ข้อกำหนดด้านเทคโนโลยี 4N32VM
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิคของ onsemi - 4N32VM คุณลักษณะพารามิเตอร์และชิ้นส่วนที่มีข้อกำหนดที่คล้ายกันกับ onsemi - 4N32VM
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| ผู้ผลิต | onsemi | |
| แรงดันไฟฟ้า - เอาท์พุท (สูงสุด) | 30V | |
| แรงดันไฟฟ้า - แยก | 4170Vrms | |
| แรงดันไฟฟ้า - ส่งต่อ (Vf) (ประเภท) | 1.2V | |
| VCE อิ่มตัว (สูงสุด) | 1V | |
| เปิด / ปิดเครื่อง (Type) | 5µs, 100µs (Max) | |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | 6-DIP | |
| ชุด | - | |
| เวลาเพิ่มขึ้น / ลดลง (ประเภท) | - | |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | 6-DIP (0.300", 7.62mm) | |
| บรรจุุภัณฑ์ | Tube |
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| ประเภทขาออก | Darlington with Base | |
| อุณหภูมิในการทำงาน | -40°C ~ 100°C | |
| จำนวนช่อง | 1 | |
| ประเภทการติดตั้ง | Through Hole | |
| ประเภทขาเข้า | DC | |
| อัตราส่วนเงินโอน (ต่ำสุด) | 500% @ 10mA | |
| อัตราส่วนเงินโอน (สูงสุด) | - | |
| ปัจจุบัน - ออก / ช่องทาง | 150mA | |
| กระแส - DC Forward (ถ้า) (สูงสุด) | 80 mA | |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | 4N32 |
3 ส่วนด้านขวามีขนาดที่คล้ายกับ onsemi 4N32VM
| คุณสมบัติสินค้า |  |
 |
 |
 |
|---|---|---|---|---|
| รุ่นผลิตภัณฑ์ | 4N32VM | 4N35-000E | 4N32SM | 4N33-X009 |
| ผู้ผลิต | onsemi | Broadcom Limited | onsemi | Vishay Semiconductor Opto Division |
| VCE อิ่มตัว (สูงสุด) | 1V | 300mV | 1V | 1V (Typ) |
| เวลาเพิ่มขึ้น / ลดลง (ประเภท) | - | 3µs, 3µs | - | - |
| บรรจุุภัณฑ์ | Tube | Tube | Tube | Tube |
| อัตราส่วนเงินโอน (สูงสุด) | - | - | - | - |
| เปิด / ปิดเครื่อง (Type) | 5µs, 100µs (Max) | - | 5µs, 100µs (Max) | 5µs, 100µs (Max) |
| กระแส - DC Forward (ถ้า) (สูงสุด) | 80 mA | 60 mA | 80 mA | 60 mA |
| ประเภทการติดตั้ง | Through Hole | Through Hole | Surface Mount | Surface Mount |
| แรงดันไฟฟ้า - ส่งต่อ (Vf) (ประเภท) | 1.2V | 1.2V | 1.2V | 1.25V |
| อัตราส่วนเงินโอน (ต่ำสุด) | 500% @ 10mA | 100% @ 10mA | 500% @ 10mA | 500% @ 10mA |
| แรงดันไฟฟ้า - แยก | 4170Vrms | 3550Vrms | 4170Vrms | 5300Vrms |
| ประเภทขาออก | Darlington with Base | Transistor with Base | Darlington with Base | Darlington with Base |
| จำนวนช่อง | 1 | 1 | 1 | 1 |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | 6-DIP | 6-DIP | 6-SMD | 6-SMD |
| ชุด | - | - | - | - |
| แรงดันไฟฟ้า - เอาท์พุท (สูงสุด) | 30V | 30V | 30V | 30V |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | 6-DIP (0.300", 7.62mm) | 6-DIP (0.300', 7.62mm) | 6-SMD, Gull Wing | 6-SMD, Gull Wing |
| ปัจจุบัน - ออก / ช่องทาง | 150mA | 100mA | 150mA | 100mA |
| อุณหภูมิในการทำงาน | -40°C ~ 100°C | -55°C ~ 100°C | -40°C ~ 100°C | -55°C ~ 100°C |
| ประเภทขาเข้า | DC | DC | DC | DC |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | 4N32 | 4N35 | 4N32 | 4N33 |
ดาวน์โหลดแผ่นข้อมูล 4N32VM PDF และเอกสาร onsemi สำหรับ 4N32VM - onsemi
4N35-000EBroadcom LimitedOPTOISO 3.55KV TRANS W/BASE 6DIP4N32SMonsemiOPTOISO 4.17KV DARL W/BASE 6SMD4N33-X009Vishay Semiconductor Opto DivisionOPTOISO 5.3KV DARL W/BASE 6SMD4N32SVMonsemiOPTOISO 4.17KV DARL W/BASE 6SMD
4N33SMonsemiOPTOISO 4.17KV DARL W/BASE 6SMD4N33-X009TVishay Semiconductor Opto DivisionOPTOISO 5.3KV DARL W/BASE 6SMD
4N32.3SDAMI Semiconductor/onsemi4N33VMonsemiOPTOISO 4.17KV DARL W/BASE 6DIP4N33SDonsemiOPTOISO 5.3KV DARL W/BASE 6SMD4N32300onsemiOPTOISO 5.3KV DARL W/BASE 6DIP4N32SR2MonsemiOPTOISO 4.17KV DARL W/BASE 6SMD
4N32.300Fairchild (onsemi)4N32SDonsemiOPTOISO 5.3KV DARL W/BASE 6SMD
4N33SR2MonsemiOPTOISO 4.17KV DARL W/BASE 6SMD
4N31SR2MXINBOLE
4N33VMFairchild SemiconductorGENERAL PURPOSE PHOTODARLINGTON
4N32-X001Vishay Semiconductor Opto DivisionOPTOISO 5.3KV DARL W/BASE 6DIP4N32.SDQTC| การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป | ||
|---|---|---|
| ภูมิภาค | ประเทศ | เวลาโลจิสติก (วัน) |
| อเมริกา | สหรัฐ | 5 |
| บราซิล | 7 | |
| ยุโรป | ประเทศเยอรมนี | 5 |
| ประเทศอังกฤษ | 4 | |
| อิตาลี | 5 | |
| มหาสมุทร | ออสเตรเลีย | 6 |
| นิวซีแลนด์ | 5 | |
| เอเชีย | อินเดีย | 4 |
| ประเทศญี่ปุ่น | 4 | |
| ตะวันออกกลาง | ประเทศอิสราเอล | 6 |
| อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx | |
|---|---|
| ค่าจัดส่ง (กก.) | DHL อ้างอิง (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
ต้องการราคาที่ดีกว่า? เพิ่มลงใน CART และ ส่ง RFQ ตอนนี้เราจะติดต่อคุณทันที