ข้อกำหนดด้านเทคโนโลยี 80SQ045NG
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิคของ onsemi - 80SQ045NG คุณลักษณะพารามิเตอร์และชิ้นส่วนที่มีข้อกำหนดที่คล้ายกันกับ onsemi - 80SQ045NG
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| ผู้ผลิต | onsemi | |
| แรงดันไฟฟ้า - ส่ง (Vf) (สูงสุด) @ หาก | 550 mV @ 8 A | |
| แรงดันไฟฟ้า - ดีซี (Reverse VR) ที่ (สูงสุด) | 45 V | |
| เทคโนโลยี | Schottky | |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | Axial | |
| ความเร็ว | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | |
| ชุด | - | |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | DO-201AA, DO-27, Axial |
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| บรรจุุภัณฑ์ | Bulk | |
| อุณหภูมิในการทำงาน - Junction | -65°C ~ 175°C | |
| ประเภทการติดตั้ง | Through Hole | |
| ปัจจุบัน - รั่วไหลย้อนกลับ @ Vr | 1 mA @ 45 V | |
| ปัจจุบัน - เฉลี่ย Rectified (ไอโอ) | 8A | |
| การประจุกระแสไฟ @ Vr, F | - | |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | 80SQ045 |
3 ส่วนด้านขวามีขนาดที่คล้ายกับ onsemi 80SQ045NG
| คุณสมบัติสินค้า |  |
 |
 |
 |
|---|---|---|---|---|
| รุ่นผลิตภัณฑ์ | 80SQ045NG | ESH2PD-M3/85A | STTH30R04G | HER207 |
| ผู้ผลิต | onsemi | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | STMicroelectronics | Yangjie Technology |
| เทคโนโลยี | Schottky | Standard | Standard | Standard |
| ความเร็ว | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | Axial | DO-220AA (SMP) | D2PAK | DO-15 |
| อุณหภูมิในการทำงาน - Junction | -65°C ~ 175°C | -55°C ~ 175°C | -40°C ~ 175°C | -55°C ~ 150°C |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | DO-201AA, DO-27, Axial | DO-220AA | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | DO-204AC, DO-15, Axial |
| ประเภทการติดตั้ง | Through Hole | Surface Mount | Surface Mount | Through Hole |
| ปัจจุบัน - รั่วไหลย้อนกลับ @ Vr | 1 mA @ 45 V | 1 µA @ 200 V | 15 µA @ 400 V | 5 µA @ 800 V |
| การประจุกระแสไฟ @ Vr, F | - | 25pF @ 4V, 1MHz | - | 30pF @ 4V, 1MHz |
| ชุด | - | eSMP® | - | - |
| แรงดันไฟฟ้า - ดีซี (Reverse VR) ที่ (สูงสุด) | 45 V | 200 V | 400 V | 800 V |
| แรงดันไฟฟ้า - ส่ง (Vf) (สูงสุด) @ หาก | 550 mV @ 8 A | 980 mV @ 2 A | 1.45 V @ 30 A | 1.7 V @ 2 A |
| บรรจุุภัณฑ์ | Bulk | Tape & Reel (TR) | Tube | Tape & Box (TB) |
| ปัจจุบัน - เฉลี่ย Rectified (ไอโอ) | 8A | 2A | 30A | 2A |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | 80SQ045 | ESH2 | STTH30 | - |
ดาวน์โหลดแผ่นข้อมูล 80SQ045NG PDF และเอกสาร onsemi สำหรับ 80SQ045NG - onsemi
ESH2PD-M3/85AVishay General Semiconductor - Diodes DivisionDIODE GEN PURP 200V 2A DO220AA80SQ045TRIRSTTH30R04GSTMicroelectronicsDIODE GEN PURP 400V 30A D2PAKHER207Yangjie TechnologyDIODE GEN PURP 800V 2A DO15
1N914BonsemiDIODE GEN PURP 100V 200MA DO35
ES2F-E3/52TVishay General Semiconductor - Diodes DivisionDIODE GEN PURP 300V 2A DO214AA
NRTS8100PFST3GonsemiDIODE SCHOTTKY 100V 8A TO277-3
80SQ040Electro-Films (EFI) / Vishay
80SXE56MPanasonic Electronic ComponentsCAP ALUM POLY 56UF 20% 80V T/H
MBRB1045onsemiDIODE SCHOTTKY 45V 10A D2PAK80SQ035IR
SS1H10HE3_B/HVishay General Semiconductor - Diodes DivisionDIODE SCHOTTKY 100V 1A DO214AC
B330CE-13Diodes IncorporatedDIODE SCHOTTKY 30V 3A SMCB540CQ-13-FDiodes IncorporatedDIODE SCHOTTKY 40V 5A SMC
1N2129ASolid State Inc.DIODE GEN PURP 100V 70A DO51N2275Solid State Inc.DIODE GEN PURP 300V 40A DO580SQ045NRLGonsemiDIODE SCHOTTKY 45V 8A AXIAL80SQ045Electro-Films (EFI) / Vishay| การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป | ||
|---|---|---|
| ภูมิภาค | ประเทศ | เวลาโลจิสติก (วัน) |
| อเมริกา | สหรัฐ | 5 |
| บราซิล | 7 | |
| ยุโรป | ประเทศเยอรมนี | 5 |
| ประเทศอังกฤษ | 4 | |
| อิตาลี | 5 | |
| มหาสมุทร | ออสเตรเลีย | 6 |
| นิวซีแลนด์ | 5 | |
| เอเชีย | อินเดีย | 4 |
| ประเทศญี่ปุ่น | 4 | |
| ตะวันออกกลาง | ประเทศอิสราเอล | 6 |
| อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx | |
|---|---|
| ค่าจัดส่ง (กก.) | DHL อ้างอิง (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
ต้องการราคาที่ดีกว่า? เพิ่มลงใน CART และ ส่ง RFQ ตอนนี้เราจะติดต่อคุณทันที