ข้อกำหนดด้านเทคโนโลยี 2N5064G
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิคของ onsemi - 2N5064G คุณลักษณะพารามิเตอร์และชิ้นส่วนที่มีข้อกำหนดที่คล้ายกันกับ onsemi - 2N5064G
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| ผู้ผลิต | onsemi | |
| แรงดันไฟฟ้า - วันที่ของรัฐ (Vtm) (สูงสุด) | 1.7 V | |
| แรงดันไฟฟ้า - ปิดเครื่อง | 200 V | |
| แรงดันไฟฟ้า - กระตุ้นเกท (Vgt) (สูงสุด) | 800 mV | |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | TO-92 (TO-226) | |
| ชุด | - | |
| ประเภท SCR | Sensitive Gate | |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | TO-226-3, TO-92-3 Long Body | |
| บรรจุุภัณฑ์ | Bulk |
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| อุณหภูมิในการทำงาน | -40°C ~ 110°C | |
| ประเภทการติดตั้ง | Through Hole | |
| ปัจจุบัน - วันที่ของรัฐ (มัน (RMS)) (สูงสุด) | 800 mA | |
| ปัจจุบัน - วันที่ของรัฐ (มัน (AV)) (สูงสุด) | 510 mA | |
| ปัจจุบันเปิด - ปิดของรัฐ (สูงสุด) | 10 µA | |
| ปัจจุบัน -. องค์กรไม่แสวงหาตัวแทน Surge 50, 60Hz (ITSM) | 10A @ 60Hz | |
| ปัจจุบัน - ถือ (Ih) (สูงสุด) | 5 mA | |
| ปัจจุบัน - กระตุ้นเกท (Igt) (สูงสุด) | 200 µA | |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | 2N5064 |
3 ส่วนด้านขวามีขนาดที่คล้ายกับ onsemi 2N5064G
| คุณสมบัติสินค้า |  |
|
 |
|
|---|---|---|---|---|
| รุ่นผลิตภัณฑ์ | 2N5064G | 2N5061G | 2N5062RLRAG | 2N5060G |
| ผู้ผลิต | onsemi | onsemi | onsemi | onsemi |
| ปัจจุบัน - กระตุ้นเกท (Igt) (สูงสุด) | 200 µA | 200 µA | 200 µA | 200 µA |
| ปัจจุบัน - ถือ (Ih) (สูงสุด) | 5 mA | 5 mA | 5 mA | 5 mA |
| ปัจจุบันเปิด - ปิดของรัฐ (สูงสุด) | 10 µA | 10 µA | 10 µA | 10 µA |
| ประเภท SCR | Sensitive Gate | Sensitive Gate | Sensitive Gate | Sensitive Gate |
| ชุด | - | - | - | - |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | 2N5064 | 2N5061 | 2N5062 | 2N5060 |
| แรงดันไฟฟ้า - วันที่ของรัฐ (Vtm) (สูงสุด) | 1.7 V | 1.7 V | 1.7 V | 1.7 V |
| ปัจจุบัน - วันที่ของรัฐ (มัน (AV)) (สูงสุด) | 510 mA | 510 mA | 510 mA | 510 mA |
| แรงดันไฟฟ้า - กระตุ้นเกท (Vgt) (สูงสุด) | 800 mV | 800 mV | 800 mV | 800 mV |
| ปัจจุบัน - วันที่ของรัฐ (มัน (RMS)) (สูงสุด) | 800 mA | 800 mA | 800 mA | 800 mA |
| แรงดันไฟฟ้า - ปิดเครื่อง | 200 V | 60 V | 100 V | 30 V |
| ปัจจุบัน -. องค์กรไม่แสวงหาตัวแทน Surge 50, 60Hz (ITSM) | 10A @ 60Hz | 10A @ 60Hz | 10A @ 60Hz | 10A @ 60Hz |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | TO-226-3, TO-92-3 Long Body | TO-226-3, TO-92-3 Long Body | TO-226-3, TO-92-3 Long Body (Formed Leads) | TO-226-3, TO-92-3 Long Body |
| บรรจุุภัณฑ์ | Bulk | Bulk | Tape & Reel (TR) | Bulk |
| ประเภทการติดตั้ง | Through Hole | Through Hole | Through Hole | Through Hole |
| อุณหภูมิในการทำงาน | -40°C ~ 110°C | -40°C ~ 110°C | -40°C ~ 110°C | -40°C ~ 110°C |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | TO-92 (TO-226) | TO-92 (TO-226) | TO-92 (TO-226) | TO-92 (TO-226) |
ดาวน์โหลดแผ่นข้อมูล 2N5064G PDF และเอกสาร onsemi สำหรับ 2N5064G - onsemi
2N5061GonsemiSCR 60V 800MA TO92-32N5062RLRAGonsemiSCR 100V 800MA TO92-32N5060GonsemiSCR 30V 800MA TO92-3
2N5061Central SemiconductorSCR 0.8A 60V TO-92
2N5074Microchip TechnologyPOWER BJT2N5071Microchip TechnologyPOWER BJT2N5087RLRAonsemiTRANS PNP 50V 0.05A TO922N5076Microchip TechnologyPOWER BJT2N5062Central SemiconductorSCR 0.8A 100V TO-92
2N5059(S)MOT2N5075Microchip TechnologyPOWER BJT2N5064Littelfuse Inc.SCR 200V 800MA TO92-32N5060RLRAGonsemiSCR 30V 800MA TO92-3
2N5087AMI Semiconductor / ON SemiconductorDIE TRANS PNP 50V SMALL SIGNAL2N5087Central SemiconductorTRANS PNP 50V 0.05A TO-922N5087GonsemiTRANS PNP 50V 0.05A TO922N5062 PBFREECentral Semiconductor CorpSCR 100V 800MA TO922N5062GonsemiSCR 100V 800MA TO92-3| การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป | ||
|---|---|---|
| ภูมิภาค | ประเทศ | เวลาโลจิสติก (วัน) |
| อเมริกา | สหรัฐ | 5 |
| บราซิล | 7 | |
| ยุโรป | ประเทศเยอรมนี | 5 |
| ประเทศอังกฤษ | 4 | |
| อิตาลี | 5 | |
| มหาสมุทร | ออสเตรเลีย | 6 |
| นิวซีแลนด์ | 5 | |
| เอเชีย | อินเดีย | 4 |
| ประเทศญี่ปุ่น | 4 | |
| ตะวันออกกลาง | ประเทศอิสราเอล | 6 |
| อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx | |
|---|---|
| ค่าจัดส่ง (กก.) | DHL อ้างอิง (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
ต้องการราคาที่ดีกว่า? เพิ่มลงใน CART และ ส่ง RFQ ตอนนี้เราจะติดต่อคุณทันที