ข้อกำหนดด้านเทคโนโลยี 1N914BTR
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิคของ onsemi - 1N914BTR คุณลักษณะพารามิเตอร์และชิ้นส่วนที่มีข้อกำหนดที่คล้ายกันกับ onsemi - 1N914BTR
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| ผู้ผลิต | onsemi | |
| แรงดันไฟฟ้า - ส่ง (Vf) (สูงสุด) @ หาก | 1 V @ 100 mA | |
| แรงดันไฟฟ้า - ดีซี (Reverse VR) ที่ (สูงสุด) | 100 V | |
| เทคโนโลยี | Standard | |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | DO-35 | |
| ความเร็ว | Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed | |
| ชุด | - | |
| ย้อนกลับเวลาการกู้คืน (TRR) | 4 ns |
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | DO-204AH, DO-35, Axial | |
| บรรจุุภัณฑ์ | Tape & Reel (TR) | |
| อุณหภูมิในการทำงาน - Junction | -55°C ~ 175°C | |
| ประเภทการติดตั้ง | Through Hole | |
| ปัจจุบัน - รั่วไหลย้อนกลับ @ Vr | 5 µA @ 75 V | |
| ปัจจุบัน - เฉลี่ย Rectified (ไอโอ) | 200mA | |
| การประจุกระแสไฟ @ Vr, F | 4pF @ 0V, 1MHz | |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | 1N914B |
3 ส่วนด้านขวามีขนาดที่คล้ายกับ onsemi 1N914BTR
| คุณสมบัติสินค้า |  |
|
 |
 |
|---|---|---|---|---|
| รุ่นผลิตภัณฑ์ | 1N914BTR | 1N914B | 1N914B | 1N914B |
| ผู้ผลิต | onsemi | onsemi | Fairchild Semiconductor | NTE Electronics, Inc |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | DO-35 | DO-35 | DO-35 | DO-35 |
| เทคโนโลยี | Standard | Standard | Standard | Standard |
| ปัจจุบัน - รั่วไหลย้อนกลับ @ Vr | 5 µA @ 75 V | 5 µA @ 75 V | 5 µA @ 75 V | 5 µA @ 75 V |
| ปัจจุบัน - เฉลี่ย Rectified (ไอโอ) | 200mA | 200mA | 200mA | 200mA |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | 1N914B | 1N914B | - | - |
| ย้อนกลับเวลาการกู้คืน (TRR) | 4 ns | 4 ns | 4 ns | 4 ns |
| แรงดันไฟฟ้า - ส่ง (Vf) (สูงสุด) @ หาก | 1 V @ 100 mA | 1 V @ 100 mA | 1 V @ 200 mA | 1 V @ 100 mA |
| บรรจุุภัณฑ์ | Tape & Reel (TR) | Bulk | Bulk | Bag |
| ชุด | - | - | - | - |
| แรงดันไฟฟ้า - ดีซี (Reverse VR) ที่ (สูงสุด) | 100 V | 100 V | 100 V | 100 V |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | DO-204AH, DO-35, Axial | DO-204AH, DO-35, Axial | DO-204AH, DO-35, Axial | DO-204AH, DO-35, Axial |
| การประจุกระแสไฟ @ Vr, F | 4pF @ 0V, 1MHz | 4pF @ 0V, 1MHz | 4pF @ 0V, 1MHz | 4pF @ 0V, 1MHz |
| ความเร็ว | Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed | Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed | Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed | Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed |
| ประเภทการติดตั้ง | Through Hole | Through Hole | Through Hole | Through Hole |
| อุณหภูมิในการทำงาน - Junction | -55°C ~ 175°C | -55°C ~ 175°C | -65°C ~ 175°C | -65°C ~ 175°C |
ดาวน์โหลดแผ่นข้อมูล 1N914BTR PDF และเอกสาร onsemi สำหรับ 1N914BTR - onsemi
1N914BonsemiDIODE GEN PURP 100V 200MA DO35
1N914BTFT-88LAPIS Technology
1N914B/TRAMI Semiconductor/onsemi
1N914BNXP Semiconductors1N914 - RECTIFIER DIODE, 0.2A, 11N914BFairchild SemiconductorRECTIFIER DIODE, 0.2A, 100V, DO-1N914BNTE Electronics, IncDIODE GEN PURP 100V 200MA DO351N914BWSFairchild SemiconductorDIODE GEN PURP 75V 150MA SOD323F1N914TRonsemiDIODE GEN PURP 100V 200MA DO351N914BWTonsemiDIODE GEN PURP 75V 200MA SOD523F1N914BWSDKR-NDFAIRCHI1N914TRFairchild SemiconductorRECTIFIER DIODE, 0.2A, 100V, DO-
1N914BTaiwan Semiconductor CorporationDO-35, 100V, 0.15A, SWITCHING DI
1N914TRVishay General Semiconductor - Diodes DivisionDIODE GEN PURP 75V 200MA DO351N914BWTFairchild SemiconductorDIODE GEN PURP 75V 200MA SOD523F1N914BWSonsemiDIODE GEN PURP 75V 150MA SOD323F1N914BTRFairchild SemiconductorRECTIFIER DIODE, 0.2A, 100V, DO-1N914BWSTaiwan Semiconductor CorporationSOD-323F, 100V, 0.15A, SWITCHING1N914BTBTC-NXP| การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป | ||
|---|---|---|
| ภูมิภาค | ประเทศ | เวลาโลจิสติก (วัน) |
| อเมริกา | สหรัฐ | 5 |
| บราซิล | 7 | |
| ยุโรป | ประเทศเยอรมนี | 5 |
| ประเทศอังกฤษ | 4 | |
| อิตาลี | 5 | |
| มหาสมุทร | ออสเตรเลีย | 6 |
| นิวซีแลนด์ | 5 | |
| เอเชีย | อินเดีย | 4 |
| ประเทศญี่ปุ่น | 4 | |
| ตะวันออกกลาง | ประเทศอิสราเอล | 6 |
| อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx | |
|---|---|
| ค่าจัดส่ง (กก.) | DHL อ้างอิง (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
ต้องการราคาที่ดีกว่า? เพิ่มลงใน CART และ ส่ง RFQ ตอนนี้เราจะติดต่อคุณทันที