ข้อกำหนดด้านเทคโนโลยี 2SJ656
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิคของ onsemi - 2SJ656 คุณลักษณะพารามิเตอร์และชิ้นส่วนที่มีข้อกำหนดที่คล้ายกันกับ onsemi - 2SJ656
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| ผู้ผลิต | onsemi | |
| VGS (TH) (สูงสุด) @ Id | - | |
| Vgs (สูงสุด) | ±20V | |
| เทคโนโลยี | MOSFET (Metal Oxide) | |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | TO-220ML | |
| ชุด | - | |
| RDS บน (สูงสุด) @ Id, Vgs | 75.5mOhm @ 9A, 10V | |
| พลังงานที่สูญเสีย (สูงสุด) | 2W (Ta), 30W (Tc) | |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | TO-220-3 Full Pack | |
| บรรจุุภัณฑ์ | Bulk |
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| อุณหภูมิในการทำงาน | 150°C (TJ) | |
| ประเภทการติดตั้ง | Through Hole | |
| Input Capacitance (Ciss) (สูงสุด) ที่ Vds | 4200 pF @ 20 V | |
| ค่าประตู (Qg) (สูงสุด) @ Vgs | 74 nC @ 10 V | |
| ประเภท FET | P-Channel | |
| คุณสมบัติ FET | - | |
| แรงดันไฟฟ้าของไดรฟ์ (สูงสุด Rds On, Min Rds On) | 4V, 10V | |
| ท่อระบายน้ำไปยังแหล่งที่มาของแรงดัน (Vdss) | 100 V | |
| ปัจจุบัน - Drain ต่อเนื่อง (Id) @ 25 องศาเซลเซียส | 18A (Ta) | |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | 2SJ656 |
3 ส่วนด้านขวามีขนาดที่คล้ายกับ onsemi 2SJ656
| คุณสมบัติสินค้า |  |
 |
|
|
|---|---|---|---|---|
| รุ่นผลิตภัณฑ์ | 2SJ656 | 2SJ652-1E | 2SJ661-1EX | 2SJ654 |
| ผู้ผลิต | onsemi | onsemi | onsemi | onsemi |
| Input Capacitance (Ciss) (สูงสุด) ที่ Vds | 4200 pF @ 20 V | 4360 pF @ 20 V | - | - |
| อุณหภูมิในการทำงาน | 150°C (TJ) | 150°C (TJ) | - | - |
| ประเภทการติดตั้ง | Through Hole | Through Hole | - | - |
| พลังงานที่สูญเสีย (สูงสุด) | 2W (Ta), 30W (Tc) | 2W (Ta), 30W (Tc) | - | - |
| เทคโนโลยี | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | - | - |
| ชุด | - | - | - | * |
| ประเภท FET | P-Channel | P-Channel | - | - |
| RDS บน (สูงสุด) @ Id, Vgs | 75.5mOhm @ 9A, 10V | 38mOhm @ 14A, 10V | - | - |
| ค่าประตู (Qg) (สูงสุด) @ Vgs | 74 nC @ 10 V | 80 nC @ 10 V | - | - |
| คุณสมบัติ FET | - | - | - | - |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | 2SJ656 | 2SJ652 | 2SJ661 | - |
| VGS (TH) (สูงสุด) @ Id | - | - | - | - |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | TO-220-3 Full Pack | TO-220-3 Full Pack | - | - |
| บรรจุุภัณฑ์ | Bulk | Tube | Tube | Bulk |
| แรงดันไฟฟ้าของไดรฟ์ (สูงสุด Rds On, Min Rds On) | 4V, 10V | 4V, 10V | 4V, 10V | - |
| ปัจจุบัน - Drain ต่อเนื่อง (Id) @ 25 องศาเซลเซียส | 18A (Ta) | 28A (Ta) | 38A (Tj) | - |
| ท่อระบายน้ำไปยังแหล่งที่มาของแรงดัน (Vdss) | 100 V | 60 V | - | - |
| Vgs (สูงสุด) | ±20V | ±20V | ±20V | - |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | TO-220ML | TO-220F-3SG | - | - |
ดาวน์โหลดแผ่นข้อมูล 2SJ656 PDF และเอกสาร onsemi สำหรับ 2SJ656 - onsemi
2SJ652-1EonsemiMOSFET P-CH 60V 28A TO220F-3SG
2SJ668 MOSTAEC Product (Toshiba Electronic Devices and Stora2SJ652-THAMI Semiconductor/onsemi2SJ661-1EXonsemiMOSFET P-CH I2PAK2SJ654onsemiP-CHANNL SILICON MOSFET
2SJ655/J655SAY2SJ668TAEC Product (Toshiba Electronic Devices and Stora2SJ653/J653SAY2SJ666-DL-EAMI Semiconductor/onsemi2SJ669TAEC Product (Toshiba Electronic Devices and Stora2SJ661AMI Semiconductor/onsemi2SJ668(Q)TAEC Product (Toshiba Electronic Devices and Stora2SJ655onsemiMOSFET P-CH 100V 12A TO220ML2SJ659-DL-EonsemiPCH 4V DRIVE SERIES2SJ655 J655AMI Semiconductor/onsemi2SJ653onsemiPOWER MOSFET MOTOR DRIVERS2SJ653-TH MOSAMI Semiconductor/onsemi2SJ657SanyoP-CHANNL SILICON MOSFET FOR GENE| การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป | ||
|---|---|---|
| ภูมิภาค | ประเทศ | เวลาโลจิสติก (วัน) |
| อเมริกา | สหรัฐ | 5 |
| บราซิล | 7 | |
| ยุโรป | ประเทศเยอรมนี | 5 |
| ประเทศอังกฤษ | 4 | |
| อิตาลี | 5 | |
| มหาสมุทร | ออสเตรเลีย | 6 |
| นิวซีแลนด์ | 5 | |
| เอเชีย | อินเดีย | 4 |
| ประเทศญี่ปุ่น | 4 | |
| ตะวันออกกลาง | ประเทศอิสราเอล | 6 |
| อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx | |
|---|---|
| ค่าจัดส่ง (กก.) | DHL อ้างอิง (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
ต้องการราคาที่ดีกว่า? เพิ่มลงใน CART และ ส่ง RFQ ตอนนี้เราจะติดต่อคุณทันที