ข้อกำหนดด้านเทคโนโลยี 2N5961
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิคของ onsemi - 2N5961 คุณลักษณะพารามิเตอร์และชิ้นส่วนที่มีข้อกำหนดที่คล้ายกันกับ onsemi - 2N5961
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| ผู้ผลิต | onsemi | |
| แรงดันไฟฟ้า - คอ Emitter พังทลาย (สูงสุด) | 60 V | |
| VCE อิ่มตัว (สูงสุด) @ Ib, Ic | 200mV @ 500µA, 10mA | |
| ประเภททรานซิสเตอร์ | NPN | |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | TO-92-3 | |
| ชุด | - | |
| เพาเวอร์ - แม็กซ์ | 625 mW | |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) |
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| บรรจุุภัณฑ์ | Bulk | |
| อุณหภูมิในการทำงาน | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| ประเภทการติดตั้ง | Through Hole | |
| ความถี่ - การเปลี่ยน | - | |
| DC กำไรปัจจุบัน (HFE) (ต่ำสุด) @ IC, VCE | 150 @ 10mA, 5V | |
| ปัจจุบัน - นักลัด (สูงสุด) | 2nA (ICBO) | |
| ปัจจุบัน - สะสม (IC) (สูงสุด) | 100 mA | |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | 2N5961 |
3 ส่วนด้านขวามีขนาดที่คล้ายกับ onsemi 2N5961
| คุณสมบัติสินค้า |  |
 |
 |
|
|---|---|---|---|---|
| รุ่นผลิตภัณฑ์ | 2N5961 | 2N5879 | 2N5884 | 2N5955 |
| ผู้ผลิต | onsemi | Microchip Technology | Solid State Inc. | Microchip Technology |
| DC กำไรปัจจุบัน (HFE) (ต่ำสุด) @ IC, VCE | 150 @ 10mA, 5V | - | 35 @ 3A, 4V | - |
| เพาเวอร์ - แม็กซ์ | 625 mW | - | 200 W | 40 W |
| อุณหภูมิในการทำงาน | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | -65°C ~ 200°C (TJ) | - |
| บรรจุุภัณฑ์ | Bulk | Bulk | Bulk | Bulk |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | 2N5961 | 2N5879 | - | - |
| ปัจจุบัน - นักลัด (สูงสุด) | 2nA (ICBO) | - | 2mA | - |
| ประเภททรานซิสเตอร์ | NPN | - | PNP | PNP |
| ความถี่ - การเปลี่ยน | - | - | 4MHz | - |
| ประเภทการติดตั้ง | Through Hole | - | Through Hole | Through Hole |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) | - | TO-204AA, TO-3 | TO-213AA, TO-66-2 |
| แรงดันไฟฟ้า - คอ Emitter พังทลาย (สูงสุด) | 60 V | - | 80 V | 60 V |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | TO-92-3 | - | TO-3 | TO-66 (TO-213AA) |
| VCE อิ่มตัว (สูงสุด) @ Ib, Ic | 200mV @ 500µA, 10mA | - | 4V @ 6.25A, 25A | - |
| ปัจจุบัน - สะสม (IC) (สูงสุด) | 100 mA | - | 25 A | 6 A |
| ชุด | - | * | - | - |
ดาวน์โหลดแผ่นข้อมูล 2N5961 PDF และเอกสาร onsemi สำหรับ 2N5961 - onsemi
2N5952onsemiJFET N-CH 30V 8MA TO922N5879Microchip TechnologyPNP POWER TRANSISTOR SILICON AMP2N5884Solid State Inc.TRANS PNP 80V 25A TO32N5955Microchip TechnologyTRANS PNP 60V 6A TO66
2N5886GonsemiTRANS NPN 80V 25A TO204
2N5926MicrosemiIGBT Module2N5884Microchip TechnologyPNP POWER TRANSISTOR SILICON AMP2N5968Microchip TechnologyPOWER BJT2N5884GonsemiTRANS PNP 80V 25A TO2042N5884onsemiTRANS PNP 80V 25A TO2042N5886Microchip TechnologyPNP POWER TRANSISTOR SILICON AMP2N5879Harris CorporationTRANS PNP 60V 15A TO32N5886NTE Electronics, IncTRANS NPN 80V 25A TO2042N5962onsemiTRANS NPN 45V 0.1A TO92-32N5837MOT2N5876Microchip TechnologyPNP POWER TRANSISTOR SILICON AMP2N5943MOT2N5884NTE Electronics, IncTRANS PNP 80V 25A TO204| การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป | ||
|---|---|---|
| ภูมิภาค | ประเทศ | เวลาโลจิสติก (วัน) |
| อเมริกา | สหรัฐ | 5 |
| บราซิล | 7 | |
| ยุโรป | ประเทศเยอรมนี | 5 |
| ประเทศอังกฤษ | 4 | |
| อิตาลี | 5 | |
| มหาสมุทร | ออสเตรเลีย | 6 |
| นิวซีแลนด์ | 5 | |
| เอเชีย | อินเดีย | 4 |
| ประเทศญี่ปุ่น | 4 | |
| ตะวันออกกลาง | ประเทศอิสราเอล | 6 |
| อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx | |
|---|---|
| ค่าจัดส่ง (กก.) | DHL อ้างอิง (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
ต้องการราคาที่ดีกว่า? เพิ่มลงใน CART และ ส่ง RFQ ตอนนี้เราจะติดต่อคุณทันที