ข้อกำหนดด้านเทคโนโลยี BAS20LT1G
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิคของ onsemi - BAS20LT1G คุณลักษณะพารามิเตอร์และชิ้นส่วนที่มีข้อกำหนดที่คล้ายกันกับ onsemi - BAS20LT1G
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| ผู้ผลิต | onsemi | |
| แรงดันไฟฟ้า - ส่ง (Vf) (สูงสุด) @ หาก | 1.25 V @ 200 mA | |
| แรงดันไฟฟ้า - ดีซี (Reverse VR) ที่ (สูงสุด) | 200 V | |
| เทคโนโลยี | Standard | |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | SOT-23-3 (TO-236) | |
| ความเร็ว | Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed | |
| ชุด | - | |
| ย้อนกลับเวลาการกู้คืน (TRR) | 50 ns |
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | |
| บรรจุุภัณฑ์ | Tape & Reel (TR) | |
| อุณหภูมิในการทำงาน - Junction | -55°C ~ 150°C | |
| ประเภทการติดตั้ง | Surface Mount | |
| ปัจจุบัน - รั่วไหลย้อนกลับ @ Vr | 100 nA @ 150 V | |
| ปัจจุบัน - เฉลี่ย Rectified (ไอโอ) | 200mA | |
| การประจุกระแสไฟ @ Vr, F | 5pF @ 0V, 1MHz | |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | BAS20 |
3 ส่วนด้านขวามีขนาดที่คล้ายกับ onsemi BAS20LT1G
| คุณสมบัติสินค้า |  |
 |
 |
 |
|---|---|---|---|---|
| รุ่นผลิตภัณฑ์ | BAS20LT1G | BAS20W | BAS20W-7-F | BAS20W-7 |
| ผู้ผลิต | onsemi | Taiwan Semiconductor Corporation | Diodes Incorporated | Diodes Incorporated |
| ประเภทการติดตั้ง | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount | - |
| ชุด | - | - | - | * |
| อุณหภูมิในการทำงาน - Junction | -55°C ~ 150°C | 125°C | -65°C ~ 150°C | - |
| บรรจุุภัณฑ์ | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Cut Tape (CT) |
| ปัจจุบัน - เฉลี่ย Rectified (ไอโอ) | 200mA | 200mA | 200mA | - |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | SOT-23-3 (TO-236) | SOT-323 | SOT-323 | - |
| เทคโนโลยี | Standard | Standard | Standard | - |
| การประจุกระแสไฟ @ Vr, F | 5pF @ 0V, 1MHz | 5pF @ 0V, 1MHz | 5pF @ 0V, 1MHz | - |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | SC-70, SOT-323 | SC-70, SOT-323 | - |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | BAS20 | BAS20 | BAS20 | BAS20 |
| ย้อนกลับเวลาการกู้คืน (TRR) | 50 ns | 50 ns | 50 ns | - |
| แรงดันไฟฟ้า - ส่ง (Vf) (สูงสุด) @ หาก | 1.25 V @ 200 mA | 1.25 V @ 100 mA | 1.25 V @ 200 mA | - |
| ปัจจุบัน - รั่วไหลย้อนกลับ @ Vr | 100 nA @ 150 V | 100 nA @ 150 V | 100 nA @ 150 V | - |
| ความเร็ว | Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed | Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed | Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed | - |
| แรงดันไฟฟ้า - ดีซี (Reverse VR) ที่ (สูงสุด) | 200 V | 150 V | 150 V | - |
ดาวน์โหลดแผ่นข้อมูล BAS20LT1G PDF และเอกสาร onsemi สำหรับ BAS20LT1G - onsemi
BAS20HAMI Semiconductor/onsemi
BAS20DWQ-13Diodes IncorporatedHIVOLT SWITCHING DIODE BVR > 100BAS20WTaiwan Semiconductor CorporationSOT-323, 150V, 0.2A, SWITCHING DBAS20W-7-FDiodes IncorporatedDIODE GEN PURP 150V 200MA SOT323BAS20W-7Diodes IncorporatedDIODE GEN PURP 150V 200MA SOT323
BAS21 E6327Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)BAS20Q-13-FDiodes IncorporatedDIODE GP 150V 200MA SOT23-3
BAS20-V-GS08Electro-Films (EFI) / Vishay
BAS20HT1GonsemiDIODE GEN PURP 200V 200MA SOD323BAS2003A E6327Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)
BAS20W T/RPANJITBAS20TAZETEXBAS20DW-7Diodes IncorporatedDIODE ARRAY GP 150V 200MA SOT363
BAS20LT1onsemiDIODE SWITCH 200MA 200V SOT23BAS21BAS21 E6767Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)BAS20-V-GS18Electro-Films (EFI) / VishayBAS20HT1onsemiDIODE GEN PURP 200V 200MA SOD323| การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป | ||
|---|---|---|
| ภูมิภาค | ประเทศ | เวลาโลจิสติก (วัน) |
| อเมริกา | สหรัฐ | 5 |
| บราซิล | 7 | |
| ยุโรป | ประเทศเยอรมนี | 5 |
| ประเทศอังกฤษ | 4 | |
| อิตาลี | 5 | |
| มหาสมุทร | ออสเตรเลีย | 6 |
| นิวซีแลนด์ | 5 | |
| เอเชีย | อินเดีย | 4 |
| ประเทศญี่ปุ่น | 4 | |
| ตะวันออกกลาง | ประเทศอิสราเอล | 6 |
| อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx | |
|---|---|
| ค่าจัดส่ง (กก.) | DHL อ้างอิง (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
ต้องการราคาที่ดีกว่า? เพิ่มลงใน CART และ ส่ง RFQ ตอนนี้เราจะติดต่อคุณทันที