ข้อกำหนดด้านเทคโนโลยี 2N5550TAR
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิคของ onsemi - 2N5550TAR คุณลักษณะพารามิเตอร์และชิ้นส่วนที่มีข้อกำหนดที่คล้ายกันกับ onsemi - 2N5550TAR
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| ผู้ผลิต | onsemi | |
| แรงดันไฟฟ้า - คอ Emitter พังทลาย (สูงสุด) | 140 V | |
| VCE อิ่มตัว (สูงสุด) @ Ib, Ic | 250mV @ 5mA, 50mA | |
| ประเภททรานซิสเตอร์ | NPN | |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | TO-92-3 | |
| ชุด | - | |
| เพาเวอร์ - แม็กซ์ | 625 mW | |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads |
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| บรรจุุภัณฑ์ | Cut Tape (CT) | |
| อุณหภูมิในการทำงาน | 150°C (TJ) | |
| ประเภทการติดตั้ง | Through Hole | |
| ความถี่ - การเปลี่ยน | 300MHz | |
| DC กำไรปัจจุบัน (HFE) (ต่ำสุด) @ IC, VCE | 60 @ 10mA, 5V | |
| ปัจจุบัน - นักลัด (สูงสุด) | 100nA (ICBO) | |
| ปัจจุบัน - สะสม (IC) (สูงสุด) | 600 mA | |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | 2N5550 |
3 ส่วนด้านขวามีขนาดที่คล้ายกับ onsemi 2N5550TAR
| คุณสมบัติสินค้า |  |
 |
 |
 |
|---|---|---|---|---|
| รุ่นผลิตภัณฑ์ | 2N5550TAR | 2N5551 | 2N5551 | 2N5550 |
| ผู้ผลิต | onsemi | Fairchild Semiconductor | NTE Electronics, Inc | onsemi |
| ประเภททรานซิสเตอร์ | NPN | NPN | NPN | NPN |
| ปัจจุบัน - นักลัด (สูงสุด) | 100nA (ICBO) | 50nA (ICBO) | - | 100nA (ICBO) |
| เพาเวอร์ - แม็กซ์ | 625 mW | 625 mW | 625 mW | 625 mW |
| บรรจุุภัณฑ์ | Cut Tape (CT) | Bulk | Bag | Bulk |
| VCE อิ่มตัว (สูงสุด) @ Ib, Ic | 250mV @ 5mA, 50mA | 200mV @ 5mA, 50mA | 200mV @ 5mA, 50mA | 250mV @ 5mA, 50mA |
| แรงดันไฟฟ้า - คอ Emitter พังทลาย (สูงสุด) | 140 V | 160 V | 160 V | 140 V |
| ความถี่ - การเปลี่ยน | 300MHz | 300MHz | 300MHz | 300MHz |
| อุณหภูมิในการทำงาน | 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | 2N5550 | - | - | 2N5550 |
| ชุด | - | - | - | - |
| DC กำไรปัจจุบัน (HFE) (ต่ำสุด) @ IC, VCE | 60 @ 10mA, 5V | 80 @ 10mA, 5V | 80 @ 10mA, 5V | 60 @ 10mA, 5V |
| ประเภทการติดตั้ง | Through Hole | Through Hole | Through Hole | Through Hole |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | TO-92-3 | TO-92 (TO-226) | TO-92 | TO-92 (TO-226) |
| ปัจจุบัน - สะสม (IC) (สูงสุด) | 600 mA | 600 mA | 200 mA | 600 mA |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads | TO-226-3, TO-92-3 Long Body |
ดาวน์โหลดแผ่นข้อมูล 2N5550TAR PDF และเอกสาร onsemi สำหรับ 2N5550TAR - onsemi
2N5551Fairchild SemiconductorTRANS NPN 160V 0.6A TO922N5551NTE Electronics, IncTRANS NPN 160V 0.2A TO92
2N5533MOTOROLAIGBT Module2N5550onsemiTRANS NPN 140V 0.6A TO922N5550NTE Electronics, IncTRANS NPN 140V 0.6A TO922N5551 150-200CJ2N5550S-RTK/PKEC2N5550TFRFairchild SemiconductorSMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR,2N5551onsemiTRANS NPN 160V 0.6A TO92
2N5545Microchip TechnologyJFET - DUAL2N5530MOTOROLAIGBT Module2N5550TARFairchild SemiconductorSMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR,2N5515SILICONIX2N5551Diodes IncorporatedTRANSISTOR NPN 160V TO92-32N5540Microchip TechnologyPOWER BJT2N5551Diotec SemiconductorBJT TO-92 160V 600MA2N5551 C 200-3002N5550TFRonsemiTRANS NPN 140V 0.6A TO92-3| การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป | ||
|---|---|---|
| ภูมิภาค | ประเทศ | เวลาโลจิสติก (วัน) |
| อเมริกา | สหรัฐ | 5 |
| บราซิล | 7 | |
| ยุโรป | ประเทศเยอรมนี | 5 |
| ประเทศอังกฤษ | 4 | |
| อิตาลี | 5 | |
| มหาสมุทร | ออสเตรเลีย | 6 |
| นิวซีแลนด์ | 5 | |
| เอเชีย | อินเดีย | 4 |
| ประเทศญี่ปุ่น | 4 | |
| ตะวันออกกลาง | ประเทศอิสราเอล | 6 |
| อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx | |
|---|---|
| ค่าจัดส่ง (กก.) | DHL อ้างอิง (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
ต้องการราคาที่ดีกว่า? เพิ่มลงใน CART และ ส่ง RFQ ตอนนี้เราจะติดต่อคุณทันที