ข้อกำหนดด้านเทคโนโลยี 2N5306
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิคของ onsemi - 2N5306 คุณลักษณะพารามิเตอร์และชิ้นส่วนที่มีข้อกำหนดที่คล้ายกันกับ onsemi - 2N5306
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| ผู้ผลิต | onsemi | |
| แรงดันไฟฟ้า - คอ Emitter พังทลาย (สูงสุด) | 25 V | |
| VCE อิ่มตัว (สูงสุด) @ Ib, Ic | 1.4V @ 200µA, 200mA | |
| ประเภททรานซิสเตอร์ | NPN - Darlington | |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | TO-92-3 | |
| ชุด | - | |
| เพาเวอร์ - แม็กซ์ | 625 mW | |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) |
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| บรรจุุภัณฑ์ | Bulk | |
| อุณหภูมิในการทำงาน | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| ประเภทการติดตั้ง | Through Hole | |
| ความถี่ - การเปลี่ยน | - | |
| DC กำไรปัจจุบัน (HFE) (ต่ำสุด) @ IC, VCE | 7000 @ 2mA, 5V | |
| ปัจจุบัน - นักลัด (สูงสุด) | 100nA (ICBO) | |
| ปัจจุบัน - สะสม (IC) (สูงสุด) | 1.2 A | |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | 2N5306 |
3 ส่วนด้านขวามีขนาดที่คล้ายกับ onsemi 2N5306
| คุณสมบัติสินค้า |  |
 |
 |
|
|---|---|---|---|---|
| รุ่นผลิตภัณฑ์ | 2N5306 | 2N5320 | 2N5320 | 2N5320 |
| ผู้ผลิต | onsemi | Solid State Inc. | Microchip Technology | NTE Electronics, Inc |
| เพาเวอร์ - แม็กซ์ | 625 mW | 10 W | 10 W | 10 W |
| DC กำไรปัจจุบัน (HFE) (ต่ำสุด) @ IC, VCE | 7000 @ 2mA, 5V | 30 @ 500mA, 4V | 30 @ 500mA, 4V | 30 @ 500mA, 4V |
| บรรจุุภัณฑ์ | Bulk | Box | Bulk | Bag |
| อุณหภูมิในการทำงาน | -55°C ~ 150°C (TJ) | -65°C ~ 200°C (TJ) | -65°C ~ 200°C (TJ) | - |
| ชุด | - | - | - | - |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) | TO-205AD, TO-39-3 Metal Can | TO-205AA, TO-5-3 Metal Can | TO-205AD, TO-39-3 Metal Can |
| ความถี่ - การเปลี่ยน | - | - | - | - |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | 2N5306 | - | - | - |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | TO-92-3 | TO-39 | TO-5AA | TO-39 |
| ประเภททรานซิสเตอร์ | NPN - Darlington | NPN | NPN | NPN |
| ปัจจุบัน - นักลัด (สูงสุด) | 100nA (ICBO) | 100µA | - | - |
| ปัจจุบัน - สะสม (IC) (สูงสุด) | 1.2 A | 2 A | 2 A | 2 A |
| แรงดันไฟฟ้า - คอ Emitter พังทลาย (สูงสุด) | 25 V | 75 V | 75 V | 75 V |
| ประเภทการติดตั้ง | Through Hole | Through Hole | Through Hole | Through Hole |
| VCE อิ่มตัว (สูงสุด) @ Ib, Ic | 1.4V @ 200µA, 200mA | 500mV @ 50mA, 500mA | - | 500mV @ 50mA, 500mA |
ดาวน์โหลดแผ่นข้อมูล 2N5306 PDF และเอกสาร onsemi สำหรับ 2N5306 - onsemi
2N5247Fairchild SemiconductorJFET N-CH 30V TO922N5320Solid State Inc.TRANS NPN 75V 2A TO392N5320Microchip TechnologyCUSTOM
2N5245Central Semiconductor CorpIC RF AMPLIFIER N-CH 30V TO922N5245Fairchild SemiconductorSMALL SIGNAL FET2N5251MSCIGBT Module2N5320NTE Electronics, IncTRANS NPN 75V 2A TO392N5245onsemiJFET N-CH 30V 15MA TO92
2N5322Solid State Inc.TRANS PNP 75V 2A TO39
2N5322Microchip TechnologyTRANS PNP 75V 2A TO52N5260IRIGBT Module2N5321Solid State Inc.TRANS NPN 50V 2A TO39
2N5306GAMI Semiconductor/onsemi2N5321Microchip TechnologyNPN TRANSISTOR2N5247onsemiJFET N-CH 30V TO922N5322onsemiTRANS PNP 75V 2A TO392N5320onsemiTRANS NPN 75V 2A TO392N5270MOT| การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป | ||
|---|---|---|
| ภูมิภาค | ประเทศ | เวลาโลจิสติก (วัน) |
| อเมริกา | สหรัฐ | 5 |
| บราซิล | 7 | |
| ยุโรป | ประเทศเยอรมนี | 5 |
| ประเทศอังกฤษ | 4 | |
| อิตาลี | 5 | |
| มหาสมุทร | ออสเตรเลีย | 6 |
| นิวซีแลนด์ | 5 | |
| เอเชีย | อินเดีย | 4 |
| ประเทศญี่ปุ่น | 4 | |
| ตะวันออกกลาง | ประเทศอิสราเอล | 6 |
| อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx | |
|---|---|
| ค่าจัดส่ง (กก.) | DHL อ้างอิง (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
ต้องการราคาที่ดีกว่า? เพิ่มลงใน CART และ ส่ง RFQ ตอนนี้เราจะติดต่อคุณทันที