ข้อกำหนดด้านเทคโนโลยี 2N6515
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิคของ onsemi - 2N6515 คุณลักษณะพารามิเตอร์และชิ้นส่วนที่มีข้อกำหนดที่คล้ายกันกับ onsemi - 2N6515
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| ผู้ผลิต | onsemi | |
| แรงดันไฟฟ้า - คอ Emitter พังทลาย (สูงสุด) | 250 V | |
| VCE อิ่มตัว (สูงสุด) @ Ib, Ic | 1V @ 5mA, 50mA | |
| ประเภททรานซิสเตอร์ | NPN | |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | TO-92 (TO-226) | |
| ชุด | - | |
| เพาเวอร์ - แม็กซ์ | 625 mW | |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | TO-226-3, TO-92-3 Long Body |
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| บรรจุุภัณฑ์ | Bulk | |
| อุณหภูมิในการทำงาน | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| ประเภทการติดตั้ง | Through Hole | |
| ความถี่ - การเปลี่ยน | 200MHz | |
| DC กำไรปัจจุบัน (HFE) (ต่ำสุด) @ IC, VCE | 45 @ 50mA, 10V | |
| ปัจจุบัน - นักลัด (สูงสุด) | 50nA (ICBO) | |
| ปัจจุบัน - สะสม (IC) (สูงสุด) | 500 mA | |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | 2N6515 |
| คุณลักษณะ | ลักษณะ |
|---|---|
| สถานภาพ RoHS | RoHS ไม่เป็นไปตามข้อกำหนด |
| ระดับความไวต่อความชื้น (MSL) | 1 (Unlimited) |
| เข้าถึงสถานะ | REACH Unaffected |
| ECCN | EAR99 |
| HTSUS |
3 ส่วนด้านขวามีขนาดที่คล้ายกับ onsemi 2N6515
| คุณสมบัติสินค้า |  |
 |
 |
 |
|---|---|---|---|---|
| รุ่นผลิตภัณฑ์ | 2N6515 | 2N6517RLRA | 2N6517BU | 2N6510 |
| ผู้ผลิต | onsemi | onsemi | Fairchild Semiconductor | Microchip Technology |
| DC กำไรปัจจุบัน (HFE) (ต่ำสุด) @ IC, VCE | 45 @ 50mA, 10V | 20 @ 50mA, 10V | 20 @ 50mA, 10V | - |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | TO-92 (TO-226) | TO-92 (TO-226) | TO-92-3 | TO-204AD (TO-3) |
| บรรจุุภัณฑ์ | Bulk | Tape & Reel (TR) | Bulk | Bulk |
| แรงดันไฟฟ้า - คอ Emitter พังทลาย (สูงสุด) | 250 V | 350 V | 350 V | 200 V |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | 2N6515 | 2N6517 | - | - |
| ประเภททรานซิสเตอร์ | NPN | NPN | NPN | NPN |
| ชุด | - | - | - | - |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | TO-226-3, TO-92-3 Long Body | TO-226-3, TO-92-3 Long Body (Formed Leads) | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) | TO-204AA, TO-3 |
| VCE อิ่มตัว (สูงสุด) @ Ib, Ic | 1V @ 5mA, 50mA | 1V @ 5mA, 50mA | 1V @ 5mA, 50mA | - |
| ปัจจุบัน - สะสม (IC) (สูงสุด) | 500 mA | 500 mA | 500 mA | 7 A |
| เพาเวอร์ - แม็กซ์ | 625 mW | 625 mW | 625 mW | 120 W |
| ความถี่ - การเปลี่ยน | 200MHz | 200MHz | 200MHz | - |
| ปัจจุบัน - นักลัด (สูงสุด) | 50nA (ICBO) | 50nA (ICBO) | 50nA (ICBO) | - |
| ประเภทการติดตั้ง | Through Hole | Through Hole | Through Hole | Through Hole |
| อุณหภูมิในการทำงาน | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | 150°C (TJ) | - |
ดาวน์โหลดแผ่นข้อมูล 2N6515 PDF และเอกสาร onsemi สำหรับ 2N6515 - onsemi
2N6517RLRAonsemiTRANS NPN 350V 0.5A TO922N6517BUFairchild SemiconductorSMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR,
2N6509onsemiTHYRISTOR SCR 25A 800V TO220AB2N6510Microchip TechnologyPOWER BJT
2N6520Central SemiconductorTHROUGH-HOLE TRANSISTOR-SMALL SI2N6517CTAonsemiTRANS NPN 400V 0.5A TO92-32N6509TGLittelfuse Inc.SCR 800V 25A TO220AB2N6505GLittelfuse Inc.SCR 100V 25A TO220AB2N6509GLittelfuse Inc.SCR 800V 25A TO220AB2N6513Microchip TechnologyPOWER BJT2N6517onsemiTRANS NPN 350V 0.5A TO92
2N6508G MOSTOOHONG2N6507GLittelfuse Inc.SCR 400V 25A TO220AB2N6520RLRAGonsemiTRANS PNP 350V 0.5A TO922N6517CTAFairchild SemiconductorTRANS NPN 400V 0.5A TO92-32N6508GLittelfuse Inc.SCR 600V 25A TO220AB2N6517TAonsemiTRANS NPN 350V 0.5A TO92-32N6517BUonsemiTRANS NPN 350V 0.5A TO92-3| การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป | ||
|---|---|---|
| ภูมิภาค | ประเทศ | เวลาโลจิสติก (วัน) |
| อเมริกา | สหรัฐ | 5 |
| บราซิล | 7 | |
| ยุโรป | ประเทศเยอรมนี | 5 |
| ประเทศอังกฤษ | 4 | |
| อิตาลี | 5 | |
| มหาสมุทร | ออสเตรเลีย | 6 |
| นิวซีแลนด์ | 5 | |
| เอเชีย | อินเดีย | 4 |
| ประเทศญี่ปุ่น | 4 | |
| ตะวันออกกลาง | ประเทศอิสราเอล | 6 |
| อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx | |
|---|---|
| ค่าจัดส่ง (กก.) | DHL อ้างอิง (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
ต้องการราคาที่ดีกว่า? โปรด เพิ่มลงในรถเข็น เราจะติดต่อคุณทันที