ข้อกำหนดด้านเทคโนโลยี 1N4454TR
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิคของ onsemi - 1N4454TR คุณลักษณะพารามิเตอร์และชิ้นส่วนที่มีข้อกำหนดที่คล้ายกันกับ onsemi - 1N4454TR
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| ผู้ผลิต | onsemi | |
| แรงดันไฟฟ้า - ส่ง (Vf) (สูงสุด) @ หาก | 1 V @ 10 mA | |
| แรงดันไฟฟ้า - ดีซี (Reverse VR) ที่ (สูงสุด) | 50 V | |
| เทคโนโลยี | Standard | |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | DO-35 | |
| ความเร็ว | Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed | |
| ชุด | - | |
| ย้อนกลับเวลาการกู้คืน (TRR) | 4 ns |
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | DO-204AH, DO-35, Axial | |
| บรรจุุภัณฑ์ | Tape & Reel (TR) | |
| อุณหภูมิในการทำงาน - Junction | 175°C (Max) | |
| ประเภทการติดตั้ง | Through Hole | |
| ปัจจุบัน - รั่วไหลย้อนกลับ @ Vr | 100 nA @ 50 V | |
| ปัจจุบัน - เฉลี่ย Rectified (ไอโอ) | 200mA | |
| การประจุกระแสไฟ @ Vr, F | 4pF @ 0V, 1MHz | |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | 1N4454 |
3 ส่วนด้านขวามีขนาดที่คล้ายกับ onsemi 1N4454TR
| คุณสมบัติสินค้า |  |
 |
 |
 |
|---|---|---|---|---|
| รุ่นผลิตภัณฑ์ | 1N4454TR | 1N4448W_R1_00001 | 1N4459R | 1N4454 |
| ผู้ผลิต | onsemi | Panjit International Inc. | Microchip Technology | NTE Electronics, Inc |
| ย้อนกลับเวลาการกู้คืน (TRR) | 4 ns | 4 ns | - | 4 ns |
| อุณหภูมิในการทำงาน - Junction | 175°C (Max) | -55°C ~ 150°C | -65°C ~ 175°C | 175°C (Max) |
| แรงดันไฟฟ้า - ดีซี (Reverse VR) ที่ (สูงสุด) | 50 V | 75 V | 1000 V | 50 V |
| การประจุกระแสไฟ @ Vr, F | 4pF @ 0V, 1MHz | 4pF @ 0V, 1MHz | - | 4pF @ 0V, 1MHz |
| ปัจจุบัน - เฉลี่ย Rectified (ไอโอ) | 200mA | 150mA | 15A | 200mA |
| ความเร็ว | Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed | Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | 1N4454 | 1N4148 | 1N4459 | - |
| แรงดันไฟฟ้า - ส่ง (Vf) (สูงสุด) @ หาก | 1 V @ 10 mA | 1 V @ 100 mA | 1.5 V @ 15 A | 1 V @ 10 mA |
| เทคโนโลยี | Standard | Standard | Standard, Reverse Polarity | Standard |
| บรรจุุภัณฑ์ | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Bulk | Bag |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | DO-35 | SOD-123 | DO-203AA (DO-4) | DO-35 |
| ประเภทการติดตั้ง | Through Hole | Surface Mount | Chassis, Stud Mount | Through Hole |
| ปัจจุบัน - รั่วไหลย้อนกลับ @ Vr | 100 nA @ 50 V | 2.5 µA @ 75 V | 50 µA @ 1000 V | 100 nA @ 50 V |
| ชุด | - | - | Military, MIL-PRF-19500/162 | - |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | DO-204AH, DO-35, Axial | SOD-123 | DO-203AA, DO-4, Stud | DO-204AH, DO-35, Axial |
ดาวน์โหลดแผ่นข้อมูล 1N4454TR PDF และเอกสาร onsemi สำหรับ 1N4454TR - onsemi
1N4448W_R1_00001Panjit International Inc.DIODE GEN PURP 75V 150MA SOD1231N4454-TRECTROM1N4459RMicrochip TechnologyDIODE GP REV 1KV 15A DO203AA1N4454NTE Electronics, IncDIODE GEN PURP 50V 200MA DO351N4506AIRIGBT Module
1N4454Fairchild SemiconductorDIODE GEN PURP 75V 200MA DO351N4454Microchip TechnologyDIODE GEN PURP 75V 200MA DO351N4458RMicrochip TechnologyDIODE GP REV 800V 15A DO203AA
1N4476Microchip TechnologyDIODE ZENER1N4448X 8K/R1N4458Microchip TechnologyDIODE GEN PURP 800V 15A DO203AA1N4454TRFairchild SemiconductorHIGH CONDUCTANCE ULTRA FAST DIOD1N4459Microchip TechnologyDIODE GEN PURP 1KV 15A DO203AA1N4506Microchip TechnologySTANDARD RECTIFIER
1N4476Solid State Inc.GLASS 1.5 WATT ZENER DIODE1N4454onsemiDIODE GEN PURP 50V 200MA DO35
1N4471USMicrochip TechnologyDIODE ZENER
1N4448X-TPMicro Commercial CoDIODE GEN PURP 75V 250MA SOD523| การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป | ||
|---|---|---|
| ภูมิภาค | ประเทศ | เวลาโลจิสติก (วัน) |
| อเมริกา | สหรัฐ | 5 |
| บราซิล | 7 | |
| ยุโรป | ประเทศเยอรมนี | 5 |
| ประเทศอังกฤษ | 4 | |
| อิตาลี | 5 | |
| มหาสมุทร | ออสเตรเลีย | 6 |
| นิวซีแลนด์ | 5 | |
| เอเชีย | อินเดีย | 4 |
| ประเทศญี่ปุ่น | 4 | |
| ตะวันออกกลาง | ประเทศอิสราเอล | 6 |
| อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx | |
|---|---|
| ค่าจัดส่ง (กก.) | DHL อ้างอิง (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
ต้องการราคาที่ดีกว่า? เพิ่มลงใน CART และ ส่ง RFQ ตอนนี้เราจะติดต่อคุณทันที