ข้อกำหนดด้านเทคโนโลยี BD435S
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิคของ onsemi - BD435S คุณลักษณะพารามิเตอร์และชิ้นส่วนที่มีข้อกำหนดที่คล้ายกันกับ onsemi - BD435S
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| ผู้ผลิต | onsemi | |
| แรงดันไฟฟ้า - คอ Emitter พังทลาย (สูงสุด) | 32 V | |
| VCE อิ่มตัว (สูงสุด) @ Ib, Ic | 500mV @ 200mA, 2A | |
| ประเภททรานซิสเตอร์ | NPN | |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | TO-126-3 | |
| ชุด | - | |
| เพาเวอร์ - แม็กซ์ | 36 W | |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | TO-225AA, TO-126-3 |
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| บรรจุุภัณฑ์ | Bulk | |
| อุณหภูมิในการทำงาน | 150°C (TJ) | |
| ประเภทการติดตั้ง | Through Hole | |
| ความถี่ - การเปลี่ยน | 3MHz | |
| DC กำไรปัจจุบัน (HFE) (ต่ำสุด) @ IC, VCE | 40 @ 10mA, 5V | |
| ปัจจุบัน - นักลัด (สูงสุด) | 100µA | |
| ปัจจุบัน - สะสม (IC) (สูงสุด) | 4 A | |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | BD435 |
3 ส่วนด้านขวามีขนาดที่คล้ายกับ onsemi BD435S
| คุณสมบัติสินค้า |  |
 |
 |
|
|---|---|---|---|---|
| รุ่นผลิตภัณฑ์ | BD435S | BD435S | BD434STU | BD437S |
| ผู้ผลิต | onsemi | Fairchild Semiconductor | onsemi | Fairchild Semiconductor |
| DC กำไรปัจจุบัน (HFE) (ต่ำสุด) @ IC, VCE | 40 @ 10mA, 5V | 40 @ 10mA, 5V | 40 @ 10mA, 5V | 30 @ 10mA, 5V |
| อุณหภูมิในการทำงาน | 150°C (TJ) | 150°C (TJ) | 150°C (TJ) | 150°C (TJ) |
| บรรจุุภัณฑ์ | Bulk | Bulk | Tube | Bulk |
| ปัจจุบัน - สะสม (IC) (สูงสุด) | 4 A | 4 A | 4 A | 4 A |
| ความถี่ - การเปลี่ยน | 3MHz | 3MHz | 3MHz | 3MHz |
| เพาเวอร์ - แม็กซ์ | 36 W | 36 W | 36 W | 36 W |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | BD435 | BD435 | BD434 | BD437 |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | TO-126-3 | TO-126-3 | TO-126-3 | TO-126-3 |
| แรงดันไฟฟ้า - คอ Emitter พังทลาย (สูงสุด) | 32 V | 32 V | 22 V | 45 V |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | TO-225AA, TO-126-3 | TO-225AA, TO-126-3 | TO-225AA, TO-126-3 | TO-225AA, TO-126-3 |
| ประเภททรานซิสเตอร์ | NPN | NPN | PNP | NPN |
| ประเภทการติดตั้ง | Through Hole | Through Hole | Through Hole | Through Hole |
| ปัจจุบัน - นักลัด (สูงสุด) | 100µA | 100µA | 100µA | 100µA |
| VCE อิ่มตัว (สูงสุด) @ Ib, Ic | 500mV @ 200mA, 2A | 500mV @ 200mA, 2A | 500mV @ 200mA, 2A | 600mV @ 200mA, 2A |
| ชุด | - | - | - | - |
ดาวน์โหลดแผ่นข้อมูล BD435S PDF และเอกสาร onsemi สำหรับ BD435S - onsemi
BD435SFairchild SemiconductorTRANS NPN 32V 4A TO126-3BD434STUonsemiTRANS PNP 22V 4A TO126-3
BD435-16STMicroelectronicsBD437SFairchild SemiconductorTRANS NPN 45V 4A TO126-3
BD435GonsemiTRANS NPN 32V 4A TO126BD436STUonsemiTRANS PNP 32V 4A TO126-3BD437-16STMicroelectronicsBD434SFairchild SemiconductorPOWER BIPOLAR TRANSISTOR, 4A, 22BD436TonsemiTRANS PNP 32V 4A TO126BD436SonsemiTRANS PNP 32V 4A TO126-3BD435NSTMicroelectronicsBD434STUFairchild SemiconductorTRANS PNP 22V 4A TO126-3BD436.STMicroelectronicsBD438GonsemiTRANS PNP 45V 4A TO-225AABD437SonsemiTRANS NPN 45V 4A TO126-3BD434SonsemiTRANS PNP 22V 4A TO126-3BD436GonsemiPOWER BIPOLAR TRANSISTOR, PNPBD433SFairchild SemiconductorTRANS NPN 22V 4A TO126-3| การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป | ||
|---|---|---|
| ภูมิภาค | ประเทศ | เวลาโลจิสติก (วัน) |
| อเมริกา | สหรัฐ | 5 |
| บราซิล | 7 | |
| ยุโรป | ประเทศเยอรมนี | 5 |
| ประเทศอังกฤษ | 4 | |
| อิตาลี | 5 | |
| มหาสมุทร | ออสเตรเลีย | 6 |
| นิวซีแลนด์ | 5 | |
| เอเชีย | อินเดีย | 4 |
| ประเทศญี่ปุ่น | 4 | |
| ตะวันออกกลาง | ประเทศอิสราเอล | 6 |
| อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx | |
|---|---|
| ค่าจัดส่ง (กก.) | DHL อ้างอิง (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
ต้องการราคาที่ดีกว่า? เพิ่มลงใน CART และ ส่ง RFQ ตอนนี้เราจะติดต่อคุณทันที