ข้อกำหนดด้านเทคโนโลยี BC849BLT1G
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิคของ onsemi - BC849BLT1G คุณลักษณะพารามิเตอร์และชิ้นส่วนที่มีข้อกำหนดที่คล้ายกันกับ onsemi - BC849BLT1G
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| ผู้ผลิต | onsemi | |
| แรงดันไฟฟ้า - คอ Emitter พังทลาย (สูงสุด) | 30 V | |
| VCE อิ่มตัว (สูงสุด) @ Ib, Ic | 600mV @ 5mA, 100mA | |
| ประเภททรานซิสเตอร์ | NPN | |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | SOT-23-3 (TO-236) | |
| ชุด | - | |
| เพาเวอร์ - แม็กซ์ | 300 mW | |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| บรรจุุภัณฑ์ | Tape & Reel (TR) | |
| อุณหภูมิในการทำงาน | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| ประเภทการติดตั้ง | Surface Mount | |
| ความถี่ - การเปลี่ยน | 100MHz | |
| DC กำไรปัจจุบัน (HFE) (ต่ำสุด) @ IC, VCE | 200 @ 2mA, 5V | |
| ปัจจุบัน - นักลัด (สูงสุด) | 15nA (ICBO) | |
| ปัจจุบัน - สะสม (IC) (สูงสุด) | 100 mA | |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | BC849 |
3 ส่วนด้านขวามีขนาดที่คล้ายกับ onsemi BC849BLT1G
| คุณสมบัติสินค้า |  |
 |
 |
 |
|---|---|---|---|---|
| รุ่นผลิตภัณฑ์ | BC849BLT1G | BC849AMTF | BC849BW | BC849C |
| ผู้ผลิต | onsemi | onsemi | Diotec Semiconductor | Yangjie Technology |
| บรรจุุภัณฑ์ | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) |
| ปัจจุบัน - นักลัด (สูงสุด) | 15nA (ICBO) | 15nA (ICBO) | 15nA (ICBO) | 100nA |
| VCE อิ่มตัว (สูงสุด) @ Ib, Ic | 600mV @ 5mA, 100mA | 600mV @ 5mA, 100mA | 600mV @ 5mA, 100mA | 500mV @ 5mA, 100mA |
| ความถี่ - การเปลี่ยน | 100MHz | 300MHz | 100MHz | 100MHz |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | SOT-23-3 (TO-236) | SOT-23-3 | SOT-323 | SOT-23 |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | SC-70, SOT-323 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| ชุด | - | - | - | - |
| ประเภทการติดตั้ง | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | BC849 | BC849 | - | - |
| DC กำไรปัจจุบัน (HFE) (ต่ำสุด) @ IC, VCE | 200 @ 2mA, 5V | 110 @ 2mA, 5V | 200 @ 2mA, 5V | 420 @ 2mA, 5V |
| เพาเวอร์ - แม็กซ์ | 300 mW | 310 mW | 200 mW | 225 mW |
| ประเภททรานซิสเตอร์ | NPN | NPN | NPN | NPN |
| แรงดันไฟฟ้า - คอ Emitter พังทลาย (สูงสุด) | 30 V | 30 V | 30 V | 30 V |
| ปัจจุบัน - สะสม (IC) (สูงสุด) | 100 mA | 100 mA | 100 mA | 100 mA |
| อุณหภูมิในการทำงาน | -55°C ~ 150°C (TJ) | 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C |
ดาวน์โหลดแผ่นข้อมูล BC849BLT1G PDF และเอกสาร onsemi สำหรับ BC849BLT1G - onsemi
BC849AMTFonsemiTRANS NPN 30V 0.1A SOT23-3
BC849-C-MTFSamsung Semiconductor
BC849C E6327Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)BC849BWDiotec SemiconductorTRANS NPN 30V 0.1A SOT323
BC849C-7Diodes IncorporatedBC849BE6327Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)BC849CYangjie TechnologySOT-23 NPN 0.2W 0.1A 50V TransisBC849BLT1onsemiTRANS NPN 30V 0.1A SOT23-3BC849BMTFonsemiTRANS NPN 30V 0.1A SOT23-3
BC848W/DGFreescale / NXP SemiconductorsBC849BDiotec SemiconductorTRANS NPN 30V 0.1A SOT23-3
BC849BWTaiwan Semiconductor CorporationSOT-323, 30V, 0.1A, NPN BIPOLARBC849CDiotec SemiconductorTRANS NPN 30V 0.1A SOT23-3BC849C 2CWFreescale / NXP SemiconductorsBC848W115Freescale / NXP Semiconductors
BC849C-GS08Electro-Films (EFI) / VishayBC849-B-RTKKECBC849BYangjie TechnologySOT-23 NPN 0.2W 0.1A 50V Transis| การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป | ||
|---|---|---|
| ภูมิภาค | ประเทศ | เวลาโลจิสติก (วัน) |
| อเมริกา | สหรัฐ | 5 |
| บราซิล | 7 | |
| ยุโรป | ประเทศเยอรมนี | 5 |
| ประเทศอังกฤษ | 4 | |
| อิตาลี | 5 | |
| มหาสมุทร | ออสเตรเลีย | 6 |
| นิวซีแลนด์ | 5 | |
| เอเชีย | อินเดีย | 4 |
| ประเทศญี่ปุ่น | 4 | |
| ตะวันออกกลาง | ประเทศอิสราเอล | 6 |
| อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx | |
|---|---|
| ค่าจัดส่ง (กก.) | DHL อ้างอิง (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
ต้องการราคาที่ดีกว่า? เพิ่มลงใน CART และ ส่ง RFQ ตอนนี้เราจะติดต่อคุณทันที