ข้อกำหนดด้านเทคโนโลยี BAS16HT3G
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิคของ onsemi - BAS16HT3G คุณลักษณะพารามิเตอร์และชิ้นส่วนที่มีข้อกำหนดที่คล้ายกันกับ onsemi - BAS16HT3G
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| ผู้ผลิต | onsemi | |
| แรงดันไฟฟ้า - ส่ง (Vf) (สูงสุด) @ หาก | 1.25 V @ 150 mA | |
| แรงดันไฟฟ้า - ดีซี (Reverse VR) ที่ (สูงสุด) | 100 V | |
| เทคโนโลยี | Standard | |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | SOD-323 | |
| ความเร็ว | Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed | |
| ชุด | - | |
| ย้อนกลับเวลาการกู้คืน (TRR) | 6 ns |
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | SC-76, SOD-323 | |
| บรรจุุภัณฑ์ | Tape & Reel (TR) | |
| อุณหภูมิในการทำงาน - Junction | -55°C ~ 150°C | |
| ประเภทการติดตั้ง | Surface Mount | |
| ปัจจุบัน - รั่วไหลย้อนกลับ @ Vr | 1 µA @ 75 V | |
| ปัจจุบัน - เฉลี่ย Rectified (ไอโอ) | 200mA | |
| การประจุกระแสไฟ @ Vr, F | 2pF @ 0V, 1MHz | |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | BAS16 |
3 ส่วนด้านขวามีขนาดที่คล้ายกับ onsemi BAS16HT3G
| คุณสมบัติสินค้า |  |
 |
|
 |
|---|---|---|---|---|
| รุ่นผลิตภัณฑ์ | BAS16HT3G | BAS16HLP-7 | BAS16HT1G | BAS16HT1G |
| ผู้ผลิต | onsemi | Diodes Incorporated | onsemi | Fairchild Semiconductor |
| ปัจจุบัน - รั่วไหลย้อนกลับ @ Vr | 1 µA @ 75 V | 500 nA @ 80 V | 1 µA @ 100 V | 1 µA @ 100 V |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | BAS16 | BAS16 | BAS16 | BAS16 |
| อุณหภูมิในการทำงาน - Junction | -55°C ~ 150°C | -65°C ~ 150°C | -55°C ~ 150°C | -55°C ~ 150°C |
| ชุด | - | - | - | - |
| ปัจจุบัน - เฉลี่ย Rectified (ไอโอ) | 200mA | 215mA | 200mA | 200mA |
| ประเภทการติดตั้ง | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | SOD-323 | X1-DFN1006-2 | SOD-323 | SOD-323 |
| การประจุกระแสไฟ @ Vr, F | 2pF @ 0V, 1MHz | 1.5pF @ 0V, 1MHz | 2pF @ 0V, 1MHz | 2pF @ 0V, 1MHz |
| ย้อนกลับเวลาการกู้คืน (TRR) | 6 ns | 4 ns | 6 ns | 6 ns |
| บรรจุุภัณฑ์ | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Bulk |
| แรงดันไฟฟ้า - ส่ง (Vf) (สูงสุด) @ หาก | 1.25 V @ 150 mA | 1.25 V @ 150 mA | 1.25 V @ 150 mA | 1.25 V @ 150 mA |
| แรงดันไฟฟ้า - ดีซี (Reverse VR) ที่ (สูงสุด) | 100 V | 100 V | 100 V | 100 V |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | SC-76, SOD-323 | 0402 (1006 Metric) | SC-76, SOD-323 | SC-76, SOD-323 |
| เทคโนโลยี | Standard | Standard | Standard | Standard |
| ความเร็ว | Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed | Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed |
ดาวน์โหลดแผ่นข้อมูล BAS16HT3G PDF และเอกสาร onsemi สำหรับ BAS16HT3G - onsemi
BAS16J.115Freescale / NXP SemiconductorsBAS16HLP-7Diodes IncorporatedDIODE GEN PURP 100V 215MA 2DFN
BAS16H.115NexperiaBAS16J115NexperiaBAS16LNexperiaBAS16H+115Freescale / NXP SemiconductorsBAS16J/A2Freescale / NXP SemiconductorsBAS16HT1GonsemiDIODE GEN PURP 100V 200MA SOD323BAS16H A1Freescale / NXP SemiconductorsBAS16H115NexperiaBAS16HT1GFairchild SemiconductorDIODE GEN PURP 100V 200MA SOD323BAS16HNexperia
BAS16HLP-7BDiodes IncorporatedBAS16L/S501YLNexperia
BAS16J115SOD-323
BAS16J,115Nexperia USA Inc.DIODE GP 100V 250MA SOD323F
BAS16HTWQ-13Diodes IncorporatedDIODE FS 100V 200MA SOT363BAS16HLPQ-7BDiodes IncorporatedDIODE GEN PURP 100V 215MA 2DFN| การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป | ||
|---|---|---|
| ภูมิภาค | ประเทศ | เวลาโลจิสติก (วัน) |
| อเมริกา | สหรัฐ | 5 |
| บราซิล | 7 | |
| ยุโรป | ประเทศเยอรมนี | 5 |
| ประเทศอังกฤษ | 4 | |
| อิตาลี | 5 | |
| มหาสมุทร | ออสเตรเลีย | 6 |
| นิวซีแลนด์ | 5 | |
| เอเชีย | อินเดีย | 4 |
| ประเทศญี่ปุ่น | 4 | |
| ตะวันออกกลาง | ประเทศอิสราเอล | 6 |
| อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx | |
|---|---|
| ค่าจัดส่ง (กก.) | DHL อ้างอิง (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
ต้องการราคาที่ดีกว่า? เพิ่มลงใน CART และ ส่ง RFQ ตอนนี้เราจะติดต่อคุณทันที