ข้อกำหนดด้านเทคโนโลยี 2N7002ET1G
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิคของ onsemi - 2N7002ET1G คุณลักษณะพารามิเตอร์และชิ้นส่วนที่มีข้อกำหนดที่คล้ายกันกับ onsemi - 2N7002ET1G
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| ผู้ผลิต | onsemi | |
| VGS (TH) (สูงสุด) @ Id | 2.5V @ 250µA | |
| Vgs (สูงสุด) | ±20V | |
| เทคโนโลยี | MOSFET (Metal Oxide) | |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | SOT-23-3 (TO-236) | |
| ชุด | - | |
| RDS บน (สูงสุด) @ Id, Vgs | 2.5Ohm @ 240mA, 10V | |
| พลังงานที่สูญเสีย (สูงสุด) | 300mW (Tj) | |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | |
| บรรจุุภัณฑ์ | Tape & Reel (TR) |
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| อุณหภูมิในการทำงาน | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| ประเภทการติดตั้ง | Surface Mount | |
| Input Capacitance (Ciss) (สูงสุด) ที่ Vds | 26.7 pF @ 25 V | |
| ค่าประตู (Qg) (สูงสุด) @ Vgs | 0.81 nC @ 5 V | |
| ประเภท FET | N-Channel | |
| คุณสมบัติ FET | - | |
| แรงดันไฟฟ้าของไดรฟ์ (สูงสุด Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V | |
| ท่อระบายน้ำไปยังแหล่งที่มาของแรงดัน (Vdss) | 60 V | |
| ปัจจุบัน - Drain ต่อเนื่อง (Id) @ 25 องศาเซลเซียส | 260mA (Ta) | |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | 2N7002 |
3 ส่วนด้านขวามีขนาดที่คล้ายกับ onsemi 2N7002ET1G
| คุณสมบัติสินค้า |  |
 |
 |
 |
|---|---|---|---|---|
| รุ่นผลิตภัณฑ์ | 2N7002ET1G | 2N7002E-T1-GE3 | 2N7002H-7 | 2N7002EDWT/R |
| ผู้ผลิต | onsemi | Vishay Siliconix | Diodes Incorporated | PANJIT/DIODES |
| ประเภท FET | N-Channel | N-Channel | N-Channel | - |
| แรงดันไฟฟ้าของไดรฟ์ (สูงสุด Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V | 10V | 5V | - |
| พลังงานที่สูญเสีย (สูงสุด) | 300mW (Tj) | 350mW (Ta) | 370mW (Ta) | - |
| อุณหภูมิในการทำงาน | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - |
| ค่าประตู (Qg) (สูงสุด) @ Vgs | 0.81 nC @ 5 V | 0.6 nC @ 4.5 V | 0.35 nC @ 4.5 V | - |
| Input Capacitance (Ciss) (สูงสุด) ที่ Vds | 26.7 pF @ 25 V | 21 pF @ 5 V | 26 pF @ 25 V | - |
| Vgs (สูงสุด) | ±20V | ±20V | ±20V | - |
| คุณสมบัติ FET | - | - | - | - |
| ชุด | - | - | - | - |
| RDS บน (สูงสุด) @ Id, Vgs | 2.5Ohm @ 240mA, 10V | 3Ohm @ 250mA, 10V | 7.5Ohm @ 50mA, 5V | - |
| เทคโนโลยี | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | - |
| VGS (TH) (สูงสุด) @ Id | 2.5V @ 250µA | 2.5V @ 250µA | 3V @ 250µA | - |
| ปัจจุบัน - Drain ต่อเนื่อง (Id) @ 25 องศาเซลเซียส | 260mA (Ta) | 240mA (Ta) | 170mA (Ta) | - |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | - |
| ประเภทการติดตั้ง | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount | - |
| บรรจุุภัณฑ์ | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | - |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | SOT-23-3 (TO-236) | TO-236 | SOT-23-3 | - |
| ท่อระบายน้ำไปยังแหล่งที่มาของแรงดัน (Vdss) | 60 V | 60 V | 60 V | - |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | 2N7002 | 2N7002 | 2N7002 | - |
ดาวน์โหลดแผ่นข้อมูล 2N7002ET1G PDF และเอกสาร onsemi สำหรับ 2N7002ET1G - onsemi
2N7002EDWT/RPANJIT/DIODES2N7002G-AE3-RUTC
2N7002EDCU6Taiwan Semiconductor2N7002ESGPCHENMKO2N7002E-T1-GE3Vishay SiliconixMOSFET N-CH 60V 240MA TO236
2N7002E-T1-E3 MOSElectro-Films (EFI) / Vishay2N7002EPTCHENMKO2N7002ET1SILICONIX
2N7002FNexperia2N7002H-7Diodes IncorporatedMOSFET N-CH 60V 170MA SOT232N7002G-AE2-R MOSUTC2N7002G-AE2-RUTC2N7002EWTECHNOIOGY2N7002EDWYen Sun2N7002ET/RPANJIT2N7002EDW T/RPANJIT2N7002GP-ACHENMKO2N7002GPYRAMISCORP| การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป | ||
|---|---|---|
| ภูมิภาค | ประเทศ | เวลาโลจิสติก (วัน) |
| อเมริกา | สหรัฐ | 5 |
| บราซิล | 7 | |
| ยุโรป | ประเทศเยอรมนี | 5 |
| ประเทศอังกฤษ | 4 | |
| อิตาลี | 5 | |
| มหาสมุทร | ออสเตรเลีย | 6 |
| นิวซีแลนด์ | 5 | |
| เอเชีย | อินเดีย | 4 |
| ประเทศญี่ปุ่น | 4 | |
| ตะวันออกกลาง | ประเทศอิสราเอล | 6 |
| อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx | |
|---|---|
| ค่าจัดส่ง (กก.) | DHL อ้างอิง (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
ต้องการราคาที่ดีกว่า? เพิ่มลงใน CART และ ส่ง RFQ ตอนนี้เราจะติดต่อคุณทันที