ข้อกำหนดด้านเทคโนโลยี 1N4448WT
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิคของ onsemi - 1N4448WT คุณลักษณะพารามิเตอร์และชิ้นส่วนที่มีข้อกำหนดที่คล้ายกันกับ onsemi - 1N4448WT
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| ผู้ผลิต | onsemi | |
| แรงดันไฟฟ้า - ส่ง (Vf) (สูงสุด) @ หาก | 1 V @ 100 mA | |
| แรงดันไฟฟ้า - ดีซี (Reverse VR) ที่ (สูงสุด) | 75 V | |
| เทคโนโลยี | Standard | |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | SOD-523F | |
| ความเร็ว | Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed | |
| ชุด | - | |
| ย้อนกลับเวลาการกู้คืน (TRR) | 4 ns |
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | SC-79, SOD-523F | |
| บรรจุุภัณฑ์ | Tape & Reel (TR) | |
| อุณหภูมิในการทำงาน - Junction | -55°C ~ 150°C | |
| ประเภทการติดตั้ง | Surface Mount | |
| ปัจจุบัน - รั่วไหลย้อนกลับ @ Vr | 5 µA @ 75 V | |
| ปัจจุบัน - เฉลี่ย Rectified (ไอโอ) | 200mA | |
| การประจุกระแสไฟ @ Vr, F | 4pF @ 0V, 1MHz | |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | 1N4448 |
3 ส่วนด้านขวามีขนาดที่คล้ายกับ onsemi 1N4448WT
| คุณสมบัติสินค้า |  |
 |
 |
 |
|---|---|---|---|---|
| รุ่นผลิตภัณฑ์ | 1N4448WT | 1N4448WT | 1N4454 | 1N4448WSFQ-7 |
| ผู้ผลิต | onsemi | Yangjie Technology | Fairchild Semiconductor | Diodes Incorporated |
| การประจุกระแสไฟ @ Vr, F | 4pF @ 0V, 1MHz | - | - | 4pF @ 0V, 1MHz |
| ประเภทการติดตั้ง | Surface Mount | - | Through Hole | Surface Mount |
| ปัจจุบัน - รั่วไหลย้อนกลับ @ Vr | 5 µA @ 75 V | - | 100 nA @ 50 V | 2.5 µA @ 75 V |
| บรรจุุภัณฑ์ | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Bulk | Tape & Reel (TR) |
| แรงดันไฟฟ้า - ส่ง (Vf) (สูงสุด) @ หาก | 1 V @ 100 mA | - | 1 V @ 10 mA | 1.25 V @ 150 mA |
| อุณหภูมิในการทำงาน - Junction | -55°C ~ 150°C | - | -65°C ~ 175°C | -65°C ~ 150°C |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | SOD-523F | - | DO-35 | SOD-323F |
| ชุด | - | - | - | Automotive, AEC-Q101 |
| ความเร็ว | Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed | - | Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| ปัจจุบัน - เฉลี่ย Rectified (ไอโอ) | 200mA | - | 200mA | 250mA |
| ย้อนกลับเวลาการกู้คืน (TRR) | 4 ns | - | 4 ns | 4 ns |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | SC-79, SOD-523F | - | DO-204AH, DO-35, Axial | SC-90, SOD-323F |
| เทคโนโลยี | Standard | - | Standard | Standard |
| แรงดันไฟฟ้า - ดีซี (Reverse VR) ที่ (สูงสุด) | 75 V | - | 75 V | 75 V |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | 1N4448 | 1N4448 | - | 1N4448 |
ดาวน์โหลดแผ่นข้อมูล 1N4448WT PDF และเอกสาร onsemi สำหรับ 1N4448WT - onsemi
1N4448WTYangjie TechnologySOD-523 75V 0.25A Diodes Recti1N4454Fairchild SemiconductorDIODE GEN PURP 75V 200MA DO351N4448WSFQ-7Diodes IncorporatedDIODE GEN PURP 75V 250MA SOD323F1N4448WSF-7Diodes IncorporatedDIODE GEN PURP 75V 250MA SOD323F
1N4448W_R1_00001Panjit International Inc.DIODE GEN PURP 75V 150MA SOD123
1N4448WS-7-FDiodes IncorporatedDIODE GEN PURP 75V 250MA SOD3231N4448WST/RPANJIT1N4448WTFairchild SemiconductorSMALL SIGNAL DIODE1N4448WST5CJ1N4448WS-E3-08Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionDIODE GEN PURP 75V 150MA SOD3231N4454NTE Electronics, IncDIODE GEN PURP 50V 200MA DO351N4448WS-HE3-08Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionDIODE GEN PURP 75V 150MA SOD323
1N4448WSFLITEON
1N4448X-TPMicro Commercial CoDIODE GEN PURP 75V 250MA SOD5231N4448WX-TPMicro Commercial CoDIODE GEN PURP 75V 250MA SOD323
1N4454Microchip TechnologyDIODE GEN PURP 75V 200MA DO351N4448X 8K/R
1N4454onsemiDIODE GEN PURP 50V 200MA DO35| การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป | ||
|---|---|---|
| ภูมิภาค | ประเทศ | เวลาโลจิสติก (วัน) |
| อเมริกา | สหรัฐ | 5 |
| บราซิล | 7 | |
| ยุโรป | ประเทศเยอรมนี | 5 |
| ประเทศอังกฤษ | 4 | |
| อิตาลี | 5 | |
| มหาสมุทร | ออสเตรเลีย | 6 |
| นิวซีแลนด์ | 5 | |
| เอเชีย | อินเดีย | 4 |
| ประเทศญี่ปุ่น | 4 | |
| ตะวันออกกลาง | ประเทศอิสราเอล | 6 |
| อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx | |
|---|---|
| ค่าจัดส่ง (กก.) | DHL อ้างอิง (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
ต้องการราคาที่ดีกว่า? เพิ่มลงใน CART และ ส่ง RFQ ตอนนี้เราจะติดต่อคุณทันที