ข้อกำหนดด้านเทคโนโลยี 2N7000
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิคของ onsemi - 2N7000 คุณลักษณะพารามิเตอร์และชิ้นส่วนที่มีข้อกำหนดที่คล้ายกันกับ onsemi - 2N7000
คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
---|---|---|
ผู้ผลิต | onsemi | |
VGS (TH) (สูงสุด) @ Id | 3V @ 1mA | |
Vgs (สูงสุด) | ±20V | |
เทคโนโลยี | MOSFET (Metal Oxide) | |
ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | TO-92-3 | |
ชุด | - | |
RDS บน (สูงสุด) @ Id, Vgs | 5Ohm @ 500mA, 10V | |
พลังงานที่สูญเสีย (สูงสุด) | 400mW (Ta) | |
หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) | |
บรรจุุภัณฑ์ | Bulk |
คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
---|---|---|
อุณหภูมิในการทำงาน | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
ประเภทการติดตั้ง | Through Hole | |
Input Capacitance (Ciss) (สูงสุด) ที่ Vds | 50 pF @ 25 V | |
ประเภท FET | N-Channel | |
คุณสมบัติ FET | - | |
แรงดันไฟฟ้าของไดรฟ์ (สูงสุด Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V | |
ท่อระบายน้ำไปยังแหล่งที่มาของแรงดัน (Vdss) | 60 V | |
ปัจจุบัน - Drain ต่อเนื่อง (Id) @ 25 องศาเซลเซียส | 200mA (Ta) | |
หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | 2N7000 |
3 ส่วนด้านขวามีขนาดที่คล้ายกับ onsemi 2N7000
คุณสมบัติสินค้า | ||||
---|---|---|---|---|
รุ่นผลิตภัณฑ์ | 2N7000 | 2N7000RLRA | 2N7000G | 2N7000 |
ผู้ผลิต | onsemi | onsemi | onsemi | Fairchild Semiconductor |
ชุด | - | - | - | STripFET™ |
ปัจจุบัน - Drain ต่อเนื่อง (Id) @ 25 องศาเซลเซียส | 200mA (Ta) | 200mA (Ta) | 200mA (Ta) | 350mA (Tc) |
เทคโนโลยี | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | TO-92-3 | TO-92 (TO-226) | TO-92 (TO-226) | TO-92-3 |
VGS (TH) (สูงสุด) @ Id | 3V @ 1mA | 3V @ 1mA | 3V @ 1mA | 3V @ 250µA |
ประเภทการติดตั้ง | Through Hole | Through Hole | Through Hole | Through Hole |
ท่อระบายน้ำไปยังแหล่งที่มาของแรงดัน (Vdss) | 60 V | 60 V | 60 V | 60 V |
หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) | TO-226-3, TO-92-3 Long Body (Formed Leads) | TO-226-3, TO-92-3 Long Body | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) |
หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | 2N7000 | 2N7000 | 2N7000 | 2N70 |
RDS บน (สูงสุด) @ Id, Vgs | 5Ohm @ 500mA, 10V | 5Ohm @ 500mA, 10V | 5Ohm @ 500mA, 10V | 5Ohm @ 500mA, 10V |
Input Capacitance (Ciss) (สูงสุด) ที่ Vds | 50 pF @ 25 V | 60 pF @ 25 V | 60 pF @ 25 V | 43 pF @ 25 V |
บรรจุุภัณฑ์ | Bulk | Tape & Reel (TR) | Bulk | Bulk |
ประเภท FET | N-Channel | N-Channel | N-Channel | N-Channel |
อุณหภูมิในการทำงาน | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | 150°C (TJ) |
Vgs (สูงสุด) | ±20V | ±20V | ±20V | ±18V |
พลังงานที่สูญเสีย (สูงสุด) | 400mW (Ta) | 350mW (Tc) | 350mW (Tc) | 350mW (Ta) |
คุณสมบัติ FET | - | - | - | - |
แรงดันไฟฟ้าของไดรฟ์ (สูงสุด Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V | 4.5V, 10V | 4.5V, 10V | 4.5V, 10V |
ดาวน์โหลดแผ่นข้อมูล 2N7000 PDF และเอกสาร onsemi สำหรับ 2N7000 - onsemi
การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป | ||
---|---|---|
ภูมิภาค | ประเทศ | เวลาโลจิสติก (วัน) |
อเมริกา | สหรัฐ | 5 |
บราซิล | 7 | |
ยุโรป | ประเทศเยอรมนี | 5 |
ประเทศอังกฤษ | 4 | |
อิตาลี | 5 | |
มหาสมุทร | ออสเตรเลีย | 6 |
นิวซีแลนด์ | 5 | |
เอเชีย | อินเดีย | 4 |
ประเทศญี่ปุ่น | 4 | |
ตะวันออกกลาง | ประเทศอิสราเอล | 6 |
อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx | |
---|---|
ค่าจัดส่ง (กก.) | DHL อ้างอิง (USD $) |
0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
ต้องการราคาที่ดีกว่า? เพิ่มลงใน CART และ ส่ง RFQ ตอนนี้เราจะติดต่อคุณทันที