ข้อกำหนดด้านเทคโนโลยี ADP3412JR
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิคของ onsemi - ADP3412JR คุณลักษณะพารามิเตอร์และชิ้นส่วนที่มีข้อกำหนดที่คล้ายกันกับ onsemi - ADP3412JR
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| ผู้ผลิต | onsemi | |
| แรงดันไฟฟ้า - อุปทาน | 4.15V ~ 7.5V | |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | 8-SOIC | |
| ชุด | - | |
| เวลาเพิ่มขึ้น / ลดลง (ประเภท) | 20ns, 20ns | |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | 8-SOIC (0.154', 3.90mm Width) | |
| บรรจุุภัณฑ์ | Tube | |
| อุณหภูมิในการทำงาน | 0°C ~ 125°C (TJ) | |
| ความถี่ขาเข้า | 2 |
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| ประเภทการติดตั้ง | Surface Mount | |
| แรงดันลอจิก - VIL, VIH | 0.8V, 2V | |
| ประเภทขาเข้า | Non-Inverting | |
| แรงดันด้านสูง - แม็กซ์ (เงินทุน) | 30 V | |
| ประเภทประตู | N-Channel MOSFET | |
| การกำหนดค่าแบบขับเคลื่อน | Half-Bridge | |
| ปัจจุบัน - Peak Output (แหล่งที่มา, Sink) | - | |
| Base-Emitter อิ่มตัวแรงดัน (สูงสุด) | Synchronous | |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | ADP3412 |
3 ส่วนด้านขวามีขนาดที่คล้ายกับ onsemi ADP3412JR
| คุณสมบัติสินค้า |  |
 |
 |
|
|---|---|---|---|---|
| รุ่นผลิตภัณฑ์ | ADP3412JR | ADP3414JRZ-REEL | ADP3413JR-REEL | ADP3412JR-REEL7 |
| ผู้ผลิต | onsemi | onsemi | Analog Devices Inc. | Analog Devices Inc. |
| ประเภทขาเข้า | Non-Inverting | - | Non-Inverting | Non-Inverting |
| การกำหนดค่าแบบขับเคลื่อน | Half-Bridge | - | Half-Bridge | High-Side |
| ปัจจุบัน - Peak Output (แหล่งที่มา, Sink) | - | - | - | - |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | 8-SOIC (0.154', 3.90mm Width) | - | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| ประเภทการติดตั้ง | Surface Mount | - | Surface Mount | Surface Mount |
| บรรจุุภัณฑ์ | Tube | Tape & Reel (TR) | Bulk | Bulk |
| Base-Emitter อิ่มตัวแรงดัน (สูงสุด) | Synchronous | - | Synchronous | Independent |
| แรงดันไฟฟ้า - อุปทาน | 4.15V ~ 7.5V | - | 4.15V ~ 7.5V | 4.15V ~ 7.5V |
| อุณหภูมิในการทำงาน | 0°C ~ 125°C (TJ) | - | 0°C ~ 70°C (TA) | 0°C ~ 125°C (TJ) |
| ประเภทประตู | N-Channel MOSFET | - | N-Channel MOSFET | N-Channel MOSFET |
| ชุด | - | - | ADP3413 | ADP3412 |
| เวลาเพิ่มขึ้น / ลดลง (ประเภท) | 20ns, 20ns | - | 27ns, 19ns | - |
| แรงดันด้านสูง - แม็กซ์ (เงินทุน) | 30 V | - | 30 V | - |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | 8-SOIC | - | 8-SOIC | 8-SOIC |
| ความถี่ขาเข้า | 2 | - | 2 | 2 |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | ADP3412 | ADP3414 | ADP3413 | ADP3412 |
| แรงดันลอจิก - VIL, VIH | 0.8V, 2V | - | 0.8V, 2.3V | 0.8V, 2V |
ดาวน์โหลดแผ่นข้อมูล ADP3412JR PDF และเอกสาร onsemi สำหรับ ADP3412JR - onsemi
ADP3413JADI (Analog Devices, Inc.)ADP3408ARU-2.5-RL7Analog Devices Inc.IC PWR MANAGE GSM 2.5V 28-TSSOPADP3414JRZ-REELonsemiIC MOSFET DVR DUAL BOOT 8-SOICADP3410KADI (Analog Devices, Inc.)ADP3413JR-REELAnalog Devices Inc.DUAL BOOTSTRAPPED MOSFET DRIVERADP3410ADI (Analog Devices, Inc.)ADP3410KRUADI (Analog Devices, Inc.)ADP3412TRADI (Analog Devices, Inc.)ADP3408A2.5ADI (Analog Devices, Inc.)ADP3408ARU-1.8-RL7Analog Devices Inc.IC PWR MANAGE GSM 1.8V 28-TSSOPADP3412JR-REEL7Analog Devices Inc.DUAL MOSFET DRIVERADP3408ACP-2.5-RL7Analog Devices Inc.IC PWR MANAGE GSM 2.5V 32-LFCSP
ADP3410KRU-REEL7onsemiIC GATE DRVR HALF-BRIDGE 14TSSOPADP3408ARU-2.5ADI (Analog Devices, Inc.)ADP3412JRAnalog Devices Inc.DUAL MOSFET DRIVERADP3412JADI (Analog Devices, Inc.)
ADP3412JR-REELAnalog Devices Inc.IC MOSFET DVR DUAL N-CH 8-SOICADP3414JRAnalog Devices Inc.DUAL BOOTSTRAPPED MOSFET DRIVER| การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป | ||
|---|---|---|
| ภูมิภาค | ประเทศ | เวลาโลจิสติก (วัน) |
| อเมริกา | สหรัฐ | 5 |
| บราซิล | 7 | |
| ยุโรป | ประเทศเยอรมนี | 5 |
| ประเทศอังกฤษ | 4 | |
| อิตาลี | 5 | |
| มหาสมุทร | ออสเตรเลีย | 6 |
| นิวซีแลนด์ | 5 | |
| เอเชีย | อินเดีย | 4 |
| ประเทศญี่ปุ่น | 4 | |
| ตะวันออกกลาง | ประเทศอิสราเอล | 6 |
| อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx | |
|---|---|
| ค่าจัดส่ง (กก.) | DHL อ้างอิง (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
ต้องการราคาที่ดีกว่า? เพิ่มลงใน CART และ ส่ง RFQ ตอนนี้เราจะติดต่อคุณทันที