ข้อกำหนดด้านเทคโนโลยี 2N5401BU
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิคของ onsemi - 2N5401BU คุณลักษณะพารามิเตอร์และชิ้นส่วนที่มีข้อกำหนดที่คล้ายกันกับ onsemi - 2N5401BU
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| ผู้ผลิต | onsemi | |
| แรงดันไฟฟ้า - คอ Emitter พังทลาย (สูงสุด) | 150 V | |
| VCE อิ่มตัว (สูงสุด) @ Ib, Ic | 500mV @ 5mA, 50mA | |
| ประเภททรานซิสเตอร์ | PNP | |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | TO-92-3 | |
| ชุด | - | |
| เพาเวอร์ - แม็กซ์ | 625 mW | |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) |
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| บรรจุุภัณฑ์ | Bulk | |
| อุณหภูมิในการทำงาน | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| ประเภทการติดตั้ง | Through Hole | |
| ความถี่ - การเปลี่ยน | 400MHz | |
| DC กำไรปัจจุบัน (HFE) (ต่ำสุด) @ IC, VCE | 60 @ 10mA, 5V | |
| ปัจจุบัน - นักลัด (สูงสุด) | 50nA (ICBO) | |
| ปัจจุบัน - สะสม (IC) (สูงสุด) | 600 mA | |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | 2N5401 |
3 ส่วนด้านขวามีขนาดที่คล้ายกับ onsemi 2N5401BU
| คุณสมบัติสินค้า |  |
 |
|
|
|---|---|---|---|---|
| รุ่นผลิตภัณฑ์ | 2N5401BU | 2N5401RLRAG | 2N5401G | 2N5401 |
| ผู้ผลิต | onsemi | onsemi | onsemi | onsemi |
| เพาเวอร์ - แม็กซ์ | 625 mW | 625 mW | 625 mW | 625 mW |
| VCE อิ่มตัว (สูงสุด) @ Ib, Ic | 500mV @ 5mA, 50mA | 500mV @ 5mA, 50mA | 500mV @ 5mA, 50mA | 500mV @ 5mA, 50mA |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | TO-92-3 | TO-92 (TO-226) | TO-92 (TO-226) | TO-92 (TO-226) |
| ความถี่ - การเปลี่ยน | 400MHz | 300MHz | 300MHz | 300MHz |
| ชุด | - | - | - | - |
| แรงดันไฟฟ้า - คอ Emitter พังทลาย (สูงสุด) | 150 V | 150 V | 150 V | 150 V |
| ปัจจุบัน - นักลัด (สูงสุด) | 50nA (ICBO) | 50nA (ICBO) | 50nA (ICBO) | 50nA (ICBO) |
| DC กำไรปัจจุบัน (HFE) (ต่ำสุด) @ IC, VCE | 60 @ 10mA, 5V | 60 @ 10mA, 5V | 60 @ 10mA, 5V | 60 @ 10mA, 5V |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | 2N5401 | 2N5401 | 2N5401 | 2N5401 |
| ประเภททรานซิสเตอร์ | PNP | PNP | PNP | PNP |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) | TO-226-3, TO-92-3 Long Body (Formed Leads) | TO-226-3, TO-92-3 Long Body | TO-226-3, TO-92-3 Long Body |
| ประเภทการติดตั้ง | Through Hole | Through Hole | Through Hole | Through Hole |
| บรรจุุภัณฑ์ | Bulk | Tape & Reel (TR) | Bulk | Bulk |
| ปัจจุบัน - สะสม (IC) (สูงสุด) | 600 mA | 600 mA | 600 mA | 600 mA |
| อุณหภูมิในการทำงาน | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) |
ดาวน์โหลดแผ่นข้อมูล 2N5401BU PDF และเอกสาร onsemi สำหรับ 2N5401BU - onsemi
2N5401L-B-AB3-RUTC2N5401LUTC2N5401RLRAGonsemiTRANS PNP 150V 0.6A TO922N5401GonsemiTRANS PNP 150V 0.6A TO922N5401onsemiTRANS PNP 150V 0.6A TO922N5401TAonsemiTRANS PNP 150V 0.6A TO92-32N5401S-RTK/PKEC2N5401S-RTKKEC
2N5401HTAEC Product (Toshiba Electronic Devices and Stora2N5400onsemiTRANS PNP 120V 0.6A TO92
2N5401Solid State Inc.TRANS PNP TO922N5401-CCentral Technologies2N5401Diotec SemiconductorBJT TO-92 150V 600MA2N5401-AT/PKEC2N5401SKEC2N5401YBUonsemiTRANS PNP 150V 0.6A TO92-32N5400NTE Electronics, IncTRANS PNP 120V 0.6A TO922N5401NTE Electronics, IncTRANS PNP 150V 0.6A TO92| การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป | ||
|---|---|---|
| ภูมิภาค | ประเทศ | เวลาโลจิสติก (วัน) |
| อเมริกา | สหรัฐ | 5 |
| บราซิล | 7 | |
| ยุโรป | ประเทศเยอรมนี | 5 |
| ประเทศอังกฤษ | 4 | |
| อิตาลี | 5 | |
| มหาสมุทร | ออสเตรเลีย | 6 |
| นิวซีแลนด์ | 5 | |
| เอเชีย | อินเดีย | 4 |
| ประเทศญี่ปุ่น | 4 | |
| ตะวันออกกลาง | ประเทศอิสราเอล | 6 |
| อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx | |
|---|---|
| ค่าจัดส่ง (กก.) | DHL อ้างอิง (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
ต้องการราคาที่ดีกว่า? เพิ่มลงใน CART และ ส่ง RFQ ตอนนี้เราจะติดต่อคุณทันที