ข้อกำหนดด้านเทคโนโลยี BBS3002-DL-1E
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิคของ onsemi - BBS3002-DL-1E คุณลักษณะพารามิเตอร์และชิ้นส่วนที่มีข้อกำหนดที่คล้ายกันกับ onsemi - BBS3002-DL-1E
คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
---|---|---|
ผู้ผลิต | onsemi | |
VGS (TH) (สูงสุด) @ Id | - | |
Vgs (สูงสุด) | ±20V | |
เทคโนโลยี | MOSFET (Metal Oxide) | |
ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | D²PAK (TO-263) | |
ชุด | - | |
RDS บน (สูงสุด) @ Id, Vgs | 5.8mOhm @ 50A, 10V | |
พลังงานที่สูญเสีย (สูงสุด) | 90W (Tc) | |
หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | |
บรรจุุภัณฑ์ | Tape & Reel (TR) |
คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
---|---|---|
อุณหภูมิในการทำงาน | 150°C (TJ) | |
ประเภทการติดตั้ง | Surface Mount | |
Input Capacitance (Ciss) (สูงสุด) ที่ Vds | 13200 pF @ 20 V | |
ค่าประตู (Qg) (สูงสุด) @ Vgs | 280 nC @ 10 V | |
ประเภท FET | P-Channel | |
คุณสมบัติ FET | - | |
แรงดันไฟฟ้าของไดรฟ์ (สูงสุด Rds On, Min Rds On) | 4V, 10V | |
ท่อระบายน้ำไปยังแหล่งที่มาของแรงดัน (Vdss) | 60 V | |
ปัจจุบัน - Drain ต่อเนื่อง (Id) @ 25 องศาเซลเซียส | 100A (Ta) | |
หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | BBS3002 |
3 ส่วนด้านขวามีขนาดที่คล้ายกับ onsemi BBS3002-DL-1E
คุณสมบัติสินค้า | ![]() |
![]() |
![]() |
![]() |
---|---|---|---|---|
รุ่นผลิตภัณฑ์ | BBS3002-DL-1E | BBS3002-DL-E | IRF540NSTRRPBF | AO4304 |
ผู้ผลิต | onsemi | onsemi | Infineon Technologies | Alpha & Omega Semiconductor Inc. |
ค่าประตู (Qg) (สูงสุด) @ Vgs | 280 nC @ 10 V | 280 nC @ 10 V | 71 nC @ 10 V | 29 nC @ 10 V |
เทคโนโลยี | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
VGS (TH) (สูงสุด) @ Id | - | - | 4V @ 250µA | 2.4V @ 250µA |
ประเภทการติดตั้ง | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
แรงดันไฟฟ้าของไดรฟ์ (สูงสุด Rds On, Min Rds On) | 4V, 10V | 4V, 10V | 10V | 4.5V, 10V |
Vgs (สูงสุด) | ±20V | ±20V | ±20V | ±20V |
หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
พลังงานที่สูญเสีย (สูงสุด) | 90W (Tc) | 90W (Tc) | 130W (Tc) | 3.6W (Ta) |
ปัจจุบัน - Drain ต่อเนื่อง (Id) @ 25 องศาเซลเซียส | 100A (Ta) | 100A (Ta) | 33A (Tc) | 18A (Ta) |
บรรจุุภัณฑ์ | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) |
ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | D²PAK (TO-263) | SMP-FD | D2PAK | 8-SOIC |
ประเภท FET | P-Channel | P-Channel | N-Channel | N-Channel |
RDS บน (สูงสุด) @ Id, Vgs | 5.8mOhm @ 50A, 10V | 5.8mOhm @ 50A, 10V | 44mOhm @ 16A, 10V | 6mOhm @ 15A, 10V |
คุณสมบัติ FET | - | - | - | - |
หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | BBS3002 | BBS300 | IRF540 | AO43 |
อุณหภูมิในการทำงาน | 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) |
ท่อระบายน้ำไปยังแหล่งที่มาของแรงดัน (Vdss) | 60 V | 60 V | 100 V | 30 V |
Input Capacitance (Ciss) (สูงสุด) ที่ Vds | 13200 pF @ 20 V | 13200 pF @ 20 V | 1960 pF @ 25 V | 1920 pF @ 15 V |
ชุด | - | - | HEXFET® | - |
ดาวน์โหลดแผ่นข้อมูล BBS3002-DL-1E PDF และเอกสาร onsemi สำหรับ BBS3002-DL-1E - onsemi
การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป | ||
---|---|---|
ภูมิภาค | ประเทศ | เวลาโลจิสติก (วัน) |
อเมริกา | สหรัฐ | 5 |
บราซิล | 7 | |
ยุโรป | ประเทศเยอรมนี | 5 |
ประเทศอังกฤษ | 4 | |
อิตาลี | 5 | |
มหาสมุทร | ออสเตรเลีย | 6 |
นิวซีแลนด์ | 5 | |
เอเชีย | อินเดีย | 4 |
ประเทศญี่ปุ่น | 4 | |
ตะวันออกกลาง | ประเทศอิสราเอล | 6 |
อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx | |
---|---|
ค่าจัดส่ง (กก.) | DHL อ้างอิง (USD $) |
0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
ต้องการราคาที่ดีกว่า? เพิ่มลงใน CART และ ส่ง RFQ ตอนนี้เราจะติดต่อคุณทันที