ข้อกำหนดด้านเทคโนโลยี ATP202-TL-H
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิคของ onsemi - ATP202-TL-H คุณลักษณะพารามิเตอร์และชิ้นส่วนที่มีข้อกำหนดที่คล้ายกันกับ onsemi - ATP202-TL-H
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| ผู้ผลิต | onsemi | |
| VGS (TH) (สูงสุด) @ Id | - | |
| Vgs (สูงสุด) | ±20V | |
| เทคโนโลยี | MOSFET (Metal Oxide) | |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | ATPAK | |
| ชุด | - | |
| RDS บน (สูงสุด) @ Id, Vgs | 12mOhm @ 25A, 10V | |
| พลังงานที่สูญเสีย (สูงสุด) | 40W (Tc) | |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | ATPAK (2 Leads+Tab) | |
| บรรจุุภัณฑ์ | Tape & Reel (TR) |
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| อุณหภูมิในการทำงาน | 150°C (TJ) | |
| ประเภทการติดตั้ง | Surface Mount | |
| Input Capacitance (Ciss) (สูงสุด) ที่ Vds | 1650 pF @ 10 V | |
| ค่าประตู (Qg) (สูงสุด) @ Vgs | 27 nC @ 10 V | |
| ประเภท FET | N-Channel | |
| คุณสมบัติ FET | - | |
| แรงดันไฟฟ้าของไดรฟ์ (สูงสุด Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V | |
| ท่อระบายน้ำไปยังแหล่งที่มาของแรงดัน (Vdss) | 30 V | |
| ปัจจุบัน - Drain ต่อเนื่อง (Id) @ 25 องศาเซลเซียส | 50A (Ta) | |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | ATP202 |
3 ส่วนด้านขวามีขนาดที่คล้ายกับ onsemi ATP202-TL-H
| คุณสมบัติสินค้า |  |
 |
|
|
|---|---|---|---|---|
| รุ่นผลิตภัณฑ์ | ATP202-TL-H | ATP206-TL-H | ATP201-TL-H | ATP201-V-TL-H |
| ผู้ผลิต | onsemi | onsemi | onsemi | Sanyo |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | ATPAK | ATPAK | ATPAK | ATPAK |
| แรงดันไฟฟ้าของไดรฟ์ (สูงสุด Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V | 4.5V, 10V | 4.5V, 10V | - |
| ประเภทการติดตั้ง | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | ATP202 | ATP206 | ATP201 | ATP201 |
| VGS (TH) (สูงสุด) @ Id | - | - | - | - |
| ปัจจุบัน - Drain ต่อเนื่อง (Id) @ 25 องศาเซลเซียส | 50A (Ta) | 40A (Ta) | 35A (Ta) | 35A (Tj) |
| บรรจุุภัณฑ์ | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Bulk |
| พลังงานที่สูญเสีย (สูงสุด) | 40W (Tc) | 40W (Tc) | 30W (Tc) | - |
| คุณสมบัติ FET | - | - | - | - |
| เทคโนโลยี | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | - |
| อุณหภูมิในการทำงาน | 150°C (TJ) | 150°C (TJ) | 150°C (TJ) | 150°C (TJ) |
| ชุด | - | - | - | - |
| ประเภท FET | N-Channel | N-Channel | N-Channel | - |
| RDS บน (สูงสุด) @ Id, Vgs | 12mOhm @ 25A, 10V | 16mOhm @ 20A, 10V | 17mOhm @ 18A, 10V | - |
| ค่าประตู (Qg) (สูงสุด) @ Vgs | 27 nC @ 10 V | 27 nC @ 10 V | 17 nC @ 10 V | - |
| ท่อระบายน้ำไปยังแหล่งที่มาของแรงดัน (Vdss) | 30 V | 40 V | 30 V | - |
| Vgs (สูงสุด) | ±20V | ±20V | ±20V | - |
| Input Capacitance (Ciss) (สูงสุด) ที่ Vds | 1650 pF @ 10 V | 1630 pF @ 20 V | 985 pF @ 10 V | - |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | ATPAK (2 Leads+Tab) | ATPAK (2 leads+tab) | ATPAK (2 Leads+Tab) | ATPAK (2 leads+tab) |
ดาวน์โหลดแผ่นข้อมูล ATP202-TL-H PDF และเอกสาร onsemi สำหรับ ATP202-TL-H - onsemi
ATP207SAMI Semiconductor/onsemi
ATP16ASMCTS CorporationATP202AMI Semiconductor/onsemiATP201AMI Semiconductor/onsemiATP206-TL-HonsemiMOSFET N-CH 40V 40A ATPAKATP204 MOSAMI Semiconductor/onsemiATP201-TL-HonsemiMOSFET N-CH 30V 35A ATPAKATP201-V-TL-HSanyoN-CHANNEL MOSFETATP203-TL-HSanyoMOSFET N-CH 30V 75A ATPAKATP207-TL-HonsemiMOSFET N-CH 40V 65A ATPAKATP113-TL-HONsemiATP207-TL-H MOSAMI Semiconductor/onsemiATP201-TL-H-TAMI Semiconductor/onsemiATP113-TL-H MOSAMI Semiconductor/onsemiATP114-TL-HONsemiATP207-S-TL-HonsemiMOSFET N-CH 40V 65A ATPAKATP204-TL-HonsemiMOSFET N-CH 30V 100A ATPAKATP206AMI Semiconductor/onsemi| การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป | ||
|---|---|---|
| ภูมิภาค | ประเทศ | เวลาโลจิสติก (วัน) |
| อเมริกา | สหรัฐ | 5 |
| บราซิล | 7 | |
| ยุโรป | ประเทศเยอรมนี | 5 |
| ประเทศอังกฤษ | 4 | |
| อิตาลี | 5 | |
| มหาสมุทร | ออสเตรเลีย | 6 |
| นิวซีแลนด์ | 5 | |
| เอเชีย | อินเดีย | 4 |
| ประเทศญี่ปุ่น | 4 | |
| ตะวันออกกลาง | ประเทศอิสราเอล | 6 |
| อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx | |
|---|---|
| ค่าจัดส่ง (กก.) | DHL อ้างอิง (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
ต้องการราคาที่ดีกว่า? เพิ่มลงใน CART และ ส่ง RFQ ตอนนี้เราจะติดต่อคุณทันที