ข้อกำหนดด้านเทคโนโลยี 2N7002DW
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิคของ onsemi - 2N7002DW คุณลักษณะพารามิเตอร์และชิ้นส่วนที่มีข้อกำหนดที่คล้ายกันกับ onsemi - 2N7002DW
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| ผู้ผลิต | onsemi | |
| VGS (TH) (สูงสุด) @ Id | 2V @ 250µA | |
| เทคโนโลยี | MOSFET (Metal Oxide) | |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | SC-88 (SC-70-6) | |
| ชุด | - | |
| RDS บน (สูงสุด) @ Id, Vgs | 7.5Ohm @ 50mA, 5V | |
| เพาเวอร์ - แม็กซ์ | 200mW | |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | |
| บรรจุุภัณฑ์ | Tape & Reel (TR) |
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| อุณหภูมิในการทำงาน | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| ประเภทการติดตั้ง | Surface Mount | |
| Input Capacitance (Ciss) (สูงสุด) ที่ Vds | 50pF @ 25V | |
| ค่าประตู (Qg) (สูงสุด) @ Vgs | - | |
| คุณสมบัติ FET | Logic Level Gate | |
| ท่อระบายน้ำไปยังแหล่งที่มาของแรงดัน (Vdss) | 60V | |
| ปัจจุบัน - Drain ต่อเนื่อง (Id) @ 25 องศาเซลเซียส | 115mA | |
| องค์ประกอบ | 2 N-Channel (Dual) | |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | 2N7002 |
3 ส่วนด้านขวามีขนาดที่คล้ายกับ onsemi 2N7002DW
| คุณสมบัติสินค้า |  |
 |
 |
 |
|---|---|---|---|---|
| รุ่นผลิตภัณฑ์ | 2N7002DW | 2N7002DW L6327 | 2N7002DW | 2N7002DW-7-F |
| ผู้ผลิต | onsemi | Infineon Technologies | Yangjie Technology | Diodes Incorporated |
| VGS (TH) (สูงสุด) @ Id | 2V @ 250µA | 2.5V @ 250µA | 2.5V @ 250µA | 2V @ 250µA |
| คุณสมบัติ FET | Logic Level Gate | Logic Level Gate | - | - |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | SC-88 (SC-70-6) | PG-SOT363-PO | SOT-363 | SOT-363 |
| เทคโนโลยี | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
| องค์ประกอบ | 2 N-Channel (Dual) | 2 N-Channel (Dual) | 2 N-Channel (Dual) | 2 N-Channel (Dual) |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | 2N7002 | 2N7002 | 2N7002 | 2N7002 |
| ประเภทการติดตั้ง | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
| เพาเวอร์ - แม็กซ์ | 200mW | 500mW | 300mW | 310mW |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | 6-VSSOP, SC-88, SOT-363 | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
| Input Capacitance (Ciss) (สูงสุด) ที่ Vds | 50pF @ 25V | 20pF @ 25V | 50pF @ 25V | 50pF @ 25V |
| RDS บน (สูงสุด) @ Id, Vgs | 7.5Ohm @ 50mA, 5V | 3Ohm @ 500mA, 10V | 2.5Ohm @ 300mA, 10V | 7.5Ohm @ 50mA, 5V |
| ปัจจุบัน - Drain ต่อเนื่อง (Id) @ 25 องศาเซลเซียส | 115mA | 300mA | 340mA | 230mA |
| อุณหภูมิในการทำงาน | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| ท่อระบายน้ำไปยังแหล่งที่มาของแรงดัน (Vdss) | 60V | 60V | 60V | 60V |
| บรรจุุภัณฑ์ | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) |
| ชุด | - | OptiMOS™ | - | - |
| ค่าประตู (Qg) (สูงสุด) @ Vgs | - | 0.6nC @ 10V | - | - |
ดาวน์โหลดแผ่นข้อมูล 2N7002DW PDF และเอกสาร onsemi สำหรับ 2N7002DW - onsemi
2N7002DW L6327Infineon TechnologiesMOSFET 2N-CH 60V 0.3A SOT363
2N7002CK,215Nexperia2N7002CK215Nexperia2N7002BKVNexperia2N7002DW T/RPANJIT
2N7002DW-7FDiodes Incorporated2N7002BKVLNexperia2N7002BKWNexperia2N7002DWYangjie TechnologySOT-363 N 60V 0.34A Transistors2N7002DW-7-FDiodes IncorporatedMOSFET 2N-CH 60V 0.23A SOT-3632N7002DW-7-GDiodes IncorporatedMOSFET 2N-CH 60V SOT-3632N7002CKNexperia USA Inc.2N7002 - SMALL SIGNAL FIELD-EFFE2N7002DW-7-F MOSDiodes Incorporated2N7002DW-7Diodes IncorporatedMOSFET 2N-CH 60V 0.23A SOT-363
2N7002BKTFreescale / NXP Semiconductors2N7002BKW,115NXP Semiconductors2N7002DW H6327Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)2N7002BKV,115Nexperia| การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป | ||
|---|---|---|
| ภูมิภาค | ประเทศ | เวลาโลจิสติก (วัน) |
| อเมริกา | สหรัฐ | 5 |
| บราซิล | 7 | |
| ยุโรป | ประเทศเยอรมนี | 5 |
| ประเทศอังกฤษ | 4 | |
| อิตาลี | 5 | |
| มหาสมุทร | ออสเตรเลีย | 6 |
| นิวซีแลนด์ | 5 | |
| เอเชีย | อินเดีย | 4 |
| ประเทศญี่ปุ่น | 4 | |
| ตะวันออกกลาง | ประเทศอิสราเอล | 6 |
| อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx | |
|---|---|
| ค่าจัดส่ง (กก.) | DHL อ้างอิง (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
ต้องการราคาที่ดีกว่า? เพิ่มลงใน CART และ ส่ง RFQ ตอนนี้เราจะติดต่อคุณทันที