์ (สูงสุด Rds On, Min Rds On) | 1.2V, 4.5V | |
ท่อระบายน้ำไปยังแหล่งที่มาของแรงดัน (Vdss) | 8 V | |
ปัจจุบัน - Drain ต่อเนื่อง (Id) @ 25 องศาเซลเซียส | 12.2A (Tc) | |
หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | SI8424 |
3 ส่วนด้านขวามีขนาดที่คล้ายกับ Vishay Siliconix SI8424DB-T1-E1
คุณสมบัติสินค้า | ![]() |
![]() |
![]() |
![]() |
---|---|---|---|---|
รุ่นผลิตภัณฑ์ | SI8424DB-T1-E1 | SI8424CDB-T1-E1 | SI8425DB-T1-E1 | SI8429DB-T1-E1 |
ผู้ผลิต | Vishay Siliconix | Vishay Siliconix | Vishay Siliconix | Vishay Siliconix |
แรงดันไฟฟ้าของไดรฟ์ (สูงสุด Rds On, Min Rds On) | 1.2V, 4.5V | 1.2V, 4.5V | 1.8V, 4.5V | 1.2V, 4.5V |
บรรจุุภัณฑ์ | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) |
ชุด | TrenchFET® | TrenchFET® | TrenchFET® | TrenchFET® |
พลังงานที่สูญเสีย (สูงสุด) | 2.78W (Ta), 6.25W (Tc) | 1.1W (Ta), 2.7W (Tc) | 1.1W (Ta), 2.7W (Tc) | 2.77W (Ta), 6.25W (Tc) |
Input Capacitance (Ciss) (สูงสุด) ที่ Vds | 1950 pF @ 4 V | 2340 pF @ 4 V | 2800 pF @ 10 V | 1640 pF @ 4 V |
อุณหภูมิในการทำงาน | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) |
VGS (TH) (สูงสุด) @ Id | 1V @ 250µA | 800mV @ 250µA | 900mV @ 250µA | 800mV @ 250µA |
ท่อระบายน้ำไปยังแหล่งที่มาของแรงดัน (Vdss) | 8 V | 8 V | 20 V | 8 V |
ประเภท FET | N-Channel | N-Channel | P-Channel | P-Channel |
หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | SI8424 | SI8424 | SI8425 | SI8429 |
เทคโนโลยี | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
ประเภทการติดตั้ง | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
ค่าประตู (Qg) (สูงสุด) @ Vgs | 33 nC @ 5 V | 40 nC @ 4.5 V | 110 nC @ 10 V | 26 nC @ 5 V |
ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | 4-Microfoot | 4-Microfoot | 4-WLCSP (1.6x1.6) | 4-Microfoot |
Vgs (สูงสุด) | ±5V | ±5V | ±10V | ±5V |
ปัจจุบัน - Drain ต่อเนื่อง (Id) @ 25 องศาเซลเซียส | 12.2A (Tc) | 6.3A (Ta) | 5.9A (Ta) | 11.7A (Tc) |
RDS บน (สูงสุด) @ Id, Vgs | 31mOhm @ 1A, 4.5V | 20mOhm @ 2A, 4.5V | 23mOhm @ 2A, 4.5V | 35mOhm @ 1A, 4.5V |
หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | 4-XFBGA, CSPBGA | 4-UFBGA, WLCSP | 4-UFBGA, WLCSP | 4-XFBGA, CSPBGA |
คุณสมบัติ FET | - | - | - | - |
ดาวน์โหลดแผ่นข้อมูล SI8424DB-T1-E1 PDF และเอกสาร Vishay Siliconix สำหรับ SI8424DB-T1-E1 - Vishay Siliconix
การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป | ||
---|---|---|
ภูมิภาค | ประเทศ | เวลาโลจิสติก (วัน) |
อเมริกา | สหรัฐ | 5 |
บราซิล | 7 | |
ยุโรป | ประเทศเยอรมนี | 5 |
ประเทศอังกฤษ | 4 | |
อิตาลี | 5 | |
มหาสมุทร | ออสเตรเลีย | 6 |
นิวซีแลนด์ | 5 | |
เอเชีย | อินเดีย | 4 |
ประเทศญี่ปุ่น | 4 | |
ตะวันออกกลาง | ประเทศอิสราเอล | 6 |
อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx | |
---|---|
ค่าจัดส่ง (กก.) | DHL อ้างอิง (USD $) |
0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
ต้องการราคาที่ดีกว่า? เพิ่มลงใน CART และ ส่ง RFQ ตอนนี้เราจะติดต่อคุณทันที