ข้อกำหนดด้านเทคโนโลยี 2N4124
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิคของ onsemi - 2N4124 คุณลักษณะพารามิเตอร์และชิ้นส่วนที่มีข้อกำหนดที่คล้ายกันกับ onsemi - 2N4124
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| ผู้ผลิต | onsemi | |
| แรงดันไฟฟ้า - คอ Emitter พังทลาย (สูงสุด) | 25 V | |
| VCE อิ่มตัว (สูงสุด) @ Ib, Ic | 300mV @ 5mA, 50mA | |
| ประเภททรานซิสเตอร์ | NPN | |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | TO-92 (TO-226) | |
| ชุด | - | |
| เพาเวอร์ - แม็กซ์ | 625 mW | |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | TO-226-3, TO-92-3 Long Body |
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| บรรจุุภัณฑ์ | Bulk | |
| อุณหภูมิในการทำงาน | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| ประเภทการติดตั้ง | Through Hole | |
| ความถี่ - การเปลี่ยน | 300MHz | |
| DC กำไรปัจจุบัน (HFE) (ต่ำสุด) @ IC, VCE | 120 @ 2mA, 1V | |
| ปัจจุบัน - นักลัด (สูงสุด) | 50nA (ICBO) | |
| ปัจจุบัน - สะสม (IC) (สูงสุด) | 200 mA | |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | 2N4124 |
3 ส่วนด้านขวามีขนาดที่คล้ายกับ onsemi 2N4124
| คุณสมบัติสินค้า |  |
 |
 |
|
|---|---|---|---|---|
| รุ่นผลิตภัณฑ์ | 2N4124 | 2N4124 | 2N4150 | 2N4123 |
| ผู้ผลิต | onsemi | NTE Electronics, Inc | Microchip Technology | Harris Corporation |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | 2N4124 | - | 2N4150 | - |
| DC กำไรปัจจุบัน (HFE) (ต่ำสุด) @ IC, VCE | 120 @ 2mA, 1V | 120 @ 2mA, 1V | 50 @ 1A, 5V | 50 @ 2mA, 1V |
| อุณหภูมิในการทำงาน | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -65°C ~ 200°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | TO-92 (TO-226) | TO-92 (TO-226) | TO-5AA | TO-92 |
| บรรจุุภัณฑ์ | Bulk | Bag | Bulk | Bulk |
| ชุด | - | - | - | - |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | TO-226-3, TO-92-3 Long Body | TO-226-3, TO-92-3 Long Body | TO-205AA, TO-5-3 Metal Can | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) |
| ปัจจุบัน - สะสม (IC) (สูงสุด) | 200 mA | 200 mA | 10 A | 200 mA |
| เพาเวอร์ - แม็กซ์ | 625 mW | 625 mW | 1 W | 350 mW |
| ปัจจุบัน - นักลัด (สูงสุด) | 50nA (ICBO) | 50nA (ICBO) | 10µA | 50nA (ICBO) |
| VCE อิ่มตัว (สูงสุด) @ Ib, Ic | 300mV @ 5mA, 50mA | 300mV @ 5mA, 50mA | 2.5V @ 1A, 10A | 300mV @ 5mA, 50mA |
| แรงดันไฟฟ้า - คอ Emitter พังทลาย (สูงสุด) | 25 V | 25 V | 70 V | 30 V |
| ประเภททรานซิสเตอร์ | NPN | NPN | NPN | NPN |
| ความถี่ - การเปลี่ยน | 300MHz | 300MHz | - | 250MHz |
| ประเภทการติดตั้ง | Through Hole | Through Hole | Through Hole | Through Hole |
ดาวน์โหลดแผ่นข้อมูล 2N4124 PDF และเอกสาร onsemi สำหรับ 2N4124 - onsemi
2N4124NTE Electronics, IncTRANS NPN 25V 0.2A TO922N4150Microchip TechnologyNPN TRANSISTOR2N4123Harris CorporationTRANS NPN 30V 0.2A TO922N4125NTE Electronics, IncTRANS PNP 30V 0.2A TO92
2N4118AVishay SiliconixJFET N-CH 40V TO206AF
2N4092Microchip TechnologyJFET N-CH 40V TO182N4093Microchip TechnologyJFET N-CH 40V TO18
2N4126TAonsemiTRANS PNP 25V 0.2A TO92-32N4126NTE Electronics, IncTRANS PNP 25V 0.2A TO92
2N4118A MOSElectro-Films (EFI) / Vishay
2N4124Fairchild SemiconductorTRANS NPN 25V 0.2A TO922N4125Harris CorporationTRANS PNP 30V 0.2A TO922N4124GonsemiTRANS NPN 25V 0.2A TO922N4125TAonsemiTRANS PNP 30V 0.2A TO92-3
2N4150Solid State Inc.TRANS NPN 80V 10A TO392N4119AVishay SiliconixJFET N-CH 40V TO206AF2N4123NTE Electronics, IncTRANS NPN 30V 0.2A TO922N4126Fairchild SemiconductorTRANS PNP 25V 0.2A TO92| การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป | ||
|---|---|---|
| ภูมิภาค | ประเทศ | เวลาโลจิสติก (วัน) |
| อเมริกา | สหรัฐ | 5 |
| บราซิล | 7 | |
| ยุโรป | ประเทศเยอรมนี | 5 |
| ประเทศอังกฤษ | 4 | |
| อิตาลี | 5 | |
| มหาสมุทร | ออสเตรเลีย | 6 |
| นิวซีแลนด์ | 5 | |
| เอเชีย | อินเดีย | 4 |
| ประเทศญี่ปุ่น | 4 | |
| ตะวันออกกลาง | ประเทศอิสราเอล | 6 |
| อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx | |
|---|---|
| ค่าจัดส่ง (กก.) | DHL อ้างอิง (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
ต้องการราคาที่ดีกว่า? เพิ่มลงใน CART และ ส่ง RFQ ตอนนี้เราจะติดต่อคุณทันที