ข้อกำหนดด้านเทคโนโลยี 55GN01CA-TB-E
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิคของ onsemi - 55GN01CA-TB-E คุณลักษณะพารามิเตอร์และชิ้นส่วนที่มีข้อกำหนดที่คล้ายกันกับ onsemi - 55GN01CA-TB-E
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| ผู้ผลิต | onsemi | |
| แรงดันไฟฟ้า - คอ Emitter พังทลาย (สูงสุด) | 10V | |
| ประเภททรานซิสเตอร์ | NPN | |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | 3-CP | |
| ชุด | - | |
| เพาเวอร์ - แม็กซ์ | 200mW | |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | |
| บรรจุุภัณฑ์ | Tape & Reel (TR) |
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| อุณหภูมิในการทำงาน | 150°C (TJ) | |
| เสียงรบกวนรูป (เดซิเบล Typ @ F) | 1.9dB @ 1GHz | |
| ประเภทการติดตั้ง | Surface Mount | |
| ได้รับ | 9.5dB | |
| ความถี่ - การเปลี่ยน | 4.5GHz | |
| DC กำไรปัจจุบัน (HFE) (ต่ำสุด) @ IC, VCE | 100 @ 10mA, 5V | |
| ปัจจุบัน - สะสม (IC) (สูงสุด) | 70mA | |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | 55GN01 |
3 ส่วนด้านขวามีขนาดที่คล้ายกับ onsemi 55GN01CA-TB-E
| คุณสมบัติสินค้า |  |
 |
 |
 |
|---|---|---|---|---|
| รุ่นผลิตภัณฑ์ | 55GN01CA-TB-E | MS2207 | BFP640ESDH6327XTSA1 | MSC2295-BT1 |
| ผู้ผลิต | onsemi | Microsemi Corporation | Infineon Technologies | onsemi |
| ปัจจุบัน - สะสม (IC) (สูงสุด) | 70mA | 24A | 50mA | - |
| DC กำไรปัจจุบัน (HFE) (ต่ำสุด) @ IC, VCE | 100 @ 10mA, 5V | 10 @ 5A, 5V | 110 @ 30mA, 3V | - |
| ประเภททรานซิสเตอร์ | NPN | NPN | NPN | - |
| ความถี่ - การเปลี่ยน | 4.5GHz | 1.09GHz | 46GHz | - |
| แรงดันไฟฟ้า - คอ Emitter พังทลาย (สูงสุด) | 10V | 65V | 4.7V | - |
| ชุด | - | - | - | * |
| บรรจุุภัณฑ์ | Tape & Reel (TR) | Bulk | Tape & Reel (TR) | Bulk |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | 3-CP | M216 | PG-SOT343-4-2 | - |
| เพาเวอร์ - แม็กซ์ | 200mW | 880W | 200mW | - |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | M216 | SC-82A, SOT-343 | - |
| ประเภทการติดตั้ง | Surface Mount | Chassis Mount | Surface Mount | - |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | 55GN01 | - | BFP640 | - |
| อุณหภูมิในการทำงาน | 150°C (TJ) | 250°C (TJ) | 150°C (TJ) | - |
| ได้รับ | 9.5dB | 8dB | 7dB ~ 30dB | - |
| เสียงรบกวนรูป (เดซิเบล Typ @ F) | 1.9dB @ 1GHz | - | 0.6dB ~ 2dB @ 150MHz ~ 10GHz | - |
ดาวน์โหลดแผ่นข้อมูล 55GN01CA-TB-E PDF และเอกสาร onsemi สำหรับ 55GN01CA-TB-E - onsemi
55GN01M-TLAMI Semiconductor/onsemiMS2207Microsemi CorporationRF TRANS NPN 65V 1.09GHZ M216BFP640ESDH6327XTSA1Infineon TechnologiesRF TRANS NPN 4.7V 46GHZ SOT343MSC2295-BT1onsemiTRANS NPN RF BIPO 20V SC-59
BFP420FH6327Infineon TechnologiesRF TRANSISTOR, X BAND, NPN
MMBT5179Texas InstrumentsRF SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSIST
HFA3102BZRenesas Electronics America IncRF TRANS 6 NPN 12V 10GHZ 14SOIC
KSC3123RMTFFairchild SemiconductorRF SMALL SIGNAL TRANSISTOR
KST5179MTFonsemiRF TRANS NPN 12V 900MHZ SOT23-3
CA3246MHarris CorporationHIGH FREQUENCIES NPN TRANSISTORMMBTH10onsemiRF TRANS NPN 25V 650MHZ SOT23-3
BF959ZL1GonsemiRF TRANS NPN 20V 700MHZ TO92-3
UPA801T-T1-ARenesas Electronics America IncRF 0.1A, 2-ELEMENT, S BAND, NPNTAN300Microsemi CorporationRF TRANS NPN 65V 1.215GHZ 55KT
NE663M04-T2-ACELRF TRANS NPN 3.3V 15GHZ SOT343FNESG2107M33-T3-ACELRF TRANS NPN 5V 10GHZ 3SMINMOLD55GN01C-TB-EAMI Semiconductor/onsemi
2N5109Microsemi CorporationRF TRANS NPN 20V 1.2GHZ TO39| การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป | ||
|---|---|---|
| ภูมิภาค | ประเทศ | เวลาโลจิสติก (วัน) |
| อเมริกา | สหรัฐ | 5 |
| บราซิล | 7 | |
| ยุโรป | ประเทศเยอรมนี | 5 |
| ประเทศอังกฤษ | 4 | |
| อิตาลี | 5 | |
| มหาสมุทร | ออสเตรเลีย | 6 |
| นิวซีแลนด์ | 5 | |
| เอเชีย | อินเดีย | 4 |
| ประเทศญี่ปุ่น | 4 | |
| ตะวันออกกลาง | ประเทศอิสราเอล | 6 |
| อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx | |
|---|---|
| ค่าจัดส่ง (กก.) | DHL อ้างอิง (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
ต้องการราคาที่ดีกว่า? เพิ่มลงใน CART และ ส่ง RFQ ตอนนี้เราจะติดต่อคุณทันที