ข้อกำหนดด้านเทคโนโลยี VQ2001P
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิคของ Vishay Siliconix - VQ2001P คุณลักษณะพารามิเตอร์และชิ้นส่วนที่มีข้อกำหนดที่คล้ายกันกับ Vishay Siliconix - VQ2001P
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| ผู้ผลิต | Vishay / Siliconix | |
| VGS (TH) (สูงสุด) @ Id | 4.5V @ 1mA | |
| เทคโนโลยี | MOSFET (Metal Oxide) | |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | - | |
| ชุด | - | |
| RDS บน (สูงสุด) @ Id, Vgs | 2Ohm @ 1A, 12V | |
| เพาเวอร์ - แม็กซ์ | 2W | |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | - | |
| บรรจุุภัณฑ์ | Tube |
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| อุณหภูมิในการทำงาน | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| Input Capacitance (Ciss) (สูงสุด) ที่ Vds | 150pF @ 15V | |
| ค่าประตู (Qg) (สูงสุด) @ Vgs | - | |
| คุณสมบัติ FET | - | |
| ท่อระบายน้ำไปยังแหล่งที่มาของแรงดัน (Vdss) | 30V | |
| ปัจจุบัน - Drain ต่อเนื่อง (Id) @ 25 องศาเซลเซียส | 600mA | |
| องค์ประกอบ | 4 P-Channel | |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | VQ2001 |
3 ส่วนด้านขวามีขนาดที่คล้ายกับ Vishay Siliconix VQ2001P
| คุณสมบัติสินค้า |  |
 |
 |
 |
|---|---|---|---|---|
| รุ่นผลิตภัณฑ์ | VQ2001P | SI6943BDQ-T1-GE3 | FDR8508P | NTGD3149CT1G |
| ผู้ผลิต | Vishay Siliconix | Vishay Siliconix | onsemi | onsemi |
| บรรจุุภัณฑ์ | Tube | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) |
| ชุด | - | TrenchFET® | PowerTrench® | - |
| คุณสมบัติ FET | - | Logic Level Gate | Logic Level Gate | Logic Level Gate |
| VGS (TH) (สูงสุด) @ Id | 4.5V @ 1mA | 800mV @ 250µA | 3V @ 250µA | 1V @ 250µA |
| Input Capacitance (Ciss) (สูงสุด) ที่ Vds | 150pF @ 15V | - | 750pF @ 15V | 387pF @ 10V |
| องค์ประกอบ | 4 P-Channel | 2 P-Channel (Dual) | 2 P-Channel (Dual) | N and P-Channel |
| อุณหภูมิในการทำงาน | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| ค่าประตู (Qg) (สูงสุด) @ Vgs | - | 10nC @ 4.5V | 12nC @ 5V | 5.5nC @ 4.5V |
| ท่อระบายน้ำไปยังแหล่งที่มาของแรงดัน (Vdss) | 30V | 12V | 30V | 20V |
| RDS บน (สูงสุด) @ Id, Vgs | 2Ohm @ 1A, 12V | 80mOhm @ 2.5A, 4.5V | 52mOhm @ 3A, 10V | 60mOhm @ 3.5A, 4.5V |
| เพาเวอร์ - แม็กซ์ | 2W | 800mW | 800mW | 900mW |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | - | 8-TSSOP | SuperSOT™-8 | 6-TSOP |
| ปัจจุบัน - Drain ต่อเนื่อง (Id) @ 25 องศาเซลเซียส | 600mA | 2.3A | 3A | 3.2A, 2.4A |
| เทคโนโลยี | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | VQ2001 | SI6943 | FDR85 | NTGD31 |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | - | 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width) | 8-LSOP (0.130", 3.30mm Width) | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 |
ดาวน์โหลดแผ่นข้อมูล VQ2001P PDF และเอกสาร Vishay Siliconix สำหรับ VQ2001P - Vishay Siliconix
SI6943BDQ-T1-GE3Vishay SiliconixMOSFET 2P-CH 12V 2.3A 8TSSOPVQ2006PSILICNXFDR8508PonsemiMOSFET 2P-CH 30V 3A SSOT-8NTGD3149CT1GonsemiMOSFET N/P-CH 20V 6-TSOP
SH8K1TB1Rohm SemiconductorMOSFET 2N-CH 30V 5A SOP8
UPA2375T1P-E1-ARenesas Electronics America IncMOSFET 2N-CH 24V
AOD609GAlpha & Omega Semiconductor Inc.MOSFET N/P-CH TO252-4
AO4614BLAlpha & Omega Semiconductor Inc.MOSFET N/P-CH 40V 8SOIC
NTUD3128NT5GonsemiMOSFET 2N-CH 20V 0.16A SOT-963VQ2004JSILICONIX
SI1023CX-T1-GE3Vishay SiliconixMOSFET 2P-CH 20V SC89-6VQ2001JSIL
SI4532ADY-T1-E3Vishay SiliconixMOSFET N/P-CH 30V 3.7A 8-SOICFDMC007N30DonsemiMOSFET 2 N-CHANNEL 30V 46A 8MLPFDMC0228onsemiINTEGRATED CIRCUITAOSD21313CAlpha & Omega Semiconductor Inc.MOSFET 2P-CH 8-SOIC
DMG6968UTS-13Diodes IncorporatedMOSFET 2N-CH 20V 5.2A 8TSSOP
BUK7K8R7-40EXNexperia USA Inc.MOSFET 2N-CH 40V 30A 56LFPAK| การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป | ||
|---|---|---|
| ภูมิภาค | ประเทศ | เวลาโลจิสติก (วัน) |
| อเมริกา | สหรัฐ | 5 |
| บราซิล | 7 | |
| ยุโรป | ประเทศเยอรมนี | 5 |
| ประเทศอังกฤษ | 4 | |
| อิตาลี | 5 | |
| มหาสมุทร | ออสเตรเลีย | 6 |
| นิวซีแลนด์ | 5 | |
| เอเชีย | อินเดีย | 4 |
| ประเทศญี่ปุ่น | 4 | |
| ตะวันออกกลาง | ประเทศอิสราเอล | 6 |
| อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx | |
|---|---|
| ค่าจัดส่ง (กก.) | DHL อ้างอิง (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
ต้องการราคาที่ดีกว่า? เพิ่มลงใน CART และ ส่ง RFQ ตอนนี้เราจะติดต่อคุณทันที