ข้อกำหนดด้านเทคโนโลยี BAW56WT1
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิคของ onsemi - BAW56WT1 คุณลักษณะพารามิเตอร์และชิ้นส่วนที่มีข้อกำหนดที่คล้ายกันกับ onsemi - BAW56WT1
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| ผู้ผลิต | onsemi | |
| แรงดันไฟฟ้า - ส่ง (Vf) (สูงสุด) @ หาก | 1.25 V @ 150 mA | |
| แรงดันไฟฟ้า - ดีซี (Reverse VR) ที่ (สูงสุด) | 70 V | |
| เทคโนโลยี | Standard | |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | SC-70-3 (SOT323) | |
| ความเร็ว | Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed | |
| ชุด | - | |
| ย้อนกลับเวลาการกู้คืน (TRR) | 6 ns |
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | SC-70, SOT-323 | |
| บรรจุุภัณฑ์ | Tape & Reel (TR) | |
| อุณหภูมิในการทำงาน - Junction | -55°C ~ 150°C | |
| ประเภทการติดตั้ง | Surface Mount | |
| การกำหนดค่าไดโอด | 1 Pair Common Anode | |
| ปัจจุบัน - รั่วไหลย้อนกลับ @ Vr | 2.5 µA @ 70 V | |
| ปัจจุบัน - เฉลี่ย Rectified (ไอโอ) (ต่อ Diode) | 200mA (DC) | |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | BAW56 |
| คุณลักษณะ | ลักษณะ |
|---|---|
| สถานภาพ RoHS | RoHS ไม่เป็นไปตามข้อกำหนด |
| ระดับความไวต่อความชื้น (MSL) | 1 (Unlimited) |
| เข้าถึงสถานะ | REACH Unaffected |
| ECCN | EAR99 |
| HTSUS |
3 ส่วนด้านขวามีขนาดที่คล้ายกับ onsemi BAW56WT1
| คุณสมบัติสินค้า |  |
 |
 |
|
|---|---|---|---|---|
| รุ่นผลิตภัณฑ์ | BAW56WT1 | BAW56WE6327 | BAW56W135 | BAW56WT1G |
| ผู้ผลิต | onsemi | Infineon Technologies | NXP Semiconductors | onsemi |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | BAW56 | BAW56 | BAW56W | BAW56 |
| อุณหภูมิในการทำงาน - Junction | -55°C ~ 150°C | 150°C (Max) | - | -55°C ~ 150°C |
| ปัจจุบัน - รั่วไหลย้อนกลับ @ Vr | 2.5 µA @ 70 V | 150 nA @ 70 V | - | 2.5 µA @ 70 V |
| แรงดันไฟฟ้า - ดีซี (Reverse VR) ที่ (สูงสุด) | 70 V | 80 V | - | 70 V |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | SC-70, SOT-323 | SC-70, SOT-323 | - | SC-70, SOT-323 |
| เทคโนโลยี | Standard | Standard | - | Standard |
| ย้อนกลับเวลาการกู้คืน (TRR) | 6 ns | 4 ns | - | 6 ns |
| ประเภทการติดตั้ง | Surface Mount | Surface Mount | - | Surface Mount |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | SC-70-3 (SOT323) | SOT-323 | - | SC-70-3 (SOT323) |
| แรงดันไฟฟ้า - ส่ง (Vf) (สูงสุด) @ หาก | 1.25 V @ 150 mA | 1.25 V @ 150 mA | - | 1.25 V @ 150 mA |
| การกำหนดค่าไดโอด | 1 Pair Common Anode | 1 Pair Common Anode | - | 1 Pair Common Anode |
| บรรจุุภัณฑ์ | Tape & Reel (TR) | Bulk | Bulk | Tape & Reel (TR) |
| ความเร็ว | Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed | Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed | - | Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed |
| ชุด | - | - | * | - |
| ปัจจุบัน - เฉลี่ย Rectified (ไอโอ) (ต่อ Diode) | 200mA (DC) | 200mA (DC) | - | 200mA (DC) |
ดาวน์โหลดแผ่นข้อมูล BAW56WT1 PDF และเอกสาร onsemi สำหรับ BAW56WT1 - onsemi
BAW56_R1_00101PANJITBAW56WE6327Infineon TechnologiesHIGH SPEED SWITCHING DIODEBAW56W135NXP SemiconductorsNOW NEXPERIA BAW56W - RECTIFIER
BAW56W115NexperiaBAW78ACypress Semiconductor (Infineon Technologies)BAW56_R1_000Z9PANJITBAW56W/DG/B3NexperiaBAW56WPTNexperiaBAW56WT/RPANJITBAW56W/BFreescale / NXP Semiconductors
BAW62_113LUMILEDSBAW56WT1GonsemiDIODE ARRAY GP 70V 200MA SC70-3
BAW56WQ-7-FDiodes IncorporatedFAST SWITCHING DIODE SOT323 T&RBAW56WT1GMotorolaBAW56 - HIGH-SPEED SWITCHING DIOBAW56W-R1PANJITBAW78C E6327Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)
BAW56_R1_00001Panjit International Inc.SOT-23, SWITCHINGBAW78CInfineon TechnologiesDIODE GEN PURP 200V 1A SOT89-4-2| การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป | ||
|---|---|---|
| ภูมิภาค | ประเทศ | เวลาโลจิสติก (วัน) |
| อเมริกา | สหรัฐ | 5 |
| บราซิล | 7 | |
| ยุโรป | ประเทศเยอรมนี | 5 |
| ประเทศอังกฤษ | 4 | |
| อิตาลี | 5 | |
| มหาสมุทร | ออสเตรเลีย | 6 |
| นิวซีแลนด์ | 5 | |
| เอเชีย | อินเดีย | 4 |
| ประเทศญี่ปุ่น | 4 | |
| ตะวันออกกลาง | ประเทศอิสราเอล | 6 |
| อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx | |
|---|---|
| ค่าจัดส่ง (กก.) | DHL อ้างอิง (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
ต้องการราคาที่ดีกว่า? โปรด เพิ่มลงในรถเข็น เราจะติดต่อคุณทันที