ข้อกำหนดด้านเทคโนโลยี BSP52T3G
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิคของ onsemi - BSP52T3G คุณลักษณะพารามิเตอร์และชิ้นส่วนที่มีข้อกำหนดที่คล้ายกันกับ onsemi - BSP52T3G
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| ผู้ผลิต | onsemi | |
| แรงดันไฟฟ้า - คอ Emitter พังทลาย (สูงสุด) | 80 V | |
| VCE อิ่มตัว (สูงสุด) @ Ib, Ic | 1.3V @ 500µA, 500mA | |
| ประเภททรานซิสเตอร์ | NPN - Darlington | |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | SOT-223 (TO-261) | |
| ชุด | - | |
| เพาเวอร์ - แม็กซ์ | 800 mW | |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | TO-261-4, TO-261AA |
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| บรรจุุภัณฑ์ | Tape & Reel (TR) | |
| อุณหภูมิในการทำงาน | -65°C ~ 150°C (TJ) | |
| ประเภทการติดตั้ง | Surface Mount | |
| ความถี่ - การเปลี่ยน | - | |
| DC กำไรปัจจุบัน (HFE) (ต่ำสุด) @ IC, VCE | 2000 @ 500mA, 10V | |
| ปัจจุบัน - นักลัด (สูงสุด) | 10µA | |
| ปัจจุบัน - สะสม (IC) (สูงสุด) | 1 A | |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | BSP52 |
3 ส่วนด้านขวามีขนาดที่คล้ายกับ onsemi BSP52T3G
| คุณสมบัติสินค้า |  |
|
 |
 |
|---|---|---|---|---|
| รุ่นผลิตภัณฑ์ | BSP52T3G | BSP52T1G | BSP60E6327 | BSP52T1 |
| ผู้ผลิต | onsemi | onsemi | Infineon Technologies | onsemi |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | BSP52 | BSP52 | - | BSP52 |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | SOT-223 (TO-261) | SOT-223 (TO-261) | PG-SOT223-4-21 | - |
| อุณหภูมิในการทำงาน | -65°C ~ 150°C (TJ) | -65°C ~ 150°C (TJ) | 150°C (TJ) | - |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | TO-261-4, TO-261AA | TO-261-4, TO-261AA | TO-261-4, TO-261AA | - |
| ปัจจุบัน - นักลัด (สูงสุด) | 10µA | 10µA | 10µA | - |
| VCE อิ่มตัว (สูงสุด) @ Ib, Ic | 1.3V @ 500µA, 500mA | 1.3V @ 500µA, 500mA | 1.8V @ 1mA, 1A | - |
| ปัจจุบัน - สะสม (IC) (สูงสุด) | 1 A | 1 A | 1 A | - |
| ความถี่ - การเปลี่ยน | - | - | 200MHz | - |
| ประเภททรานซิสเตอร์ | NPN - Darlington | NPN - Darlington | PNP - Darlington | - |
| ชุด | - | - | - | * |
| DC กำไรปัจจุบัน (HFE) (ต่ำสุด) @ IC, VCE | 2000 @ 500mA, 10V | 2000 @ 500mA, 10V | 2000 @ 500mA, 10V | - |
| ประเภทการติดตั้ง | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount | - |
| แรงดันไฟฟ้า - คอ Emitter พังทลาย (สูงสุด) | 80 V | 80 V | 45 V | - |
| บรรจุุภัณฑ์ | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Bulk | Cut Tape (CT) |
| เพาเวอร์ - แม็กซ์ | 800 mW | 800 mW | 1.5 W | - |
ดาวน์โหลดแผ่นข้อมูล BSP52T3G PDF และเอกสาร onsemi สำหรับ BSP52T3G - onsemi
BSP52T1GonsemiTRANS NPN DARL 80V 1A SOT223
BSP52 MOSAMI Semiconductor/onsemiBSP550Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)BSP60 E6327Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)BSP61 MOSCypress Semiconductor (Infineon Technologies)BSP52E6327Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)BSP60E6327Infineon TechnologiesTRANS PNP DARL 45V 1A SOT223-4BSP51E6327Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)BSP52 E6327Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)
BSP60 MOSFreescale / NXP SemiconductorsBSP60 E6433Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)BSP52T1onsemiTRANS DARL NPN 1A 80V SOT223BSP52T1G MOSAMI Semiconductor/onsemiBSP603S2LCypress Semiconductor (Infineon Technologies)BSP52 H6327Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)BSP60H6327Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)BSP52/DG/B2Freescale / NXP SemiconductorsBSP603S2L MOSCypress Semiconductor (Infineon Technologies)| การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป | ||
|---|---|---|
| ภูมิภาค | ประเทศ | เวลาโลจิสติก (วัน) |
| อเมริกา | สหรัฐ | 5 |
| บราซิล | 7 | |
| ยุโรป | ประเทศเยอรมนี | 5 |
| ประเทศอังกฤษ | 4 | |
| อิตาลี | 5 | |
| มหาสมุทร | ออสเตรเลีย | 6 |
| นิวซีแลนด์ | 5 | |
| เอเชีย | อินเดีย | 4 |
| ประเทศญี่ปุ่น | 4 | |
| ตะวันออกกลาง | ประเทศอิสราเอล | 6 |
| อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx | |
|---|---|
| ค่าจัดส่ง (กก.) | DHL อ้างอิง (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
ต้องการราคาที่ดีกว่า? เพิ่มลงใน CART และ ส่ง RFQ ตอนนี้เราจะติดต่อคุณทันที