ข้อกำหนดด้านเทคโนโลยี 3LN01SS-TL-H
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิคของ onsemi - 3LN01SS-TL-H คุณลักษณะพารามิเตอร์และชิ้นส่วนที่มีข้อกำหนดที่คล้ายกันกับ onsemi - 3LN01SS-TL-H
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| ผู้ผลิต | onsemi | |
| VGS (TH) (สูงสุด) @ Id | - | |
| Vgs (สูงสุด) | ±10V | |
| เทคโนโลยี | MOSFET (Metal Oxide) | |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | SMCP | |
| ชุด | - | |
| RDS บน (สูงสุด) @ Id, Vgs | 3.7Ohm @ 80mA, 4V | |
| พลังงานที่สูญเสีย (สูงสุด) | 150mW (Ta) | |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | SC-75, SOT-416 | |
| บรรจุุภัณฑ์ | Tape & Reel (TR) |
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| อุณหภูมิในการทำงาน | 150°C (TJ) | |
| ประเภทการติดตั้ง | Surface Mount | |
| Input Capacitance (Ciss) (สูงสุด) ที่ Vds | 7 pF @ 10 V | |
| ค่าประตู (Qg) (สูงสุด) @ Vgs | 1.58 nC @ 10 V | |
| ประเภท FET | N-Channel | |
| คุณสมบัติ FET | - | |
| แรงดันไฟฟ้าของไดรฟ์ (สูงสุด Rds On, Min Rds On) | 1.5V, 4V | |
| ท่อระบายน้ำไปยังแหล่งที่มาของแรงดัน (Vdss) | 30 V | |
| ปัจจุบัน - Drain ต่อเนื่อง (Id) @ 25 องศาเซลเซียส | 150mA (Ta) | |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | 3LN01 |
3 ส่วนด้านขวามีขนาดที่คล้ายกับ onsemi 3LN01SS-TL-H
| คุณสมบัติสินค้า |  |
 |
|
 |
|---|---|---|---|---|
| รุ่นผลิตภัณฑ์ | 3LN01SS-TL-H | 3LN03SS-TL-E | 3LN01S-TL-E | QS5U34TR |
| ผู้ผลิต | onsemi | Sanyo | onsemi | Rohm Semiconductor |
| Vgs (สูงสุด) | ±10V | - | - | 10V |
| แรงดันไฟฟ้าของไดรฟ์ (สูงสุด Rds On, Min Rds On) | 1.5V, 4V | - | - | 1.8V, 4.5V |
| เทคโนโลยี | MOSFET (Metal Oxide) | - | - | MOSFET (Metal Oxide) |
| ประเภท FET | N-Channel | - | - | N-Channel |
| VGS (TH) (สูงสุด) @ Id | - | - | - | 1.3V @ 1mA |
| ท่อระบายน้ำไปยังแหล่งที่มาของแรงดัน (Vdss) | 30 V | - | - | 20 V |
| ค่าประตู (Qg) (สูงสุด) @ Vgs | 1.58 nC @ 10 V | - | - | 2.5 nC @ 4.5 V |
| ประเภทการติดตั้ง | Surface Mount | - | - | Surface Mount |
| คุณสมบัติ FET | - | - | - | Schottky Diode (Isolated) |
| ชุด | - | * | * | - |
| พลังงานที่สูญเสีย (สูงสุด) | 150mW (Ta) | - | - | 1.25W (Ta) |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | SMCP | - | - | TSMT5 |
| RDS บน (สูงสุด) @ Id, Vgs | 3.7Ohm @ 80mA, 4V | - | - | 180mOhm @ 1.5A, 4.5V |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | 3LN01 | - | - | QS5U34 |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | SC-75, SOT-416 | - | - | SOT-23-5 Thin, TSOT-23-5 |
| Input Capacitance (Ciss) (สูงสุด) ที่ Vds | 7 pF @ 10 V | - | - | 110 pF @ 10 V |
| อุณหภูมิในการทำงาน | 150°C (TJ) | - | - | 150°C |
| ปัจจุบัน - Drain ต่อเนื่อง (Id) @ 25 องศาเซลเซียส | 150mA (Ta) | - | - | 1.5A (Ta) |
| บรรจุุภัณฑ์ | Tape & Reel (TR) | Bulk | Bulk | Tape & Reel (TR) |
ดาวน์โหลดแผ่นข้อมูล 3LN01SS-TL-H PDF และเอกสาร onsemi สำหรับ 3LN01SS-TL-H - onsemi
3LN03SS-TL-ESanyoN-CHANNEL SILICON MOSFET3LN01S-TL-Eonsemi3LN01 - 30 VOLT, 0.15 A, 3.7 OHM3LN01M-TLAMI Semiconductor/onsemiQS5U34TRRohm SemiconductorMOSFET N-CH 20V 1.5A TSMT53LN01SS-TLAMI Semiconductor/onsemi3LN01C-TBAMI Semiconductor/onsemi3LN01MAMI Semiconductor/onsemi3LN01S-TLAMI Semiconductor/onsemi
3LN01C-TB-EonsemiMOSFET N-CH 30V 150MA 3CP
3LN01M-TL-HonsemiMOSFET N-CH 30V 150MA SC70/MCPH33LN01CPA-TB-EonsemiNCH 1.5V DRIVE SERIES3LN02C-TB-EonsemiNCH 1.5V DRIVE SERIES3LN01SS-TL-ECatalyst Semiconductor Inc.N-CHANNEL SILICON MOSFET3LN01M-TL-EonsemiMOSFET N-CH 30V 150MA SC70/MCPH33LN01CPA-TBAMI Semiconductor/onsemi3LN01CPAAMI Semiconductor/onsemi3LN01C-TB-HonsemiMOSFET N-CH 30V 150MA 3CP3LN01M-TL MOSAMI Semiconductor/onsemi| การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป | ||
|---|---|---|
| ภูมิภาค | ประเทศ | เวลาโลจิสติก (วัน) |
| อเมริกา | สหรัฐ | 5 |
| บราซิล | 7 | |
| ยุโรป | ประเทศเยอรมนี | 5 |
| ประเทศอังกฤษ | 4 | |
| อิตาลี | 5 | |
| มหาสมุทร | ออสเตรเลีย | 6 |
| นิวซีแลนด์ | 5 | |
| เอเชีย | อินเดีย | 4 |
| ประเทศญี่ปุ่น | 4 | |
| ตะวันออกกลาง | ประเทศอิสราเอล | 6 |
| อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx | |
|---|---|
| ค่าจัดส่ง (กก.) | DHL อ้างอิง (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
ต้องการราคาที่ดีกว่า? เพิ่มลงใน CART และ ส่ง RFQ ตอนนี้เราจะติดต่อคุณทันที