ข้อกำหนดด้านเทคโนโลยี 2N7002LT1
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิคของ onsemi - 2N7002LT1 คุณลักษณะพารามิเตอร์และชิ้นส่วนที่มีข้อกำหนดที่คล้ายกันกับ onsemi - 2N7002LT1
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| ผู้ผลิต | onsemi | |
| VGS (TH) (สูงสุด) @ Id | 2.5V @ 250µA | |
| เทคโนโลยี | MOSFET (Metal Oxide) | |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | SOT-23-3 (TO-236) | |
| ชุด | - | |
| RDS บน (สูงสุด) @ Id, Vgs | 7.5Ohm @ 500mA, 10V | |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | |
| บรรจุุภัณฑ์ | Cut Tape (CT) |
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| ประเภทการติดตั้ง | Surface Mount | |
| Input Capacitance (Ciss) (สูงสุด) ที่ Vds | 50 pF @ 25 V | |
| ประเภท FET | N-Channel | |
| คุณสมบัติ FET | - | |
| ท่อระบายน้ำไปยังแหล่งที่มาของแรงดัน (Vdss) | 60 V | |
| ปัจจุบัน - Drain ต่อเนื่อง (Id) @ 25 องศาเซลเซียส | 115mA (Tc) | |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | 2N7002 |
3 ส่วนด้านขวามีขนาดที่คล้ายกับ onsemi 2N7002LT1
| คุณสมบัติสินค้า |  |
|
 |
|
|---|---|---|---|---|
| รุ่นผลิตภัณฑ์ | 2N7002LT1 | 2N7002LT1G | 2N7002MTF | 2N7002K_R1_00001 |
| ผู้ผลิต | onsemi | onsemi | onsemi | Panjit International Inc. |
| เทคโนโลยี | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
| ประเภท FET | N-Channel | N-Channel | N-Channel | N-Channel |
| RDS บน (สูงสุด) @ Id, Vgs | 7.5Ohm @ 500mA, 10V | 7.5Ohm @ 500mA, 10V | 7.5Ohm @ 500mA, 10V | 3Ohm @ 500mA, 10V |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| ปัจจุบัน - Drain ต่อเนื่อง (Id) @ 25 องศาเซลเซียส | 115mA (Tc) | 115mA (Tc) | 115mA (Tc) | 300mA (Ta) |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | 2N7002 | 2N7002 | 2N7002 | 2N7002 |
| คุณสมบัติ FET | - | - | - | - |
| บรรจุุภัณฑ์ | Cut Tape (CT) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) |
| ท่อระบายน้ำไปยังแหล่งที่มาของแรงดัน (Vdss) | 60 V | 60 V | 60 V | 60 V |
| ชุด | - | - | - | - |
| ประเภทการติดตั้ง | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
| Input Capacitance (Ciss) (สูงสุด) ที่ Vds | 50 pF @ 25 V | 50 pF @ 25 V | 50 pF @ 25 V | 35 pF @ 25 V |
| VGS (TH) (สูงสุด) @ Id | 2.5V @ 250µA | 2.5V @ 250µA | 3V @ 1mA | 2.5V @ 250µA |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | SOT-23-3 (TO-236) | SOT-23-3 (TO-236) | SOT-23-3 | SOT-23 |
ดาวน์โหลดแผ่นข้อมูล 2N7002LT1 PDF และเอกสาร onsemi สำหรับ 2N7002LT1 - onsemi
2N7002LT1GonsemiMOSFET N-CH 60V 115MA SOT23-32N7002MTFonsemiMOSFET N-CH 60V 115MA SOT23-3
2N7002LTAMI Semiconductor/onsemi2N7002LTIGAMI Semiconductor/onsemi
2N7002K_R1_000Z9PANJIT2N7002LT1G/702AMI Semiconductor/onsemi2N7002K_R1_00001Panjit International Inc.SOT-23, MOSFET2N7002L1AMI Semiconductor/onsemi2N7002LonsemiMOSFET N-CH 60V 115MA SOT23-32N7002LLG-AE2-RVBSEMI2N7002K_R1PANJIT
2N7002MTFFairchild SemiconductorMOSFET N-CH 60V 115MA SOT23-32N7002LT3GonsemiMOSFET N-CH 60V 115MA SOT23-3
2N7002L6327Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)2N7002LT1HonsemiMOSFET N-CH 60V 115MA SOT23-32N7002LFairchild SemiconductorSMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRANSI2N7002LT7GonsemiMOSFET N-CH 60V 115MA SOT23-32N7002LT1G-001AMI Semiconductor/onsemi| การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป | ||
|---|---|---|
| ภูมิภาค | ประเทศ | เวลาโลจิสติก (วัน) |
| อเมริกา | สหรัฐ | 5 |
| บราซิล | 7 | |
| ยุโรป | ประเทศเยอรมนี | 5 |
| ประเทศอังกฤษ | 4 | |
| อิตาลี | 5 | |
| มหาสมุทร | ออสเตรเลีย | 6 |
| นิวซีแลนด์ | 5 | |
| เอเชีย | อินเดีย | 4 |
| ประเทศญี่ปุ่น | 4 | |
| ตะวันออกกลาง | ประเทศอิสราเอล | 6 |
| อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx | |
|---|---|
| ค่าจัดส่ง (กก.) | DHL อ้างอิง (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
ต้องการราคาที่ดีกว่า? เพิ่มลงใน CART และ ส่ง RFQ ตอนนี้เราจะติดต่อคุณทันที