ข้อกำหนดด้านเทคโนโลยี ATP112-TL-H
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิคของ onsemi - ATP112-TL-H คุณลักษณะพารามิเตอร์และชิ้นส่วนที่มีข้อกำหนดที่คล้ายกันกับ onsemi - ATP112-TL-H
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| ผู้ผลิต | onsemi | |
| VGS (TH) (สูงสุด) @ Id | - | |
| Vgs (สูงสุด) | ±20V | |
| เทคโนโลยี | MOSFET (Metal Oxide) | |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | ATPAK | |
| ชุด | - | |
| RDS บน (สูงสุด) @ Id, Vgs | 43mOhm @ 13A, 10V | |
| พลังงานที่สูญเสีย (สูงสุด) | 40W (Tc) | |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | ATPAK (2 Leads+Tab) | |
| บรรจุุภัณฑ์ | Tape & Reel (TR) |
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| อุณหภูมิในการทำงาน | 150°C (TJ) | |
| ประเภทการติดตั้ง | Surface Mount | |
| Input Capacitance (Ciss) (สูงสุด) ที่ Vds | 1450 pF @ 20 V | |
| ค่าประตู (Qg) (สูงสุด) @ Vgs | 33.5 nC @ 10 V | |
| ประเภท FET | P-Channel | |
| คุณสมบัติ FET | - | |
| แรงดันไฟฟ้าของไดรฟ์ (สูงสุด Rds On, Min Rds On) | 4V, 10V | |
| ท่อระบายน้ำไปยังแหล่งที่มาของแรงดัน (Vdss) | 60 V | |
| ปัจจุบัน - Drain ต่อเนื่อง (Id) @ 25 องศาเซลเซียส | 25A (Ta) | |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | ATP112 |
3 ส่วนด้านขวามีขนาดที่คล้ายกับ onsemi ATP112-TL-H
| คุณสมบัติสินค้า |  |
 |
|
|
|---|---|---|---|---|
| รุ่นผลิตภัณฑ์ | ATP112-TL-H | ATP201-V-TL-H | ATP104-TL-H | ATP203-TL-H |
| ผู้ผลิต | onsemi | Sanyo | Sanyo | Sanyo |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | ATPAK | ATPAK | ATPAK | ATPAK |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | ATP112 | ATP201 | - | - |
| RDS บน (สูงสุด) @ Id, Vgs | 43mOhm @ 13A, 10V | - | 8.4mOhm @ 38A, 10V | 8.2mOhm @ 38A, 10V |
| คุณสมบัติ FET | - | - | - | - |
| ชุด | - | - | - | - |
| พลังงานที่สูญเสีย (สูงสุด) | 40W (Tc) | - | 60W (Tc) | 50W (Tc) |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | ATPAK (2 Leads+Tab) | ATPAK (2 leads+tab) | ATPAK (2 Leads+Tab) | ATPAK (2 Leads+Tab) |
| ประเภทการติดตั้ง | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
| เทคโนโลยี | MOSFET (Metal Oxide) | - | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
| ค่าประตู (Qg) (สูงสุด) @ Vgs | 33.5 nC @ 10 V | - | 76 nC @ 10 V | 44 nC @ 10 V |
| แรงดันไฟฟ้าของไดรฟ์ (สูงสุด Rds On, Min Rds On) | 4V, 10V | - | 4.5V, 10V | 4.5V, 10V |
| ประเภท FET | P-Channel | - | P-Channel | N-Channel |
| อุณหภูมิในการทำงาน | 150°C (TJ) | 150°C (TJ) | 150°C (TJ) | 150°C (TJ) |
| Vgs (สูงสุด) | ±20V | - | ±20V | ±20V |
| ปัจจุบัน - Drain ต่อเนื่อง (Id) @ 25 องศาเซลเซียส | 25A (Ta) | 35A (Tj) | 75A (Ta) | 75A (Ta) |
| VGS (TH) (สูงสุด) @ Id | - | - | - | - |
| บรรจุุภัณฑ์ | Tape & Reel (TR) | Bulk | Bulk | Bulk |
| Input Capacitance (Ciss) (สูงสุด) ที่ Vds | 1450 pF @ 20 V | - | 3950 pF @ 10 V | 2750 pF @ 10 V |
| ท่อระบายน้ำไปยังแหล่งที่มาของแรงดัน (Vdss) | 60 V | - | 30 V | 30 V |
ดาวน์โหลดแผ่นข้อมูล ATP112-TL-H PDF และเอกสาร onsemi สำหรับ ATP112-TL-H - onsemi
ATP113AMI Semiconductor/onsemiATP102AMI Semiconductor/onsemiATP201-V-TL-HSanyoN-CHANNEL MOSFETATP107AMI Semiconductor/onsemiATP106AMI Semiconductor/onsemiATP113-TL-H MOSAMI Semiconductor/onsemiATP104-TL-HSanyoP-CHANNEL SILICON MOSFET GENERALATP203-TL-HSanyoMOSFET N-CH 30V 75A ATPAKATP201-TL-HonsemiMOSFET N-CH 30V 35A ATPAKATP104AMI Semiconductor/onsemiATP104-TL-HXonsemiMOSFET P-CH 30V 75A ATPAKATP103AMI Semiconductor/onsemiATP106-TL-HonsemiMOSFET P-CH 40V 30A ATPAKATP201-TL-H-TAMI Semiconductor/onsemiATP201AMI Semiconductor/onsemiATP202-TL-HonsemiMOSFET N-CH 30V 50A ATPAKATP108-TL-HonsemiMOSFET P-CH 40V 70A ATPAKATP102-TL-HSanyoP-CHANNEL SILICON MOSFET GENERAL| การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป | ||
|---|---|---|
| ภูมิภาค | ประเทศ | เวลาโลจิสติก (วัน) |
| อเมริกา | สหรัฐ | 5 |
| บราซิล | 7 | |
| ยุโรป | ประเทศเยอรมนี | 5 |
| ประเทศอังกฤษ | 4 | |
| อิตาลี | 5 | |
| มหาสมุทร | ออสเตรเลีย | 6 |
| นิวซีแลนด์ | 5 | |
| เอเชีย | อินเดีย | 4 |
| ประเทศญี่ปุ่น | 4 | |
| ตะวันออกกลาง | ประเทศอิสราเอล | 6 |
| อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx | |
|---|---|
| ค่าจัดส่ง (กก.) | DHL อ้างอิง (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
ต้องการราคาที่ดีกว่า? เพิ่มลงใน CART และ ส่ง RFQ ตอนนี้เราจะติดต่อคุณทันที